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3404场效应管,3404mos管,80a40v,KND3404D参数引脚图-KIA MOS管
KND3404D场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽工艺技术，极低的导通电阻RDS(开启) 4.4mΩ，最大限度地减少导电损耗；低Crss、快速切换，高效稳定；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，坚固可靠；热销于PWM应用程序、电源管理、负载开关，封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5477.html 2025-05-13
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pwm mos管,150a30v,KNY2803S场效应管参数资料-KIA MOS管
KNY2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启) 1.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，坚固可靠；适用于PWM应用程序、电源管...www.kiaic.com/article/detail/5480.html 2025-05-13
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保护板mos,to-252 150a30v,KND2803S场效应管参数-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KND2803S漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启)2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，坚固可靠；适用于PWM应用...www.kiaic.com/article/detail/5483.html 2025-05-13
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led mos,130a150v场效应管,KNP2915A参数引脚图-KIA MOS管
LED电源专用MOS管KNP2915A漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ；卓越的低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；符合JEDEC标准，稳定可靠；适用于电机控制和驱动、电池管理、UPS（不间断电源...www.kiaic.com/article/detail/5498.html 2025-05-13
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2908mos管,2908场效应管,80v130a,KNH2908B参数资料-KIA MOS管
KNH2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，低RDS（ON）的高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低栅极电荷、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高；性能优越，确保应用高效稳定，适...www.kiaic.com/article/detail/5507.html 2025-05-13
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bms专用mos,2803mos管,30v150a,KNB2803S场效应管参数-KIA MOS管
KNB2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、开关速度快；确保应用系统的高效性、可靠性和安全性；2803mos管?适用于逆变器、BM...www.kiaic.com/article/detail/5513.html 2025-05-13
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电机控制器mos,80a40v mos,KNG3404D场效应管-KIA MOS管
电机控制器mos管KNG3404D漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术，具有良好的稳定性及抗冲击能力；极低导通电阻RDS(开启) 4.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；具有低Crss、改进的dv/dt能力，实现快速切换；经过100%雪崩测试，坚固...www.kiaic.com/article/detail/5516.html 2025-05-13
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5n50mos管,500v5a,KIA5N50SY场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管
KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.35Ω，最大限度地减少导电损耗，高效低耗?；坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的恢复时间可与分立快速恢复二极管相媲美，低电荷、低反向传输电容，?开关速度快；?...www.kiaic.com/article/detail/5519.html 2025-05-13
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升压器电路12v升220v电路图分享-KIA MOS管
由MOS场效应管和普通电源变压器构成的逆变器。其输出功率的大小，主要受到MOS场效应管和电源变压器功率的影响。通过合理选择这些元件，可以实现所需的升压效果。www.kiaic.com/article/detail/5665.html 2025-05-13
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主板复位电路图,工作原理详解-KIA MOS管
假设主板已经通电运行，当按下复位键时，就会产生一个跳变的触发信号，此信号经过A点进入74HC14门电路芯片，经过两次反相后（信号波形不变，只是进行电平转换），经过B点进入南桥芯片。南桥芯片收到跳变信号后，本身先复位，同时其内部的复位电路从c点输出一个...www.kiaic.com/article/detail/5664.html 2025-05-13
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3203场效应管,30v pmos,dfn56,KPY3203D参数引脚图-KIA MOS管
KPY3203D场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-100A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(on)=3.5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降、绿色设备可用，符合环保要求；具有高输入电阻、低...www.kiaic.com/article/detail/5663.html 2025-05-12
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步进电机驱动器接线图,接线方法-KIA MOS管
将步进电机驱动器的脉冲输入信号和方向输入信号的正极与表控的5V端子相连。将脉冲输入信号的负端与表控的Y1输出端子相接。将方向输入信号的负端与表控的Y2输出端子相连。www.kiaic.com/article/detail/5662.html 2025-05-12
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前级功放和后级功放的区别详解-KIA MOS管
前级功放：前级功放一般功率较小，因为其主要任务是初步放大信号和调整音质，而不是直接驱动扬声器。后级功放：后级功放的功率通常较大，几十瓦甚至几百瓦不等，以满足扬声器对大功率信号的需求。www.kiaic.com/article/detail/5661.html 2025-05-12
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20n50参数及代换,20a500vmos管,KNH7150A参数引脚图-KIA MOS管
KNH7150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有新平面技术，?低导通电阻RDS(开启) 0.24，最小化开关损耗；具有低栅极电荷?、快恢复体二极管，高效低耗、稳定可靠，是一款性能出色的器件，7150场效应管在适配器充电器、开关电源、液晶面板电源应用...www.kiaic.com/article/detail/5660.html 2025-05-09