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3203场效应管,30v pmos,dfn56,KPY3203D参数引脚图-KIA MOS管
KPY3203D场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-100A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(on)=3.5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降、绿色设备可用，符合环保要求；具有高输入电阻、低...www.kiaic.com/article/detail/5663.html 2025-05-12
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智能家居mos管,130a150v,KNB2915A场效应管参数资料-KIA MOS管
KNB2915A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ，高效低耗；低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；符合JEDEC标准，稳定可靠；适用于电机控制和驱动、电池管理、UPS（不间断电源）等领域；封装...www.kiaic.com/article/detail/5657.html 2025-05-08
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pwm脉宽调制,30v80a场效应管,KNG3403C参数资料-KIA MOS管
KNG3403C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流80A，极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ，可最大限度地降低导通电阻，最小化开关损耗；低栅极电荷、低反向传输电容，高效低耗；快速切换能力和改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定可靠，广泛应用于PWM应用程序、开关电源...www.kiaic.com/article/detail/5651.html 2025-05-06
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车载usb,3402 SOT23,30v4a,KIA3402场效应管参数-KIA MOS管
车载usb专用MOS管KIA3402漏源电压30V，漏极电流4A，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（on）、低栅电荷和栅电压低至2.5V，最大限度地减少导电损耗、高效低耗；3402是一款可靠性高、性能稳定的场效应管,具有低电压放大和开关特性，适用于负载开关、PWM应用中，...www.kiaic.com/article/detail/5648.html 2025-04-30
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9150mos管,40a500v场效应管,KNH9150B参数引脚图-KIA MOS管
KNH9150B场效应管漏极电流40A，漏源击穿电压为500V，采用高级平面条纹DMOS技术，低导通电阻RDS(开启) 87mΩ，最大限度地减少开关损耗，低栅极电荷（典型值为117nC)、低跨导（典型值为8.6pF)，高效低耗；快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；封...www.kiaic.com/article/detail/5645.html 2025-04-29
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电机驱动mos管选型,85v120a,KCD3008A场效应管参数-KIA MOS管
KCD3008A场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），稳定可靠；在电机驱动器和DC/DC转换器、SR（同步整流）中能够高效运行；封装形...www.kiaic.com/article/detail/5642.html 2025-04-28
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dcdc变换器,130a200v,2920场效应管,KCP2920A参数-KIA MOS管
KCP2920A场效应管采用SGT MOSFET工艺，??漏源击穿电压200V，漏极电流130A；新型沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，最小化开关损耗、?提高效率；快速恢复体二极管，?开关特性好、反向恢复时间短，稳定可靠，广泛应用于高...www.kiaic.com/article/detail/5639.html 2025-04-27
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bms mos,40v130a参数 低内阻,KND2904A场效应管-KIA MOS管
bms专用mos管?KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，稳定可靠，广泛用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域，封装形...www.kiaic.com/article/detail/5636.html 2025-04-25
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bms电池管理,230a60v,KNP1906A场效应管参数-KIA MOS管
KNP1906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流230A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、高雪崩电流，性能稳定可靠、环保无铅；广泛应用于UPS、电源、电池管理系统等；封装形式：TO-220。www.kiaic.com/article/detail/5633.html 2025-04-24
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负载开关mos开关,40v130a场效应管,KNB2904A参数-KIA MOS管
KNB2904A场效应管参数性能优越，具有优异的RDSON和栅极电荷；漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，稳定可靠，适用于PWM应用、...www.kiaic.com/article/detail/5630.html 2025-04-23
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MOS管,场效应管是什么控制型器件？-KIA MOS管
场效应管是一种电压控制型器件，通过栅源电压（VGS）来控制漏极电流（ID），具有高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和大电压/电流能力等特点。www.kiaic.com/article/detail/5521.html 2025-04-22
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28n50mos,28a500v场效应管,TO-3P,KIA28N50HH参数-KIA MOS管
KIA28N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低栅极电荷、低Crss、改进的dv/dt能力，实现快速切换；经过100%雪崩测试、符合RoHS，稳定可靠；良好的开关特性，能够承受较大...www.kiaic.com/article/detail/5525.html 2025-04-22
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2803mos管,2803场效应管,30v150a,KNY2803A参数-KIA MOS管
KNY2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导通损耗；低栅极电荷、改进的dv/dt能力、快速切换、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，高效稳定；无铅，符合RoHS标准，环保可靠；...www.kiaic.com/article/detail/5531.html 2025-04-22
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30v150a场效应管,2803mos管,TO-220,KNP2803S参数规格书-KIA MOS管
KNP2803S场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导通损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、?改进的dv/dt能力、快速切换、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，高效稳定；无铅，符合R...www.kiaic.com/article/detail/5534.html 2025-04-22