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100v160a场效应管,电动车场效应管,KNB2710A参数资料-KIA MOS管
KNB2710A场效应管采用专有的新型沟槽技术，可以替代HY3610型号应用在锂电池保护板、电动车中；漏源击穿电压100V，漏极电流160A，RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V ，极低导通电阻RDS（On）能够减少导通损耗，低栅极电荷最小化开关损耗，快速恢复体二极管，确保产品...www.kiaic.com/article/detail/5224.html 2024-09-25
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irfp3206场效应管参数,KNP1906B代换,参数引脚图-KIA MOS管
KNP1906B场效应管可以替代irfp3206型号应用在?光伏逆变器、锂电池保护板中?，漏源击穿电压60V，漏极电流230A，RDS（开）在VGS=10V时为2.7mΩ，低RDS最大限度地减少导电损耗，提高整体效率；高雪崩电流，在高压工作下稳定可靠；采用无铅和绿色材料制造，符合环...www.kiaic.com/article/detail/5215.html 2024-09-25
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055n08n场效应管参数,KNX3208A代换,参数引脚图-KIA MOS管
KNX3208A场效应管可以代换055n08n型号应用于锂电池保护板、DCDC变换器、UPS、逆变器中；漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，电阻极低，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；采用专有新沟槽技术，具有低门电荷、快恢复体二极管...www.kiaic.com/article/detail/5218.html 2024-09-25
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场效应管参数对照表,场效应管参数查询-KIA MOS管
最大漏-源电压（VDSS）?：在栅源短接时，漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。?最大栅源电压（VGS）?：栅源两极间可以施加的最大电压，防止电压过高导致的栅氧化层损伤。www.kiaic.com/article/detail/5220.html 2024-09-25
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100v150a场效应管,控制器 保护板专用,KNB2810A参数引脚图-KIA MOS管
KNB2810A可以代换3210场效应管应用于电池保护板、电动车控制器、逆变器中，漏源击穿电压100V，漏极电流150A，RDS(ON)=5.0mΩ(typ.)@VGS=10V ，低导通电阻RDS（On）能够减少导通损耗，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，超高密度电池设计，100%雪崩测试，...www.kiaic.com/article/detail/5221.html 2024-09-25
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nce6080k参数,nce6080k代换,KND3306B场效应管,中文资料-KIA MOS管
KND3306B场效应管可以替代nce6080型号在无刷电机、锂电池保护板、逆变器领域应用，漏源击穿电压68V，漏极电流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低导通电阻、高雪崩电流，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；开关速度快、耐冲击特性好、提供无铅绿色设备，稳定...www.kiaic.com/article/detail/5212.html 2024-09-14
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150n04参数,150A 40V参数代换,KNX2804A场效应管保护板-KIA MOS管
KNX2804A场效应管采用专有新型沟槽技术，漏源击穿电压40V，漏极电流150A，RDS（ON）=3.0mΩ@VGS=10V，极低的导通电阻RDS，以及低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，实现高效的电路控制；KNX2804A可以替代150n04型号应用在锂电池保护板、DC/DC转换器、...www.kiaic.com/article/detail/5209.html 2024-09-13
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80n04场效应管参数,KND3404C代换,参数引脚图-KIA MOS管
KND3404C场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，可以替代80n04型号应用在锂电池保护板、同步降压转换器中；漏源击穿电压40V，漏极电流80A，低导通电阻RDS（ON）=5.0mΩ@VGS=10V，出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；还具有出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和...www.kiaic.com/article/detail/5206.html 2024-09-12
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irl8726参数,8726参数,100n03场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA100N03场效应管采用先进平面条纹DMOS技术生产，漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V，最小化通态电阻，提高效率，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲；增强的dv/dt能力、快速切换，绿色设备可用。KIA100N03可以替代irl8726型号应用在高...www.kiaic.com/article/detail/5203.html 2024-09-11
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nce3050k参数,KIA50N03A场效应管,30V 50A原厂现货-KIA MOS管
KIA50N03A场效应管采用先进的沟槽工艺技术，可以替代nce3050k型号应用在锂电池保护板、LED中，漏源击穿电压30V、漏极电流50A，RDS(ON)=6.5mΩ,VGS@10V,Ids@30A，RDS(ON)=9.5mΩ,VGS@4.5V,Ids@30A；超低导通电阻的高密度电池设计，完全表征雪崩电压和电流，有效...www.kiaic.com/article/detail/5200.html 2024-09-10
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3n80场效应管,KIA3N80H参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
KIA3N80H场效应管漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，在开启状态下静态电阻RDS为4.8Ω，具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保快速的响应速度；具有高坚固性，在各种情况下可靠工作；改进的dv/dt能力，有效降低开关时的干扰。KIA3N80H可以替代3n80型号应...www.kiaic.com/article/detail/5197.html 2024-09-09
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6n70参数及代换,6n70kl引脚参数,KIA6N70H场效应管-KIA MOS管
KIA6N70H场效应管可以替代6n70型号应用在高效开关电源、LED驱动、电机驱动中，漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，最大限度地减少导通电阻，低栅电荷（典型16NC），提供卓越的开关性能；具有高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、dv/dt...www.kiaic.com/article/detail/5194.html 2024-09-05
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10n65场效应管参数,KIA10N65H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KIA10N65H场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低导通电阻，低栅极电荷(典型48nC)，有效降低开关损耗，提升效率；具有快速交换功能、指定的雪崩能量以及改进的DV/DT功能，稳定可靠，提高开关响应速度，可以替代10n65型号应用在高...www.kiaic.com/article/detail/5191.html 2024-09-04
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7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
KNX4665B场效应管可以替代7n65型号应用在DCDC转换器、电源适配器、镇流器、LED驱动中，漏源击穿电压650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及良好的导电性能；RDS（ON）的典型值为1.1Ω，低导通电阻，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提升整体性能；符...www.kiaic.com/article/detail/5188.html 2024-09-03