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50n06场效应管,60v50a,60vmos管,KIA50N06BD资料-KIA MOS管
KIA50N06BD场效应管漏源电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(ON)10.5mΩ；具有低Rds开启，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；高雪崩电流，能够承受较高的电压脉冲，提高可靠性，确保在应用中高效稳定；无铅绿色环保，适用于适配器、开关电源、UPS电源、车载...www.kiaic.com/article/detail/5357.html 2025-05-13
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ao4407a,ao4407参数,ao4407a引脚图功能-KIA MOS管
ao4407参数漏源电压（Vdss）?：30V?连续漏极电流（Id）?：12ARDS(ON) (at VGS =-10V)< 14m??栅源极阈值电压?：2.8V @ 250uA?最大功率耗散?：3.1Wwww.kiaic.com/article/detail/5388.html 2025-05-13
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保护板mos管,无刷电机mos,30v150a,KIA2803AB场效应管参数-KIA MOS管
KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极低导通电阻RDS(on)=2.2mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、无铅，符合RoHS标准，在锂电池保护板、...www.kiaic.com/article/detail/5390.html 2025-05-13
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AD30P30D3替代,-30v-100a,电机驱动pmos,KPY3203D参数-KIA MOS管
KPY3203D场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-100A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(on)=3.5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降，高效稳定，绿色设备可用，符合环保要求，专用于电...www.kiaic.com/article/detail/5400.html 2025-05-13
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电机驱动高压mos管,11a400v场效应管,KNF6140S参数-KIA MOS管
KNF6140S场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流11A，极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定可靠，提供卓越的开关性能；专为高压、高速功率开关应用而设计，...www.kiaic.com/article/detail/5406.html 2025-05-13
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3n150场效应管参数,3a1500v,KNL42150A代换mos资料-KIA MOS管
3n150场效应管代换型号KNL42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，导通电阻RDS(on)=5.5Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高开关频率、低驱动电流，高可靠性，适用于高速转换、高速开关应用场景?，在变频器电源和逆变器、适配器、充电...www.kiaic.com/article/detail/5424.html 2025-05-13
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音响功放mos管,500v13a,KNF6450B场效应管参数资料-KIA MOS管
音响功放专用场效应管KNF6450B漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω，低导通电阻，最大限度地减少导通损耗；具备快速切换特性，实现快速切换电源，高效率低损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，稳定可靠；适用于音响功放、适配...www.kiaic.com/article/detail/5462.html 2025-05-13
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85n06场效应管参数,bms mos,KND3306C参数资料-KIA MOS管
KND3306C漏源电压68V，漏极电流80A，极低电阻RDS（ON）为6.5mΩ，最大限度地减少导通损耗；低Crss、快速切换特性，实现快速切换电源，高效率低损耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，确保性能稳定可靠；适用于PWM应用程序、bms电池管理、负载开关中；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5465.html 2025-05-13
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电机mos管,2803场效应管,30v150a,KND2803A参数资料-KIA MOS管
KND2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻，RDS（ON）为2.2mΩ，最大限度地减少导通损耗；具有150°C的结工作温度、快速的开关速度、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，无铅，符合RoHS标准，稳定可靠；适用...www.kiaic.com/article/detail/5468.html 2025-05-13
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5n50场效应管参数,5A 500V MOS,KIA5N50SD中文资料-KIA MOS管
KIA5N50SD场效应管漏源电压500V，漏极电流5A，低导通电阻，RDS（ON）为1.38Ω，最大限度地减少导通损耗；具有坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的恢复时间可与分立快速恢复二极管相媲美、二极管的特点是用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（on...www.kiaic.com/article/detail/5474.html 2025-05-13
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3404场效应管,3404mos管,80a40v,KND3404D参数引脚图-KIA MOS管
KND3404D场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽工艺技术，极低的导通电阻RDS(开启) 4.4mΩ，最大限度地减少导电损耗；低Crss、快速切换，高效稳定；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，坚固可靠；热销于PWM应用程序、电源管理、负载开关，封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5477.html 2025-05-13
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pwm mos管,150a30v,KNY2803S场效应管参数资料-KIA MOS管
KNY2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启) 1.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，坚固可靠；适用于PWM应用程序、电源管...www.kiaic.com/article/detail/5480.html 2025-05-13
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保护板mos,to-252 150a30v,KND2803S场效应管参数-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KND2803S漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启)2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，坚固可靠；适用于PWM应用...www.kiaic.com/article/detail/5483.html 2025-05-13
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led mos,130a150v场效应管,KNP2915A参数引脚图-KIA MOS管
LED电源专用MOS管KNP2915A漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ；卓越的低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；符合JEDEC标准，稳定可靠；适用于电机控制和驱动、电池管理、UPS（不间断电源...www.kiaic.com/article/detail/5498.html 2025-05-13