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3205场效应管参数,55v110a mos管代换,KNB3206A现货-KIA MOS管
IRF3205场效应管代换型号?KNB3206A漏源击穿电压60V，漏极电流110A，低导通电阻RDS(on)6.5mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，具备用于快速开关应用的低栅极电荷，优化的BVDSS能力，最小化开关损耗，提供卓越的开关性能；在锂电池保护板、电源、DC-DC转换器中广...www.kiaic.com/article/detail/5342.html 2024-11-26
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6080场效应管,80a60v mos管,KNX3406A参数代换资料-KIA MOS管
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低导通电阻RDS(on)6.5mΩ（典型值），能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，提供卓越的开关性能；高雪崩电流、无铅和绿色设备可用，稳定可靠；KNX3406A可以代换NCE6080场效应管在锂电池保护板、电源、...www.kiaic.com/article/detail/5339.html 2024-11-25
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ao3415,-20V-4A mos管,KIA3415代换ao3415参数资料-KIA MOS管
ao3415场效应管代换型号KIA3415漏源击穿电压-16V，漏极电流为-4A；采用先进的高密度单元设计沟槽技术，极低RDS导通、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作、无铅产品，高效坚固可靠；适用于负载开关或PWM应用，充电头、玩具、蓝牙、感应灯等产品领域；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5336.html 2024-11-22
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150N03场效应管,30v150a mos管,KNB2803B代换-KIA MOS管
150N03场效应管代换型号KNB2803B漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽加工技术，极低的导通电阻RDS(on)为2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试、无铅，符合RoHS标准，节能环保；快速切换、改进的重复雪崩额定值，在锂电池保护...www.kiaic.com/article/detail/5326.html 2024-11-19
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16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数,中文资料-KIA MOS管
KIA16N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流16A，出色的导通电阻RDS（ON）0.32Ω；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；在储能电源中广泛应用，提供卓越的开关性能；还热销于高效开关电源、有...www.kiaic.com/article/detail/5281.html 2024-10-29
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irfp3206场效应管参数,KNP1906B代换,参数引脚图-KIA MOS管
KNP1906B场效应管可以替代irfp3206型号应用在?光伏逆变器、锂电池保护板中?，漏源击穿电压60V，漏极电流230A，RDS（开）在VGS=10V时为2.7mΩ，低RDS最大限度地减少导电损耗，提高整体效率；高雪崩电流，在高压工作下稳定可靠；采用无铅和绿色材料制造，符合环...www.kiaic.com/article/detail/5215.html 2024-09-25
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055n08n场效应管参数,KNX3208A代换,参数引脚图-KIA MOS管
KNX3208A场效应管可以代换055n08n型号应用于锂电池保护板、DCDC变换器、UPS、逆变器中；漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，电阻极低，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；采用专有新沟槽技术，具有低门电荷、快恢复体二极管...www.kiaic.com/article/detail/5218.html 2024-09-25
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nce6080k参数,nce6080k代换,KND3306B场效应管,中文资料-KIA MOS管
KND3306B场效应管可以替代nce6080型号在无刷电机、锂电池保护板、逆变器领域应用，漏源击穿电压68V，漏极电流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低导通电阻、高雪崩电流，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；开关速度快、耐冲击特性好、提供无铅绿色设备，稳定...www.kiaic.com/article/detail/5212.html 2024-09-14
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150n04参数,150A 40V参数代换,KNX2804A场效应管保护板-KIA MOS管
KNX2804A场效应管采用专有新型沟槽技术，漏源击穿电压40V，漏极电流150A，RDS（ON）=3.0mΩ@VGS=10V，极低的导通电阻RDS，以及低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，实现高效的电路控制；KNX2804A可以替代150n04型号应用在锂电池保护板、DC/DC转换器、...www.kiaic.com/article/detail/5209.html 2024-09-13
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80n04场效应管参数,KND3404C代换,参数引脚图-KIA MOS管
KND3404C场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，可以替代80n04型号应用在锂电池保护板、同步降压转换器中；漏源击穿电压40V，漏极电流80A，低导通电阻RDS（ON）=5.0mΩ@VGS=10V，出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；还具有出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和...www.kiaic.com/article/detail/5206.html 2024-09-12
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irl8726参数,8726参数,100n03场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA100N03场效应管采用先进平面条纹DMOS技术生产，漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V，最小化通态电阻，提高效率，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲；增强的dv/dt能力、快速切换，绿色设备可用。KIA100N03可以替代irl8726型号应用在高...www.kiaic.com/article/detail/5203.html 2024-09-11
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6n70参数及代换,6n70kl引脚参数,KIA6N70H场效应管-KIA MOS管
KIA6N70H场效应管可以替代6n70型号应用在高效开关电源、LED驱动、电机驱动中，漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，最大限度地减少导通电阻，低栅电荷（典型16NC），提供卓越的开关性能；具有高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、dv/dt...www.kiaic.com/article/detail/5194.html 2024-09-05
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7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
KNX4665B场效应管可以替代7n65型号应用在DCDC转换器、电源适配器、镇流器、LED驱动中，漏源击穿电压650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及良好的导电性能；RDS（ON）的典型值为1.1Ω，低导通电阻，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提升整体性能；符...www.kiaic.com/article/detail/5188.html 2024-09-03
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4n65f参数及代换,KIA4365A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KIA4365A场效应管可以替代4n65型号应用在高频开关电源、LED驱动和不间断电源（UPS）中，漏源击穿电压为650V，漏极电流4A，RDS（ON）典型值为2.0Ω，低导通电阻，减少导通损耗；具有快速切换技术，有效降低损耗，提高电路效率，改进的dv/dt能力在电路切换时快速...www.kiaic.com/article/detail/5185.html 2024-09-02