返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5102 个

  • 2908mos管,2908场效应管,80v130a,KNH2908B参数资料-KIA MOS管

    KNH2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，低RDS（ON）的高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低栅极电荷、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高；性能优越，确保应用高效稳定，适...

    279 次查看 2908mos管 2908场效应管 80v130a

    www.kiaic.com/article/detail/5507.html         2025-05-13

  • bms专用mos,2803mos管,30v150a,KNB2803S场效应管参数-KIA MOS管

    KNB2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、开关速度快；确保应用系统的高效性、可靠性和安全性；2803mos管?适用于逆变器、BM...

    201 次查看 2803mos管 30v150a bms专用mos

    www.kiaic.com/article/detail/5513.html         2025-05-13

  • 电机控制器mos,80a40v mos,KNG3404D场效应管-KIA MOS管

    电机控制器mos管KNG3404D漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术，具有良好的稳定性及抗冲击能力；极低导通电阻RDS(开启) 4.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；具有低Crss、改进的dv/dt能力，实现快速切换；经过100%雪崩测试，坚固...

    195 次查看 电机控制器mos 80a40v mos

    www.kiaic.com/article/detail/5516.html         2025-05-13

  • 5n50mos管,500v5a,KIA5N50SY场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管

    KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.35Ω，最大限度地减少导电损耗，高效低耗?；坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的恢复时间可与分立快速恢复二极管相媲美，低电荷、低反向传输电容，?开关速度快；?...

    201 次查看 原厂现货-KIA MOS管 5n50mos管 500v5a KIA5N50SY场效应管参数

    www.kiaic.com/article/detail/5519.html         2025-05-13

  • 升压器电路12v升220v电路图分享-KIA MOS管

    由MOS场效应管和普通电源变压器构成的逆变器。其输出功率的大小，主要受到MOS场效应管和电源变压器功率的影响。通过合理选择这些元件，可以实现所需的升压效果。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5665.html         2025-05-13

  • 主板复位电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    假设主板已经通电运行，当按下复位键时，就会产生一个跳变的触发信号，此信号经过A点进入74HC14门电路芯片，经过两次反相后（信号波形不变，只是进行电平转换），经过B点进入南桥芯片。南桥芯片收到跳变信号后，本身先复位，同时其内部的复位电路从c点输出一个...

    0 次查看 工作原理详解-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5664.html         2025-05-13

  • 3203场效应管,30v pmos,dfn56,KPY3203D参数引脚图-KIA MOS管

    KPY3203D场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-100A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(on)=3.5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降、绿色设备可用，符合环保要求；具有高输入电阻、低...

    0 次查看 3203场效应管

    www.kiaic.com/article/detail/5663.html         2025-05-12

  • 步进电机驱动器接线图,接线方法-KIA MOS管

    将步进电机驱动器的脉冲输入信号和方向输入信号的正极与表控的5V端子相连。将脉冲输入信号的负端与表控的Y1输出端子相接。将方向输入信号的负端与表控的Y2输出端子相连。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5662.html         2025-05-12

  • 前级功放和后级功放的区别详解-KIA MOS管

    前级功放：前级功放一般功率较小，因为其主要任务是初步放大信号和调整音质，而不是直接驱动扬声器。后级功放：后级功放的功率通常较大，几十瓦甚至几百瓦不等，以满足扬声器对大功率信号的需求。

    1 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5661.html         2025-05-12

  • 20n50参数及代换,20a500vmos管,KNH7150A参数引脚图-KIA MOS管

    KNH7150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有新平面技术，?低导通电阻RDS(开启) 0.24，最小化开关损耗；具有低栅极电荷?、快恢复体二极管，高效低耗、稳定可靠，是一款性能出色的器件，7150场效应管在适配器充电器、开关电源、液晶面板电源应用...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5660.html         2025-05-09

  • 硬件设计电路,电路原理图分享-KIA MOS管

    运算放大器和反相放大器：通过简单的负反馈配置，实现信号的放大和倒相，广泛应用于信号处理和滤波。

    0 次查看 电路原理图分享-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5659.html         2025-05-09

  • 电路设计如何降低esd静电,解决方法分享-KIA MOS管

    正常工作时，假设引脚1的电压预计在0-3.3V之间，D1和D2不会干扰。假设高电平为3.3V，则D1反偏不导通，另一方面D2也是不导通的，因为阴极连接到VCC，引脚的高电平等于VCC。当引脚1中的电压为0时，D2反向偏置，D1无偏置。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5658.html         2025-05-09

  • 智能家居mos管,130a150v,KNB2915A场效应管参数资料-KIA MOS管

    KNB2915A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ，高效低耗；低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；符合JEDEC标准，稳定可靠；适用于电机控制和驱动、电池管理、UPS（不间断电源）等领域；封装...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5657.html         2025-05-08

  • 光伏逆变器原理,拓扑结构图分享-KIA MOS管

    光伏逆变器作为光伏发电最重要的设备，针对与不同功率与应用，采用电路拓扑结构较大差异。如用于组串式逆变器上DC/AC单向或者双向结构有NPC三电平结构，用于微型逆变器的多级全桥逆变器，根据是否存在直流目前也有多种架构。根据隔离的要求不同，分为工频隔离，...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5656.html         2025-05-08

234567
Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号