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100n08参数代换,KNP2908B场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KNP2908B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压80V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON）=5.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，低RDS（ON）的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高，非常适合应用于电源切换应用、硬开关和高频电路、...www.kiaic.com/article/detail/5074.html 2024-07-10
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80n10场效应管参数代换,KCX3310A参数引脚图,原厂批发-KIA MOS管
KCX3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，极低的开关损耗，具有低RDS（开启）和FOM、卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。封...www.kiaic.com/article/detail/5072.html 2024-07-09
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dcdcmos管选型,40n20场效应管参数,代换,KIA40N20A-KIA MOS管
KIA40N20A漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具有快速切换、低电阻、低栅极电荷特性，符合RoHS，高效率低损耗、稳定可靠，适用于DC-DC转换器、UPS DC-AC转换器、开关电源和电机控制，还可以用于逆变电路、安防、拉杆音箱、无线...www.kiaic.com/article/detail/5069.html 2024-07-08
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fhp100n07参数代换,KNP2906B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KNP2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，其RDS（开）典型值为4.6mΩ@VGS=10V，低栅极电荷（典型值为148nC），具有高坚固性和100％的雪崩测试，稳定可靠；还具有改进的dv/dt能力，适用于同步整流、锂电池保护板和逆变器等多种应用场景，能够有效减小功...www.kiaic.com/article/detail/5060.html 2024-07-03
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车载逆变器mos管专用,KNH9120A场效应管,cs50n20参数代换-KIA MOS管
KNH9120A场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，提高效率。封装形式：TO-3P，便于散热。KNH9120A能够代换...www.kiaic.com/article/detail/5054.html 2024-07-01
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仪器仪表专用,fqpf4n90c参数代换,KNF4390A场效应管-KIA MOS管
KNF4390A采用专有新型平面技术，漏源击穿电压900V，漏极电流4A，能够承受高达900伏特的电压，适用于需要高耐压的应用场景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，提高效率...www.kiaic.com/article/detail/5051.html 2024-06-28
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28n50场效应管参数,引脚图,20N50代换,24N50代换-KIA MOS管
漏源电压：500V漏极电流：28A漏源通态电阻(RDS(on))：0.16Ω栅源电压：±30Vwww.kiaic.com/article/detail/5045.html 2024-06-26
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28n50场效应管参数,20N50,24N50场效应管代换-KIA MOS管
KIA28N50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低栅极电荷、低Crss，最小化开关损耗，以及100%雪崩Aested、提高dv/dt能力、符合RoHS，良好的开关特性能够在车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等应用中表现...www.kiaic.com/article/detail/4547.html 2024-06-26
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无线充MOS管,ncep15t14参数代换,2915场效应管-KIA MOS管
无线充专用MOS管KNB2915A采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压150V，漏极电流130A，RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V，具有极低导通电阻RDS（on）和优秀的Qg x RDS（ON）产品（FOM），符合JEDEC标准，能够匹配ncep15t14参数代换使用，KNB2915A封装形式：TO-263，...www.kiaic.com/article/detail/5039.html 2024-06-24
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锂电池保护板mos管,042N10参数场效应管代换,KCB3010A资料-KIA MOS管
KCB3010A是采用先进SGT技术的N沟道增强型功率MOSFET，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能和增强雪崩能量，漏源击穿电压100V，漏极电流120A，低导通电阻（典型值）RDS（导通）=4.0mΩ；具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高等出色性能...www.kiaic.com/article/detail/5033.html 2024-06-20
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3414参数,3414场效应管参数,3414场效应管代换-KIA MOS管
KIA3414采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流4.2A，提供出色的RDS（on），低栅极电荷门极电压低至1.8V。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3414无铅（符合ROHS和Sony 259规范），是一款高性能的绿色产品。3414场效应管具有出色的封装，封装...www.kiaic.com/article/detail/4943.html 2024-05-09
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30n03场效应管参数,30n03场效应管代换,30n03参数-KIA MOS管
KIA30N03B场效应管具备出色的性能参数，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，具有超低的栅极电荷，RDS（开）参数为15m? @ VDS=30V，较低的导通电阻，有效减少能量损耗，出色的Cdv/dt效应下降，能够有效应对瞬态电压的变化，保障系统...www.kiaic.com/article/detail/4916.html 2024-04-24
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30n06参数代换,30n06场效应管参数,30n06引脚图中文资料-KIA MOS管
KIA30N06B场效应管是一款先进高密度沟槽技术的电子元件，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，具有出色的性能指标，?在VDS为60V时，其RDS(on)仅为25mΩ，表现出超低的电阻特性、良好的Cdv/dt效应下降，为电路提供了更稳定的工作环境、100%的EAS保证具有更高的可靠性...www.kiaic.com/article/detail/4911.html 2024-04-22
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tip122参数引脚图,tip122参数及代换,KIA6410A中文资料-KIA MOS管
KIA6410A场效应管漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，同时还具备改进的dv/dt能力，确保快速切换的稳定性、以及100%的EAS保证让用户放心使用，而且作为绿色设备，符合环保要求；KIA6410A封装形式：TO-220、TO-252、...www.kiaic.com/article/detail/4884.html 2024-04-09