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3404mos管,3404场效应管,80a40v,KND3404C参数资料-KIA MOS管
KND3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；以及出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要求、100%EAS保证，稳定可...www.kiaic.com/article/detail/5504.html 2025-02-19
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68v80a控制器,3306场效应管,KNB3306B参数引脚图-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KNB3306B漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；3306场效应管开关速度快、耐冲击特性好、高雪崩电流，高效稳定；无铅绿色设备，环保可靠，在无刷电机、逆变器、控制器...www.kiaic.com/article/detail/5501.html 2025-02-18
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3.5a30v,SOT-23,2306场效应管,KIA2306mos管参数-KIA MOS管
2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；高密度单元设计，极低的导通电阻RDS(开启)，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；?2306mos管具有低导通电阻、高开关速度、低漏电流、良好的温度稳定性；非常适合应用于LED感应灯、玩具、蓝牙音箱等；小型封装：S...www.kiaic.com/article/detail/5495.html 2025-02-14
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场效应管逆变器,场效应管制作逆变器电路图-KIA MOS管
VT1和VT2构成多谐振荡器，振荡频率为5Hz。当电压下降时，为使频率不变，振荡器由稳压管VD1稳压后供电。多谐振荡器输出输出的方波电压，直接推动VMOS大功率管，经变压器升压后的220V交流电从插座CZ引出。www.kiaic.com/article/detail/5494.html 2025-02-14
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80a80vmos管,3308参数引脚图,KND3308A场效应管-KIA MOS管
KND3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，广泛应用在电动车控制器、逆变器、BMS保...www.kiaic.com/article/detail/5492.html 2025-02-13
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2300mos,2300场效应管20v6a,sot-23,KIA2300参数-KIA MOS管
KIA2300场效应管漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ，极低RDS（on）的高密度单元设计、、优越的开关性能、可最大限度地减少导通损耗，无铅产品、坚固可靠；应用于LED感应灯、玩具、蓝牙音箱，高效率低损耗；封装形式：SOT-23。www.kiaic.com/article/detail/5489.html 2025-02-12
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开关电源mos,8a700v场效应管,KIA08TB70DP参数-KIA MOS管
快恢复/高效率二极管KIA08TB70DP是一款开关特性好、反向恢复时间短的快恢复二极管，具有超快的25纳秒恢复时间、175°C工作接点温度、低正向电压、低泄漏电流、高温玻璃钝化结、反向电压至700V；稳定可靠，减少损耗提高效率；环氧树脂符合UL 94V-0@0.125英寸...www.kiaic.com/article/detail/5486.html 2025-02-11
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场效应管n沟道和p沟道的区别详解-KIA MOS管
N沟道MOS管和P沟道MOS管的工作原理都是通过栅极电压来控制沟道的导电性，但是，它们在实现这一控制时，两者的具体结构差异导致了不同的导电行为。比如N沟道MOS管在栅极电压为正时导通（因为正电压吸引电子到沟道），而P沟道MOS管则是在栅极电压为负时导通（因为...www.kiaic.com/article/detail/5485.html 2025-02-11
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场效应管的静电击穿,mos管静电击穿原因-KIA MOS管
MOS管的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。www.kiaic.com/article/detail/5482.html 2025-02-10
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7a100v mos,SOT-89,5610场效应管,KNS5610A参数资料-KIA MOS管
KNS5610A场效应管漏极电流7A，漏源击穿电压100V，采用高单元密度的先进沟槽技术，具有优异的导通特性，RDS（ON）=98mΩ，低栅极电荷，减小开关损耗；出色的Cdv/dt效应设计，稳定可靠，符合RoHS和绿色产品要求；适用于通信设备、变换器、DC-DC、负载开关等，封装...www.kiaic.com/article/detail/5456.html 2025-02-08
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风机mos管,8a700v,08tb70场效应管,KIA08TB70DB参数-KIA MOS管
KIA08TB70DB是一款开关特性好、反向恢复时间短的快恢复二极管，具有超快的25纳秒恢复时间、175°C工作接点温度、低正向电压、低泄漏电流、高温玻璃钝化结、反向电压至700V，减少损耗提高工作效率；环氧树脂符合UL 94V-0@0.125英寸、提供无铅包装，环保可靠...www.kiaic.com/article/detail/5471.html 2025-01-23
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30v4.8a,3400mos,3400场效应管,KIA3400参数资料-KIA MOS管
KIA3400场效应管漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，高效稳定可靠；符合ROHS标准、绿色环保；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频信号处理等，封装形式：SO...www.kiaic.com/article/detail/5459.html 2025-01-17
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控制器mos,85a30v,TO252,KND3403B场效应管参数资料-KIA MOS管
KND3403B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，使用KIA的LVMosfet技术生产，经过改进的工艺和单元结构特别定制，性能出色；低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；具有低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt能力，高效稳定，广泛...www.kiaic.com/article/detail/5453.html 2025-01-15
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2301场效应管,mos2301贴片mos管,SOT23,KIA2301参数资料-KIA MOS管
KIA2301是一款高效稳定的P沟MOSFET，漏源击穿电压20V，漏极电流为2.8A；极低RDS（on）的高密度单元设计，最大限度地减少导通损耗，提高了整机的能效；无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。KIA2301场效应管具有可靠性和高性能，是小家电方案应用的优质元件。...www.kiaic.com/article/detail/5450.html 2025-01-14