返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5111 个

  • pfc电路图及其原理,典型PFC电路-KIA MOS管

    PFC电路是对输入电流的波形进行控制，使其与输入电压波形同步，提高功率因数，减少谐波含量，是能够解决因容性负载导致电流波形严重畸变而产生的电磁干扰(EMl)和电磁兼容(EMC)问题。功率因数是指有功功率与视在功率（总耗电量）的比值。当功率因数越大，电力利...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5505.html         2025-02-20

  • 3404mos管,3404场效应管,80a40v,KND3404C参数资料-KIA MOS管

    KND3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；以及出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要求、100%EAS保证，稳定可...

    0 次查看 3404场效应管 3404mos管

    www.kiaic.com/article/detail/5504.html         2025-02-19

  • mos管的工作原理浅显易懂,图文分享-KIA MOS管

    当栅-源电压VGS=O时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。

    0 次查看 图文分享-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5503.html         2025-02-19

  • 电流磁效应是什么,电流磁效应和电磁感应的区别-KIA MOS管

    ?电流的磁效应?：只需要导线中有电流通过，就会产生磁场。磁场的方向与电流的方向有关，可以通过安培定则（右手螺旋定则）来判断。?电磁感应?：产生电磁感应现象的条件有两点，缺一不可：一是电路必须是闭合的；二是穿过闭合电路的磁通量必须发生变化。

    1 次查看 电流磁效应是什么

    www.kiaic.com/article/detail/5502.html         2025-02-19

  • 68v80a控制器,3306场效应管,KNB3306B参数引脚图-KIA MOS管

    锂电池保护板专用MOS管KNB3306B漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；3306场效应管开关速度快、耐冲击特性好、高雪崩电流，高效稳定；无铅绿色设备，环保可靠，在无刷电机、逆变器、控制器...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5501.html         2025-02-18

  • gidl效应,栅极诱导漏极泄露电流原因及解决-KIA MOS管

    在亚阈值区，当漏端电压较大时，靠近栅极的漏端处会形成一个小的耗尽区。在此区域内，电场作用下会产生陷阱辅助的载流子，从而引发栅诱导的漏极泄露电流。当电场足够大时，甚至可以直接发生带间隧穿（T-BTBT）。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5500.html         2025-02-18

  • 防反接保护电路,防反接电路原理图分享-KIA MOS管

    当输入电源大于MOS管VGS最大电压，应增加D7稳压管防止电源电压过高击穿mos管。当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管接通，后续因为Vgs大于VGS门限电压，MOS管导通。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5499.html         2025-02-18

  • mos管选型注重的参数,mos管主要参数-KIA MOS管

    确定电路中可能出现的最大电压。MOS管的VDSS应大于电路中的最大电压，一般要留出一定的余量，通常为电路最大电压的1.5倍至 2倍，以确保在任何情况下MOS管都不会被击穿。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5497.html         2025-02-17

  • mosfet和igbt的优缺点,mosfet和igbt区别-KIA MOS管

    MOSFET高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5496.html         2025-02-17

  • ​3.5a30v,SOT-23,2306场效应管,KIA2306mos管参数-KIA MOS管

    2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；高密度单元设计，极低的导通电阻RDS(开启)，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；?2306mos管具有低导通电阻、高开关速度、低漏电流、良好的温度稳定性；非常适合应用于LED感应灯、玩具、蓝牙音箱等；小型封装：S...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5495.html         2025-02-14

  • 场效应管逆变器,场效应管制作逆变器电路图-KIA MOS管

    VT1和VT2构成多谐振荡器，振荡频率为5Hz。当电压下降时，为使频率不变，振荡器由稳压管VD1稳压后供电。多谐振荡器输出输出的方波电压，直接推动VMOS大功率管，经变压器升压后的220V交流电从插座CZ引出。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5494.html         2025-02-14

  • 模拟开关电路分享,经典模拟电路图-KIA MOS管

    当u2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载RL是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2截止，负载RL上的电流仍是自上而下流过负载，...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5493.html         2025-02-14

  • 80a80vmos管,3308参数引脚图,KND3308A场效应管-KIA MOS管

    KND3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，广泛应用在电动车控制器、逆变器、BMS保...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5492.html         2025-02-13

  • 开关变压器损耗,开关变压器损耗计算-KIA MOS管

    铜损主要是由于变压器线圈的电阻引起的，包括直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。直流电阻损耗由绕组导线的电阻与流过的电流有效值的平方决定，而集肤效应是由于在强交流电磁场作用下，导线中心的电流被“面向”表面流动，导致电阻增加。

    1 次查看 开关变压器损耗 开关变压器损耗计算-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5491.html         2025-02-13

141516171819
Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号