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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5775 个

  • KIA4590A 900V6A N 沟道 MOSFET 低损耗不炸机

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    KIA4590A 是 900V6A N 沟道 MOS 管,典型导通电阻 1.6Ω,低发热高效率,快恢复体二极管,双封装可选,广泛用于适配器、充电器、SMPS 电源,工业级品质,现货充足,免费拿样。

    www.kiaic.com/article/detail/6390.html         2026-05-27

  • KCB2920K/KCP2920K/KCM2920K 200V/130A MOSFET

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    还在为 MOS 管发热大、高频损耗高发愁?KCB2920K 系列采用 SGT 沟槽工艺,Rds (on) 低至 9.8mΩ,200V/130A 规格,低栅极电荷,是高频开关电源、同步整流的理想选择。

    www.kiaic.com/article/detail/6389.html         2026-05-27

  • KNF7650A/KNH7650A 500V25A MOSFET

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    还在为 MOS 管发热大、效率低发愁?KNF7650A/KNH7650A 采用 170mΩ 超低内阻设计,500V/25A 规格,低损耗高效率,是开关电源、电机驱动的优选一、产品核心信息项目参数详情产品型号KNF7650A (TO-220F) /

    www.kiaic.com/article/detail/6388.html         2026-05-27

  • KNY2904A 40V130A N 沟道 MOSFET

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    KNY2904A 是 40V/130A 高性能 N 沟道 MOSFET,DFN5×6 封装,Rds (on) 低至 2.0mΩ,低损耗高效率,专为电源管理、快充、电机驱动设计,可直接替代 AO4403/SI4403,现货供应。

    www.kiaic.com/article/detail/6386.html         2026-05-27

  • KPE4403A2 双 P 沟道 MOSFET 30V/5A

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    KPE4403A2 双P沟道MOSFET,-30V耐压/-5A电流,SOP-8封装,典型Rds(on)=42mΩ,低栅极电荷、开关速度快,可直接替代AO4403/SI4403,适用于同步降压、电源管理,现货供应。

    www.kiaic.com/article/detail/6385.html         2026-05-27

  • KND3080B 30V80A N 沟道 MOSFET 低阻高效率

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    KND3080B N沟道MOSFET,30V耐压80A大电流,TO-252封装,典型Rds(on)仅4.1mΩ,低栅极电荷、开关速度快,可直接替代进口同规格型号,广泛用于电源管理、负载开关、PWM电路,现货供应,品质稳定

    www.kiaic.com/article/detail/6384.html         2026-05-27

  • KNX6165A 替代10N65 N沟道MOSFET直插

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    KNX6165A 650V/10A N 沟道 MOSFET,TO-220/TO-220F 封装,Rds (on) 仅 0.7Ω,解决高压电源易烧管、发热大、效率低等痛点,高雪崩抗冲击,适配 PFC、LED 驱动、逆变器,可替代 10N65 系列,原装正品现货供应

    www.kiaic.com/article/detail/6383.html         2026-05-27

  • KIA7115A 贴片 MOS 管 -150V20A 原装现货

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    KIA7115A 是 TO-252 封装 P 沟道 MOS 管,耐压 - 150V、电流 - 20A,导通内阻仅 153mΩ,解决电路发热大、易击穿、开关不稳等痛点。低栅极电荷、高雪崩抗冲击,工业级 - 55~150℃宽温工作,可完美替代多款进口竞品,适配电机驱动、电源整流、电池保护、负载开关...

    www.kiaic.com/article/detail/6382.html         2026-05-27

  • KIA75100A 1000V/24A 高压 MOSFET

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    KIA75100A 是一款 1000V/24A 高压 N 沟道 MOSFET,TO-264 封装,典型 Rds=380mΩ,专为电焊机、高压电源、电机驱动设计,低损耗高效率,可替代进口型号,原厂直供。

    www.kiaic.com/article/detail/6379.html         2026-05-27

  • KIA8104A 40V/30A 超低内阻 MOSFET

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    KIA8104A 是一款 40V/30A N 沟道 MOSFET,DFN/TO-252 封装,典型 Rds=12mΩ,专为电源管理、PWM 控制、快充设计,低损耗高效率,可替代进口型号,原厂直供。

    www.kiaic.com/article/detail/6380.html         2026-05-27

  • KND/KNP/KNF41100A 1000V2A MOSFET

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    KIA41100系列MOSFET(TO-252/220/220F),1000V耐压/2A电流,典型RDS(on)仅9.6Ω,解决高压电源效率低、发热大、稳定性差的痛点。快恢复体二极管,适配适配器、充电器、SMPS待机电源,原厂直供现货稳定

    www.kiaic.com/article/detail/6417.html         2026-05-25

  • KIA9435 P 沟道 MOSFET 低发热高效率

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    还在为 MOS 管发热大、效率低发愁?KIA9435 采用 50mΩ 超低内阻设计,-30V/5.3A 电流规格,SOP-8 封装,低损耗高效率,是电源管理、负载开关的优选。

    www.kiaic.com/article/detail/6387.html         2026-05-12

  • KIA3004B 40V/120A MOSFET|DFN5*6 封装 超低内阻大电流管

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    KIA3004B(KNY3004B)是一款 40V/120A N 沟道 MOSFET,采用 DFN5*6 先进沟槽工艺封装,典型 Rds (ON)=2.4mΩ,超低导通损耗,具备 100% UIS 雪崩测试认证,专为快充电源、动力电池保护板、电机驱动、无人机等高电流场景设计,解决设备发热高、效率低、体积受限...

    www.kiaic.com/article/detail/6377.html         2026-05-07

  • KNM61100A TO-247 封装|高压电源专用 N 沟道 MOSFET 原厂直供

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    KIA61100A(KNM61100A)是一款 10A/1000V N 沟道高压 MOSFET,采用 TO-247 封装,具备低 Rds (ON)(典型 1.0Ω)、低栅极电荷、快恢复体二极管特性,专为适配器、充电器、工业 SMPS 等高压场景设计,解决高压电源开关损耗大、发热高、稳定性差的痛点,可直接替...

    www.kiaic.com/article/detail/6364.html         2026-05-07

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