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4n65场效应管参数,4n65f参数及代换,KIA4N65H资料-KIA MOS管
KIA4N65H场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V，最大限度减少导通电阻；低栅极电荷，典型值为16nC，高坚固性、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，能够确保稳定性和可靠性，带来高效率和快速响应，...www.kiaic.com/article/detail/5178.html 2024-08-28
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76N60N参数代换,KCM3560A场效应管参数引脚图,76A 600V-KIA MOS管
KCM3560A场效应管可以替代76N60N使用，漏源击穿电压600V，漏极电流76A，RDS(on)typ.=36mΩ@VGS=10V；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，专为电源、转...www.kiaic.com/article/detail/5175.html 2024-08-27
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8n60场效应管参数代换,KIA8N60H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KIA8N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，RDS（开）值仅为0.98Ω，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现快速切换能力；具有快速开关时间、改进的dv/dt能力、高雪崩特性，高效稳定。KIA8N60H可以替代8N60型号在电源、LED驱动、PWM电机控制、...www.kiaic.com/article/detail/5169.html 2024-08-23
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18n50参数代换,中文资料,KIA18N50H大功率场效应管现货-KIA MOS管
KIA18N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流18A，专为高压、高速功率开关应用设计，如高效开关电源、有源功率因数校正；低导通电阻RDS（开启）=0.25?@VGS=10V；低栅极电荷（典型50nC），使开关损耗最小化，提高效率；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/...www.kiaic.com/article/detail/5160.html 2024-08-20
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8N50场效应管参数代换,KNF4850A参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
KNF4850A场效应管可以替代8N50型号应用在hid安定器、适配器、充电器、SMPS备用电源中；KNF4850A漏源电压500V，漏极电流9A，RDS(on)=0.7Ω(typ.)@VGS=10V，低栅极电荷使开关损耗最小化；快恢复体二极管、符合RoHS环保要求，稳定可靠；封装形式：TO-220F，散热性...www.kiaic.com/article/detail/5157.html 2024-08-19
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KIA730H中文资料PDF,kia730h代换irf730场效应管-KIA MOS管
KIA730H可以代换irf730场效应管应用在开关电源、逆变器、电机驱动器、开关转换器中。kia730h漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，具有较低的导通电阻，低栅极电荷（典型值为20nC），可最大限度地减少导通损耗；快速切换能力，改进的d...www.kiaic.com/article/detail/5151.html 2024-08-15
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驱动器专用mos管,KIA740H代换irf740场效应管参数资料-KIA MOS管
KIA740H是一款可以代换irf740的场效应管，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。KIA740H场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流10A，RDS（开启）=0.45?@VGS=10V，低导通电阻减少损耗；www.kiaic.com/article/detail/5148.html 2024-08-14
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led车灯mos管,12n06场效应管参数代换,KIA6035A中文资料-KIA MOS管
KIA6035A可以代换12n06场效应管应用在led车灯中，漏源击穿电压350V，漏极电流11A，RDS（ON）仅为0.38Ω，在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷，仅为15nC，有助于提高开关速度和效率，具有高坚固性和快速切换能力、指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，稳定可靠；封...www.kiaic.com/article/detail/5145.html 2024-08-13
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无刷控制器mos管,irfp260m参数代换,KNP9120A中文资料-KIA MOS管
KNP9120A场效应管采用专有新型平面技术，具有高效率、高可靠性和良好的热性能，能够代换irfp260m应用在无刷控制器、逆变器、光伏逆变中，KNP9120A漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（ON）=50mΩ（典型值）@VGS=10V，低导通电阻减少功率损耗和发热，低栅极电荷...www.kiaic.com/article/detail/5144.html 2024-08-13
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逆变器mos管,KIA6720N可代换IRF640参数,中文资料-KIA MOS管
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；低导通电阻、低栅极电荷使开关损耗最小化，符合RoHS，峰值电流与脉冲宽度曲线，高效稳定，广泛应用于逆变器、CRT、电视/监视器等领域。KIA6720N可以代换IRF640场效应管使用，封装形...www.kiaic.com/article/detail/5142.html 2024-08-12
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irf630,uf630参数代换,9A 200V场效应管,KIA4820N-KIA MOS管
KIA4820N场效应管采用专有的新型平面技术，性能出色，漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（开启）=260mΩ@VGS=10V，低栅极电荷可最大限度地减少开关损耗，快速恢复体二极管，稳定可靠，KIA4820N能够替代irf630、uf630场效应管应用在LED驱动、CRT、电视/显示器中...www.kiaic.com/article/detail/5139.html 2024-08-09
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mbr20150参数代换,20A 150V场效应管,KIA7115A中文资料-KIA MOS管
KIA7115A场效应管?漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS（开启）=77m?@VGS=10V，超低栅极电荷，降低开关损耗，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS和栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降、绿色设备可用，符合RoHs，100%EAS保证，稳定可靠，封装形式：TO-25...www.kiaic.com/article/detail/5136.html 2024-08-08
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STP14NF10场效应管代换,KIA6410A参数引脚图-KIA MOS管
KIA6410A场效应管采用沟槽DMOS技术，经过专门定制，漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，能够显著降低导通电阻，提供出色的开关性能；KIA6410A可替代STP14NF10在Led应用程序，网络系统和负载开关中应用。KIA6410A封...www.kiaic.com/article/detail/5127.html 2024-08-05
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12n10场效应管参数代换,防盗器专用mos管KIA6110A资料-KIA MOS管
KIA6110A采用先进的高单元密度沟槽技术，是性能出色的N沟道MOSFET，能够代换12n10参数100V，15A场效应管在防盗器、LED驱动、DC-DC电源、负载开关中应用；KIA6110A漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，提供出色的RDSON和栅极电荷，具有超低...www.kiaic.com/article/detail/5121.html 2024-08-01