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tip42c参数与管脚图,tip42c参数及代换-KIA MOS管
TIP42C是PNP功率晶体管，采用TO-220塑料封装，材料是SI-NPN，该器件适用于音频，功率线性和开关应用。与TIP42C互补的PNP类型为TIP41C中功率三极管，其广泛用于信号放大及音频功放用晶体管。www.kiaic.com/article/detail/5758.html 2025-06-30
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ao3400参数,30v5.8a mos管,KIA3400参数代换-KIA MOS管
ao3400场效应管代换型号?KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、绿色环保，稳定可靠；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频信...www.kiaic.com/article/detail/5746.html 2025-06-24
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40n120参数及代换,光伏逆变器场效应管,KGM40N120AI-KIA MOS管
40n120场效应管漏源电压1200V，漏极电流40A，具备高频、高温、高压特性，低VCE（sat），降低开关损耗；快速切换、高坚固性确保电路高效稳定；KGM40N120AI专为太阳能光伏逆变器、UPS电源、储能电源等应用设计，适合用于需要低功耗和高稳定性的电路中；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5308.html 2025-05-13
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60nf06参数代换,逆变器mos管,KND3306B场效应管资料-KIA MOS管
60nf06代换型号KND3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，能够减少导电损耗，最小化开关损耗；具备高雪崩电流、开关速度快、耐冲击特性好，坚固可靠；提供环保无铅绿色设备，在电机控制、锂电池保护板、逆变器中高效稳定...www.kiaic.com/article/detail/5329.html 2025-05-13
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21n50参数及代换,大功率mos管,KIA20N50HF参数资料-KIA MOS管
21n50场效应管代换型号KIA20N50HF漏源击穿电压500V，漏极电流20A，低导通电阻RDS(on)0.21Ω，低栅极电荷（典型值为70nC），减少导电损耗，最小化开关损耗；具备快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，稳定可靠；高效率低损耗，专为高压、高速功率开关应...www.kiaic.com/article/detail/5332.html 2025-05-13
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3n150场效应管参数,3a1500v,KNL42150A代换mos资料-KIA MOS管
3n150场效应管代换型号KNL42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，导通电阻RDS(on)=5.5Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高开关频率、低驱动电流，高可靠性，适用于高速转换、高速开关应用场景?，在变频器电源和逆变器、适配器、充电...www.kiaic.com/article/detail/5424.html 2025-05-13
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20n50参数及代换,20a500vmos管,KNH7150A参数引脚图-KIA MOS管
KNH7150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有新平面技术，?低导通电阻RDS(开启) 0.24，最小化开关损耗；具有低栅极电荷?、快恢复体二极管，高效低耗、稳定可靠，是一款性能出色的器件，7150场效应管在适配器充电器、开关电源、液晶面板电源应用...www.kiaic.com/article/detail/5660.html 2025-05-09
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逆变器mos管,1404场效应管代换,KNP2404A参数资料-KIA MOS管
1404场效应管代换型号KNP2404A漏源击穿电压40V，漏极电流190A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，高效率低损耗；高雪崩电流，提供无铅和绿色设备，确保性能稳定可靠；广泛应用于电源、DC-DC转换器等领域；封装形式：TO-...www.kiaic.com/article/detail/5588.html 2025-04-14
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3404场效应管,80a40vmos,hy1804代换,KND3404B参数-KIA MOS管
hy1804场效应管代换型号KND3404B漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽工艺技术，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，具有优越的开关性能和很高的雪崩耐量，高效稳定；优秀的QgxRDS（on）产品（FOM），符合JEDEC标准，热销于锂电...www.kiaic.com/article/detail/5387.html 2024-12-17
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ao3407参数,ao3407场效应管参数,KIA3407代换资料-KIA MOS管
ao3407场效应管代换型号KIA3407漏源击穿电压-30V, 漏极电流-4.1A ，采用先进的沟槽技术，超低导通电阻RDS（导通）和低栅极电荷，能够最大限度地减少导通损耗，提高效率；产品无铅绿色环保（符合ROHS和Sony259规范）；适用于负载开关或PWM应用，性能出色稳定；封...www.kiaic.com/article/detail/5372.html 2024-12-10
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01t13场效应管参数,72V控制器mos管,KIA2910N代换-KIA MOS管
NCEP01T13场效应管代换型号KIA2910A漏源击穿电压100V，漏极电流130A，采用超高密电池设计，低导通电阻RDS(ON) 6 mΩ，优秀的高频开关性能，导通和开关功率损耗最小化；100%雪崩测试，稳定可靠；无铅绿色环保（符合RoHS标准）；适用于高速开关、锂电池保护板、控...www.kiaic.com/article/detail/5366.html 2024-12-06
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032n08场效应管参数,032n08代换,KIA2808A参数资料-KIA MOS管
032n08场效应管代换型号KIA2808A漏源击穿电压80V，漏极电流150A，VGS=10V时，低导通电阻RDS(ON)4mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；100%雪崩测试，稳定可靠；无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环保；在锂电池保护板、控制器、逆变器中广泛应用。...www.kiaic.com/article/detail/5363.html 2024-12-05
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ao3402场效应管参数,30v4a mos管,KIA3402代换-KIA MOS管
ao3402场效应管代换型号KIA3402场效应管漏源电压30V，漏极电流4A，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（on）、低栅电荷和栅电压低至2.5V，最大限度地减少导电损耗；3402是一款可靠性高、性能稳定的场效应管,具有低电压放大和开关特性，适用于负载开关、PWM应用...www.kiaic.com/article/detail/5354.html 2024-12-02
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ao3401参数,KIA3401场效应管代换,引脚图中文资料-KIA MOS管
ao3401场效应管代换型号KIA3401场效应管漏源电压：-30V，漏极电流：-4A，栅源电压：±12V，脉冲漏极电流：-25A；3401采用先进的沟槽技术，低导通电阻RDS(ON)60mΩ，低栅极电荷工作电压低至2.5V，最大限度地减少导电损耗；产品无铅绿色环保，具有低电压放大...www.kiaic.com/article/detail/5348.html 2024-11-28