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充电桩mosfet,1000v场效应管,KNF45100A参数引脚图-KIA MOS管
KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管、符合RoHS、高坚固性，稳定可靠；适用于备用电源，充电桩、适配器等...www.kiaic.com/article/detail/5702.html 2025-05-29
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电源管理mos管,60v150a,2706场效应管,KNB2706A参数-KIA MOS管
KNB2706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；快速开关切换，高效低耗；高坚固性、100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用；封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5699.html 2025-05-28
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pwm专用mos管,3903mos管,30v85a,KND3903A参数-KIA MOS管
pwm专用mos管KND3903A漏源击穿电压30V，漏极电流85A，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；低Crrs、快速切换，高效低耗；100%经雪崩测试、提升dv/dt性能，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用；封装形式：TO-...www.kiaic.com/article/detail/5696.html 2025-05-27
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dfn,MOS管DFN8封装图,封装尺寸-KIA MOS管
DFN封装是一种无引脚的封装形式，采用双边或方形扁平无铅封装，仅两侧有焊盘。DFN8表示焊盘数是8个，典型主体尺寸长度通常介于2-7mm，焊盘间距通常为0.5-0.95mm，特点是灵活性高，常用于集成电路芯片的封装。www.kiaic.com/article/detail/5694.html 2025-05-27
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充电器mos管,4406场效应管,12a30vmos管,KNE6303A参数-KIA MOS管
充电器mos管?KNE6303A漏源击穿电压30V，漏极电流12A，先进的沟槽加工技术，超低导通电阻的高密度电池设计，??导通电阻RDS(开启) 8mΩ，高效低耗；改进的dv/dt能力、?完全表征的雪崩电压和电流，稳定可靠；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于充电器、...www.kiaic.com/article/detail/5693.html 2025-05-26
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直流电机控制pmos,-100v pmos,KPD6610B场效应管参数-KIA MOS管
KPD6610B场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-15A，低导通电阻RDS(开启) 170mΩ；具有低噪声?，提高信号的保真度??、高阈值电压?，抗干扰能力强?、低功耗?，高效稳定；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于电源管理、直流电机控制等多种应用场景；...www.kiaic.com/article/detail/5690.html 2025-05-23
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电源场效应管,90a30vmos管,KND3303C参数引脚图-KIA MOS管
KND3303C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，极低导通电阻RDS(开启) 3.2mΩ，最小化开关损耗；低Crrs、快速开关，高效率低损耗；100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用场景，能够有效减小功率损耗和提高...www.kiaic.com/article/detail/5687.html 2025-05-22
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汽车空调控制器mos管,130a60v,KNB2906B场效应管参数-KIA MOS管
汽车空调控制器mos管?KNB2906B漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，最小化开关损耗，高效低耗；?具有快速开关、低导通电阻、低栅极电荷和特别优异的雪崩特性，性能优越；?100％的雪崩测试、改进的dv/dt能力，?稳定可靠适用于同步...www.kiaic.com/article/detail/5684.html 2025-05-21
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10a650v场效应管,65t540 650V,KNF6165C参数引脚图-KIA MOS管
开关电源专用MOS管KNF6165C漏源击穿电压6500V，漏极电流10A；低导通电阻RDS（导通）0.8Ω，最小化开关损耗，快速切换，开关性能优越；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试?，高效稳定可靠；专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源...www.kiaic.com/article/detail/5681.html 2025-05-20
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三电平电路拓扑,电路原理图分享-KIA MOS管
三电平拓扑结构是电力电子中常用的一种拓扑设计，用于提高功率变换器的效率和降低谐波失真，在光伏、储能、UPS、APF等领域有广泛应用。三电平变换器在传统的两电平变换器基础上增加了一个中间电平，从而有效地减小了输出波形的谐波含量，并降低了开关损耗。www.kiaic.com/article/detail/5680.html 2025-05-20
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光伏逆变器和储能逆变器的区别-KIA MOS管
逆变电路首先将直流电流转变为交流电流，然后通过滤波电路过滤掉不必要的信息，最后输出稳定的交流电。光伏逆变器通过振荡电路将直流电转变为交流电，线圈升压将不规则的交流电流转为方波交流电流，整流器再将方波交流电流转变为正弦波交流电流。www.kiaic.com/article/detail/5679.html 2025-05-20
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ups不间断电源,90a100v,3310mos管,KCY3310A参数资料-KIA MOS管
KCY3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，极低的开关损耗，低RDS（开启）和FOM，最小化导通电阻，开关性能优越；?卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适用于电源切换应用、硬开关...www.kiaic.com/article/detail/5678.html 2025-05-19
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推挽式变换器工作原理,推挽式变换电路-KIA MOS管
当控制信号UA为高电平时，开关管VT1导通，输入电压施加到变压器初级绕组Np1，形成初级电流Ip1。此时次级绕组Ns2感应出电压，使二极管 VD2导通，电流经滤波电感L向负载供电。www.kiaic.com/article/detail/5677.html 2025-05-19
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电容啸叫解决,电路MLCC电容啸叫原因-KIA MOS管
啸叫主要发生在MLCC和感性器件，在一些包含音频功能的产品如手机、运动相机中，啸叫会严重干扰产品的音频性能。一般而言，具备如下特征的电容和电路设计更容易产生啸叫：电容器尺寸大、静电容量大、线电压和电压变动（电流变动）大、同一条线上安装了多个符合上...www.kiaic.com/article/detail/5676.html 2025-05-19