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KPD8610A采用先进的高密度沟槽技术,可以代换nce01p30k参数-100V,-30A场效应管,KPD8610A漏源击穿电压-100V,漏极电流-35A,RDS(on)=32mΩ(typ)@VGS=10V,极低电阻RDS、超低栅电荷,降低功率损耗,提高系统效率,能够提供可靠而高效的电流开关功能,满足RoHS和...
www.kiaic.com/article/detail/5120.html 2024-08-01
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KIA23P10A是一款能够替代cmd5940的P沟道MOSFET,采用先进的高单元密度沟槽技术,性能优越;漏源击穿电压为-100V,漏极电流为-23A,低导通电阻RDS(ON)值为78mΩ(在VGS=10V时为典型值),能够有效降低功耗;100%EAS保证、超低栅极电荷和出色的Cdv/dt效应下降,...
www.kiaic.com/article/detail/5118.html 2024-07-31
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KIA75NF75场效应管采用先进的技术,漏源击穿电压80V,漏极电流80A,低Rds开启,RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,减少导电损耗、提升效率;无铅和绿色设备的特点,符合环保要求;高雪崩电流,在运行时承受更高的冲击负载,提供更稳定和可靠的性能;在电动车控制器、逆变器...
www.kiaic.com/article/detail/5115.html 2024-07-30
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KIA2808A是一款能够代换hy4008场效应管80V,200A参数的高性能功率器件,KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流150A,VGS=10V时,RDS(开启)=4.0m?(典型值),减小损耗提高效率;100%雪崩测试,可靠且坚固;无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准),高效环...
www.kiaic.com/article/detail/5114.html 2024-07-30
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KNX3308A场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流80A,低rds开启,RDS(ON)值为6.2mΩ,以减少导电损耗,具有高雪崩电流,能够在额定工作条件下稳定运行,确保电路的安全可靠性;采用无铅和绿色设计,符合环保要求,能够替代HY1906、SRP75NF75、FH80N08场效应管在电...
www.kiaic.com/article/detail/5112.html 2024-07-29
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KIA3407A场效应管采用先进的沟槽工艺技术,漏源击穿电压70V,漏极电流80A,RDS(ON)最大10.8mΩ(在VGS=10V时);通过超低导通电阻的高密度电池设计,确保运行高效稳定;?具有可靠、坚固耐用的特性,在控制器、逆变器、锂电池保护板中表现出色?。封装形式:TO...
www.kiaic.com/article/detail/5106.html 2024-07-25
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KIA2806A场效应管替代150N06B场效应管应用在逆变器、锂电池保护板、电源管理中,KIA2806A漏源击穿电压60V,漏极电流150A,低RDS(ON)=3.5 mΩ(典型值)@VGS=10V,减小损耗,提高效率;100%雪崩测试、提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准),稳定可靠;封装形式...
www.kiaic.com/article/detail/5100.html 2024-07-23
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KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流为80A,低电阻,在VGS=10V时,RDS(ON)=6.5m?(典型值),最大限度地减少导电损耗,提供卓越的开关性能;高雪崩、电流无铅和绿色设备可用,稳定可靠;在电源、DC-DC转换器中广泛应用,封装形式:DFN5*6、TO-252。
www.kiaic.com/article/detail/5097.html 2024-07-22
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KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET,漏源击穿电压60V,漏极电流为35A,超低栅极电荷,提供卓越的开关性能;100%EAS保证、出色的Cdv/dt效应、绿色设备可用,稳定可靠;KIA8606A能够代换ST意法半导体STD35P6LLF6,为LED车灯、同步降压转换器应用...
www.kiaic.com/article/detail/5094.html 2024-07-19
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KIA3506A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流为70A,VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V;具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试,减小损耗,稳定可靠;KIA3506A可以代换ST意法半导体STF140N6F7在电动车控制器、硬开关和高频电路、不间断电源中广泛应用。KIA3506A封...
www.kiaic.com/article/detail/5091.html 2024-07-18
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KIA30N06B场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术,漏源击穿电压60V,漏极电流25A,RDS(开启)=25m?@VDS=60V,具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应下降以及100%EAS保证、绿色设备可用,稳定可靠,能够在各种应用场景下发挥稳定的作用;KIA30N06B能够代换25n06...
www.kiaic.com/article/detail/5090.html 2024-07-18
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KIA2404A场效应管采用超高密度电池设计,漏源击穿电压40V,漏极电流190A;超低导通电阻RDS(开启)(TYP)=2.2m?@VGS=10 V,提高开关效率降低损耗;100%雪崩试验、无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准),稳定可靠,适合应用在光伏逆变、电鱼机、DC-DC转换器和离...
www.kiaic.com/article/detail/5087.html 2024-07-16
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KIA3204A场效应管采用超高密度电池设计,漏源击穿电压40V,漏极电流100A,超低导通电阻,RDS(开启)=3.8 mΩ@VGS=10V,减小损耗;100%雪崩测试、无铅和绿色器件可用(符合RoHS标准),可靠稳定;广泛应用于电机驱动器、交换机系统中,封装形式:TO-220、TO-25...
www.kiaic.com/article/detail/5081.html 2024-07-12
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电源专用mos管KIA2806A漏源击穿电压60V,漏极电流150A,低RDS(ON)=3.5 m?(典型值)@VGS=10V,减小损耗,提高效率;100%雪崩测试,可靠且坚固;提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准),高效质优;是切换应用程序、逆变器系统的电源管理、不间断电源的理想选择...
www.kiaic.com/article/detail/5075.html 2024-07-10