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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5699 个

  • 升压斩波电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    升压斩波电路是一种将输入直流电压提升至更高直流输出电压的非隔离型DC-DC变换器。升压斩波电路通过功率开关管（如MOSFET）、续流二极管、储能电感和输出滤波电容协同工作，利用电感的储能与释放特性实现升压。

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    www.kiaic.com/article/detail/6250.html         2026-03-10

  • 3306mos,3306场效应管,原厂特价,60v80a,​KNB3306C现货-KIA MOS管

    原厂现货特价场效应管KNB3306C漏源电压68V，漏极电流80A，极低电阻RDS（ON）为6.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；具有低Crss、快速切换特性，提供卓越的开关性能；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；适用于PWM应用程序、电源管理、负载开...

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    www.kiaic.com/article/detail/6249.html         2026-03-09

  • 降压斩波电路原理详解,电路图分享-KIA MOS管

    降压斩波电路（Buck变换器）是直流斩波电路的一种，功能是将直流电变为另一种固定的或可调的直流电。工作原理是利用半导体开关器件（如MOSFET)的周期性通断，将恒定的直流输入电压“斩”成一系列脉冲，再通过电感、电容等滤波元件平滑后，得到低于输入电压的平...

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    www.kiaic.com/article/detail/6248.html         2026-03-09

  • ​三相全桥整流电路,工作原理详解-KIA MOS管

    三相全控桥式整流电路通过六个晶闸管的交替导通，将三相交流电转换为可控直流电。电路分为共阴极组（VT1、VT3、VT5）和共阳极组（VT4、VT6、VT2），每组各有一个晶闸管同时导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/6247.html         2026-03-09

  • 35P10mos,35P10场效应管,100v35a mos现货特价-KIA MOS管

    原厂特价现货KIA35P10AD场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用KIA先进的沟槽技术制造，提供卓越的开关性能；低导通电阻RDS(开启) 32mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；开关速度快、内阻低、?符合JEDEC标准，稳定可靠，广泛应用于电...

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    www.kiaic.com/article/detail/6246.html         2026-03-06

  • 精密整流电路详解,精密全波整流电路图-KIA MOS管

    正半周信号处理（输入电压>0）1.信号通路2.输入正电压时，第一级运放通过负反馈形成电压跟随器，此时同相端与反相端电位相等（虚短）。

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    www.kiaic.com/article/detail/6245.html         2026-03-06

  • 单相全波整流电路,电路图原理详解-KIA MOS管

    利用具有中心抽头的变压器与两个整流二极管配合，使VD1和VD2在交流电的正半周和负半周内轮流导通，而且二者流过Rl的电流保持同一方向，从而使正、负半周在负载上均有输出电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/6244.html         2026-03-06

  • 2803mos管特价,​2803场效应管批发,KND2803S现货促销-KIA MOS管

    原厂现货特价型号KND2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启)2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，稳定可靠；开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，性能高效；...

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    www.kiaic.com/article/detail/6243.html         2026-03-05

  • 全波整流和桥式整流的区别,整流电路图-KIA MOS管

    （1）桥式整流电路变压器副边不要中心抽头，但是多用2只整流二极管;（2）全波整流电路少用2只整流二极管，但是变压器副边要中心抽头;

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    www.kiaic.com/article/detail/6242.html         2026-03-05

  • 5v过压保护电路,电路图原理详解-KIA MOS管

    当VIN输入电压小于5.1V时的情况，假定输入5V，稳压管导通电压为5.1V，所以稳压管D1不导通，因此三极管Q2就不会导通，接着MOS管Q1的栅极就会被R3拉到OV,P-MOS,Vgs=-5V,p-MOS管导通，此时Vout会正常输出5V.

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    www.kiaic.com/article/detail/6241.html         2026-03-05

  • 原厂特价3508场效应管,80v70a,to252,​KND3508A现货-KIA MOS管

    原厂现货特价型号KND3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，极低导通电阻RDS(开启) 7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；具有优越的开关性能，低功耗、开关速度快，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，100%雪崩测试，稳定可靠；符合RoHS标准，...

    2 次查看 TO252 原厂特价3508场效应管 80v70a

    www.kiaic.com/article/detail/6240.html         2026-03-04

  • 阻容降压电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    阻容降压电路是使用电阻电容来降压的电路，应用于交流转直流的场合。电路原理是利用电容在一定频率的交流信号下产生的容抗来限制最大工作电流的电路，但是使用中会在降压电容上并联一个泄流电阻， 所以一般就称之为阻容降压电路，而不是电容降压电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/6239.html         2026-03-04

  • 什么是反向击穿?PN结的反向击穿-KIA MOS管

    半导体PN结（如二极管）在施加反向电压时，当电压增大到某一临界值（称为击穿电压），反向电流会突然急剧增大的现象。此时PN结失去单向导电性，从高阻态转为低阻态。

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    www.kiaic.com/article/detail/6238.html         2026-03-04

  • 2803场效应管现货特价,30v150a场效应管,KIA2803AB-KIA MOS管

    KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，低栅极电荷，降低导通损耗与开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、抗冲击、抗过载能力强，环保无铅，符合RoHS标准，品质...

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    www.kiaic.com/article/detail/6237.html         2026-03-03

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