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结型场效应管偏置方式,JFET偏置电路-KIA MOS管
在自偏置技术中，在源极引脚上添加了一个电阻器。源极电阻器 R2 上的电压降产生 V GS以偏置电压。在这种技术中，栅极电流再次为零。源电压由相同的欧姆定律决定 V = I x R。因此源电压 = 漏极电流 x 源电阻。现在，可以通过栅极电压和源极电压之间的差异来确定...www.kiaic.com/article/detail/5274.html 2024-10-25
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逆变器场效应管,500vmos管,KNF7650A参数,原厂现货-KIA MOS管
逆变器场效应管KNF7650A采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设备性能，提高系统效率；KNF7650A漏源电压500V，漏极电流25A，RDS（ON）为170mΩ；低栅极电荷最小化开关损耗，稳定可靠；是一款高效开关电源、调光器模块、逆变器专用MOS管；封装形...www.kiaic.com/article/detail/5272.html 2024-10-24
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逆变器mos管,500v15a,KNX6650A场效应管中文资料-KIA MOS管
KNX6650A场效应管采用专有平面新技术，漏源电压500V，漏极电流15A，为高压、高速功率开关应用而设计，RDS（ON）为0.33Ω；低栅电荷最小开关损耗、快速恢复体二极管，保证电源的稳定和可靠性；KNX6650A高压MOS管常用于逆变器，以及高效开关电源、有源功率因数校...www.kiaic.com/article/detail/5269.html 2024-10-23
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逆变器场效应管,500v13a,KNX6450A参数,原厂现货-KIA MOS管
KNX6450A场效应管专为高压、高速功率开关应用设计，在逆变器领域热销，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.40Ω；具备低栅极电荷，最小化开关损耗，稳定可靠；快速恢复体二极管，提供了更高效的性能表现；KNX6450A在高效开关电源、有源功率因数校正、镇流...www.kiaic.com/article/detail/5263.html 2024-10-21
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逆变器mos管,400v6a场效应管,KNP4540A参数资料-KIA MOS管
KNP4540A具有优异的性能和稳定性，是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS（ON）值为0.8Ω，低栅极电荷最小化开关损耗，快速恢复体二极管，符合RoHS标准，优质可靠；KNP4540A场效应管广泛应用于适配器、充电器、SMPS备用电源等，封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5260.html 2024-10-18
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130A 100V场效应管,KNX2910B中文资料,mos管原厂-KIA MOS管
KNX2910B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，提供优异的Rdson，RDS（ON）值为9mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；低栅极电荷，完全表征雪崩电压和电流，具有高EAS的良好稳定性和均匀性，性能稳定可靠；专用于电源...www.kiaic.com/article/detail/5251.html 2024-10-15
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100v130amos管,封装TO-220,KNP2910A场效应管参数-KIA MOS管
KNP2910A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，RDS（ON）值为5mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试，可靠坚固；无铅环保器件(符合RoHS标准)，绿色环保，专用于17串-21串保护板、同步整流、无...www.kiaic.com/article/detail/5248.html 2024-10-14
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保护板专用mos管,150A 80V,KNB2808A场效应管现货-KIA MOS管
KNB2808A是一款10串-16串保护板专用MOS管，漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试，可靠且坚固，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环保，在切换应用...www.kiaic.com/article/detail/5245.html 2024-10-12
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电机驱动mos管,KIA35P10AD场效应管参数,TO-252-KIA MOS管
KIA35P10AD场效应管采用先进的沟槽MOSFET技术，在电机控制和驱动、电池管理、UPS不间断电源中热销，漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ，RDS（ON）值为32mΩ，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；优秀的QgxRDS（on）产品（...www.kiaic.com/article/detail/5242.html 2024-10-12
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80v 80a代替,保护板mos管,KNB3308B场效应管参数-KIA MOS管
KNB3308B是一款10-16串保护板专用MOS管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ，低导通电阻最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，确保锂电池保护板的性能稳定可靠；此外，它还具有高雪崩电流，能够应对各种复杂的应用场景，采用无铅绿色设...www.kiaic.com/article/detail/5239.html 2024-10-10
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锂电池保护板,85v100aMOS管,KNB3208A场效应管参数-KIA MOS管
KNB3208A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用专有新沟槽技术，超低??电阻减少导电损耗，最小化开关损耗；低门电荷、快恢复体二极管提供卓越性能，稳定可靠；是10串-16串锂电池保护板专用MOS管；?封装形式：TO-263。www.kiaic.com/article/detail/5236.html 2024-10-09
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保护板mos管,knb3306b场效应管参数,68v80a中文资料-KIA MOS管
KNB3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，是一款7-10串保护板专用MOS管，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低导通电阻，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；开关速度快、耐冲击特性好、高雪崩电流、提供无铅绿色设备，性能稳定可靠，在无刷电机、逆变器、DC...www.kiaic.com/article/detail/5233.html 2024-09-30
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保护板专用mos管,40v100a,KND3204A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KND3204A场效应管采用专有新型沟槽技术，漏源电压40V，漏极电流100A，是锂电池保护板专用MOS管，RDS（ON），典型值=VGS=10V时为4mΩ（典型值），极低导通电阻减少导通损耗，低栅极电荷最小化开关损耗，快速恢复体二极管，提高稳定性和可靠性；封装形式：TO-252...www.kiaic.com/article/detail/5230.html 2024-09-27
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3502场效应管,20v70a场效应管,KND3502A参数,中文资料-KIA MOS管
KND3502A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流70A，RDS(on)=7mΩ(typ.) @ VDS=4.5V，?提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V，具有高功率和电流处理能力、无铅产品、表面贴装封装，性能稳定可靠；在蓄电池保护、负载开关、电源管...www.kiaic.com/article/detail/5227.html 2024-09-26