|
|
|
结果: 找到相关主题 972 个
-
4703场效应管参数,保护板mos管,KPE4703A中文资料-KIA MOS管
KPE4703A场效应管漏源电压-30V，漏极电流-8A，导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，出色的RDS(ON)和低栅极电荷，有效降低电路中的开关损耗，提高整体效率；KPE4703A采用先进的高单元密度沟道技术，使得器件能够在尺寸较小的情况下提供卓越的性能，能够在锂电池保护板、智...www.kiaic.com/article/detail/5320.html 2024-11-15
-
mos管做二极管用,场效应管当二极管用-KIA MOS管
由MOS管的结构可以看出，其衬底B与漏极D整好构成一个PN结，这个PN是由于MOS结构天然而成的，如果将MOS管的各个端进行特殊的连接，就可以得到等效的二极管。www.kiaic.com/article/detail/5318.html 2024-11-15
-
pd电源mos管,9a900v场效应管,KNF4890A参数中文资料-KIA MOS管
KNF4890A场效应管采用专有新型平面技术，漏源电压900V，漏极电流9.0A，低导通电阻RDS（ON）=1.2Ω，低栅极电荷，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，广泛应用于pc电源pd电源、适配器充电器、SMPS电源、LCD面板电...www.kiaic.com/article/detail/5317.html 2024-11-14
-
40n20参数,充电器专用mos管,KIA40N20AP场效应管现货-KIA MOS管
无线充电器专用MOS管KIA40N20AP漏源击穿电压200V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(ON) =0.08Ω、低栅极电荷（典型值50nC），最小化开关损耗；具有快速切换能力、符合RoHS标准，稳定可靠，40n20场效应管?高效率低损耗，适用于DC-DC转换器、UPS、DC-AC转换器以及逆...www.kiaic.com/article/detail/5311.html 2024-11-12
-
电机控制专用mos管,3250场效应管,KCM3250A参数引脚图-KIA MOS管
KCM3250A场效应管漏源电压500V，漏极电流100A，导通电阻RDS（ON）26mΩ，采用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移降低性能；坚固的高压端接、指定雪崩能量，稳定可靠，以及高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，...www.kiaic.com/article/detail/5305.html 2024-11-08
-
转换器控制器mos管,500v场效应管,KCX3650A参数引脚图-KIA MOS管
KCX3650A场效应管漏源电压500V，漏极电流60A，导通电阻RDS（ON）50mΩ，采用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移降低性能；坚固的高压端接、指定雪崩能量，稳定可靠，以及高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，还...www.kiaic.com/article/detail/5299.html 2024-11-06
-
60r070,60R070场效应管,KIA60R070HS参数中文资料-KIA MOS管
KIA60R070HS场效应管采用先进技术特别定制，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，非常适合AC/DC功率转换开关模式操作或更高效率。60R070漏源电压600V，漏极电流47A，导通电阻RDS（ON）60mΩ，低栅极电荷（典型...www.kiaic.com/article/detail/5296.html 2024-11-05
-
65R300场效应管,650V15A,KIA65R300FS参数资料-KIA MOS管
KIA65R300FS场效应管漏源电压650V，漏极电流15A，导通电阻RDS（ON）0.27Ω，低栅极电荷（典型值43nC），高坚固性、快速切换确保电路高效稳定，100%雪崩测试、改进的dv/dt功能增强了可靠性及安全性；65R300采用了先进的超级结技术，最大限度地减少传导损耗，提高...www.kiaic.com/article/detail/5293.html 2024-11-04
-
储能电源场效应管,650vmos管,KIA65R190FS参数规格书-KIA MOS管
KIA65R190FS场效应管漏源电压650V，漏极电流20A，导通电阻RDS（ON）0.16Ω，低栅极电荷（典型值70nC），具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能增强了稳定性及安全性；65R190mos管专为高压、高速功率开关电源应用设计，采用了先进的超级结技术...www.kiaic.com/article/detail/5290.html 2024-11-04
-
储能电源mos管,650v场效应管,KIA12N65H参数引脚图-KIA MOS管
KIA12N65H场效应管漏源电压650V，漏极电流12A，导通电阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值52nC），最小化开关损耗，快速切换能力在电路中能够迅速响应信号变化，确保信号传输的准确性、雪崩能量规定和改进的dv/dt能力增强了稳定性及安全性；专为高...www.kiaic.com/article/detail/5287.html 2024-10-31
-
500v场效应管,储能电源逆变器mos管,KIA13N50H参数-KIA MOS管
KIA13N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，导通电阻RDS（ON）0.4Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；13N50场效应管专用于500W逆变器后级电路，以及电子镇流器、DC-AC电...www.kiaic.com/article/detail/5284.html 2024-10-30
-
16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数,中文资料-KIA MOS管
KIA16N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流16A，出色的导通电阻RDS（ON）0.32Ω；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；在储能电源中广泛应用，提供卓越的开关性能；还热销于高效开关电源、有...www.kiaic.com/article/detail/5281.html 2024-10-29
-
储能电源场效应管,600vmos管,KIA10N60H参数资料-KIA MOS管
储能电源场效应管KIA10N60H漏源电压600V，漏极电流9.5A，出色的导通电阻RDS（ON）0.6Ω；低栅极电荷（典型值44nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；KIA10N60H专为高压、高速功率开关应用设计，如高效开关电源、...www.kiaic.com/article/detail/5278.html 2024-10-28
-
锂电池保护板mos管,30v7.5a,KIA7P03A场效应管参数-KIA MOS管
锂电池保护板mos管KIA7P03A是一款高单元密度P沟道MOSFET，漏源电压-30V，漏极电流-7.5A，出色的导通电阻RDS（ON）18mΩ；具有超低的栅极电荷，最小化开关损耗，具有出色的Cdv/dt效应下降，绿色环保材料，稳定可靠；封装形式：SOP-8，适用于各种应用场景，高效低...www.kiaic.com/article/detail/5275.html 2024-10-25