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PCPD电源,3403mos管,80a30v场效应管,TO252,KND3403C-KIA MOS管
KND3403C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流80A，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，可最大限度地降低导通电阻，性能优越；具备低栅极电荷、低反向传输电容，快速切换能力和改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，确保稳定性和可靠性，广泛应用于电动工具、BMS、PD电源、...www.kiaic.com/article/detail/5546.html 2025-04-22
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bms mos管,80a40v场效应管,KNY3404D参数规格书-KIA MOS管
bms mos管KNY3404D漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启) 5.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提升效率；具有开关速度快，内阻低，耐冲击特性好的特点；?低栅极电荷、低反向传输电容、改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定可...www.kiaic.com/article/detail/5549.html 2025-04-22
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电源切换,2908mos管,130a80v场效应管,KNH2908D参数-KIA MOS管
KNH2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流以减少导电损耗、高雪崩电流，性能优越，高效稳定；无铅和绿色设备，环保可靠；广泛应用于电源切换应用程序、硬交换和高频电路、不间断电源等；...www.kiaic.com/article/detail/5564.html 2025-04-22
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逆变电源,2806场效应管,150a60v,KIA2806AM参数-KIA MOS管
KIA2806AM场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 3.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；100%雪崩测试，稳定可靠；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），优质环保；是切换应用程序、逆变器系统的电源管理、不间断电源的理想选择；...www.kiaic.com/article/detail/5576.html 2025-04-22
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锂电池保护板mos,120a85v场效应管,KCB3008B参数资料-KIA MOS管
锂电池保护板（13-16串)专用MOS管KCB3008B漏源击穿电压85V，漏极电流120A；使用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），高效稳定可靠；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），优...www.kiaic.com/article/detail/5579.html 2025-04-22
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同步整流mos管,85v120a,3008场效应管,KCY3008A参数-KIA MOS管
KCY3008A场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），高效稳定可靠；在电机驱动器和DC/DC转换器、SR（同步整流）中能够有效地转换电...www.kiaic.com/article/detail/5582.html 2025-04-22
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ups逆变器,9310场效应管,42a100v场效应管,KCD9310A-KIA MOS管
KCD9310A场效应管采用SGT MOSFET技术制造，漏源击穿电压100V，漏极电流42A；专有新型平面技术，提供优异的RDSON和栅极电荷；低导通电阻RDS(开启) 15mΩ，超低栅极电荷20nC，最小化开关损耗，提高效率；快速恢复体二极管，高效稳定、性能优越；广泛应用于UPS逆变...www.kiaic.com/article/detail/5627.html 2025-04-22
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30v 85a,低压mos管,85a30v,KNY3403B场效应管参数-KIA MOS管
KNY3403B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用改进的工艺和单元结构特别定制，低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt能力等特性，确保性能稳定可靠；广泛应用于...www.kiaic.com/article/detail/5433.html 2025-04-22
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逆变器mos管,40a300v场效应管,KNP9130B参数引脚图-KIA MOS管
逆变器专用?MOS管KNP9130B采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(开启) 0.12Ω；具有低栅极电荷、快速恢复体二极管等特性，能够在短时间内完成导通和截止状态的转换，减少开关损耗，提高电源的转换效率；广泛应用于UPS、DC-AC逆...www.kiaic.com/article/detail/5624.html 2025-04-22
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深圳MOS管场效应管厂家
KIA半导体专业研发生产MOS管场效应管厂家www.kiaic.com/article/detail/72.html 2025-04-17
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电动车控制器mos管,60n06场效应管,KIA2806AP参数资料-KIA MOS管
60n06场效应管替代型号KIA2806AP漏源击穿电压60V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 3.5mΩ，最大限度地减少导通损耗；100%雪崩测试，稳定可靠；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），优质环保；广泛应用于电动车控制器、移动电源、逆变器等，极大提升设备...www.kiaic.com/article/detail/5585.html 2025-04-14
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逆变器mos管,1404场效应管代换,KNP2404A参数资料-KIA MOS管
1404场效应管代换型号KNP2404A漏源击穿电压40V，漏极电流190A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，高效率低损耗；高雪崩电流，提供无铅和绿色设备，确保性能稳定可靠；广泛应用于电源、DC-DC转换器等领域；封装形式：TO-...www.kiaic.com/article/detail/5588.html 2025-04-14
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同步降压转换器,30v7a mos管,KNE4603A2场效应管-KIA MOS管
KNE4603A2是高单元密度沟槽双N沟道MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流7A；低导通电阻RDS(开启) 16mΩ，超低栅极电荷，为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON和栅极电荷，减少损耗、提高效率；Cdv/dt效应下降效果极佳，符合RoHs、绿色环保；封装形式：SOP-...www.kiaic.com/article/detail/5618.html 2025-04-14
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ups电源场效应管,150a40vmos管,KCY2704A参数引脚图-KIA MOS管
KCX2704A场效应管漏极电流150A，漏源击穿电压为40V；采用LVMOS技术生产，改进的工艺和单元结构，最小化导通电阻RDS(开启) 1.25mΩ，提供优越的开关性能；低栅极电荷、低跨导、快速开关，高效可靠；极高dv/dt额定、100%雪崩测试、无铅电镀、符合RoHS，稳定环保；...www.kiaic.com/article/detail/5606.html 2025-04-08