|
|
|
结果: 找到相关主题 5404 个
-
50n06d,50n06场效应管参数引脚图,KIA50N06D-KIA MOS管
KIA50N06D场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 18mΩ，开关速度快，导通电阻低，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷（典型30nC）、低反向传输电容、快速开关能力以及指定100%雪崩能量、改进的dv/dt能力，在运行中高效...www.kiaic.com/article/detail/5982.html 2025-10-21
-
反馈电路的四种类型判断,反馈电路图-KIA MOS管
判断一个放大电路是电压负反馈和电流负反馈时，可以看一下，若反馈信号是直接从放大电路输出端引出的，则为电压反馈；若反馈信号是从负载电阻靠近地端的一侧引出的，则为电流反馈。www.kiaic.com/article/detail/5981.html 2025-10-21
-
最简单的稳压电路图,经典稳压电路-KIA MOS管
电路中，VD1是稳压二极管；Ui是没有经过稳压的直流电压，在这一电路中是输入电压；Uo是经过这一电路稳定后的直流输出电压，其电压大小稳定。www.kiaic.com/article/detail/5980.html 2025-10-21
-
供电mos管,50n06,50a60v,KIA50N06BP场效应管-KIA MOS管
电机控制器mos管KIA50N06BP漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 10.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低电流以减少导电损耗、高雪崩电流，高效稳定；无铅和绿色设备，环保可靠；广泛应用于UPS、电源管理、电池管理系统等；封...www.kiaic.com/article/detail/5561.html 2025-10-20
-
50n06场效应管参数,60v50a,to252,KIA50N06CD-KIA MOS管
50n06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用KIA半导体LVMosfet技术制造，低导通电阻RDS(开启) 11mΩ，通过优化工艺和单元结构设计，有效降低导通状态电阻，显著提升开关性能；具有低栅极电荷、低交叉导通电流、快速开关、增强dv/dt响应能力，在运行中高效...www.kiaic.com/article/detail/5979.html 2025-10-20
-
自制升压电路,升压电路boost-KIA MOS管
MOS开通时，芯片输出高电平，三极管Q2处于截止状态，高电平通过二极管D1驱动MOS管导通；芯片输出低电平时，二极管D1截止，三极管Q2导通，MOSFET极间寄生电容得以通过Q2快速放电。www.kiaic.com/article/detail/5978.html 2025-10-20
-
sop-8,sop8封装尺寸,封装图-KIA MOS管
SOP-8（Small Outline Package-8）是一种表面贴装型封装，采用鸥翼形（L形）引脚设计，两排各4个引脚共8个，适合自动化焊接。塑料材质封装，底部无散热片（带“EP”后缀的型号会有散热片）。sop8引脚间距1.27mm，广泛应用于紧凑型电子设备中。www.kiaic.com/article/detail/5977.html 2025-10-20
-
50n03场效应管,30v50a,to252,KIA50N03CD参数资料-KIA MOS管
50n03场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、低交叉电流、快速开关特性以及100%经雪崩测试、提升dv/dt性能，在运行中高效稳定可靠；广泛应用于PWM应用、电源管理、...www.kiaic.com/article/detail/5976.html 2025-10-17
-
dcdc电路,12v转5v电路原理图-KIA MOS管
使用7805进行降压，7805属于常用的线性三端稳压器，输入电压范围不大于35V，输入输出压差2V，最大输出电流1.5A，下图为原理图，其不足之处就是效率低，特别是压差越大时其效率越低。比如这里12V转5V的效率为5V/12V≈41.7%。www.kiaic.com/article/detail/5975.html 2025-10-17
-
数字功放原理,电路原理图详解-KIA MOS管
数字功放利用极高频率的转换开关电路来放大音频信号，采用异步调制的方式，在音频信号周期发生变化时，高频载波信号仍然保持不变。因此，在音频频率比较低的时候，PWM的载波个数仍然较高，因此对抑制高频载波和减少失真非常有利，而载波的变频带原理音频信号频...www.kiaic.com/article/detail/5974.html 2025-10-17
-
电池保护mos,20v85a,3302场效应管,KIA3302AD参数-KIA MOS管
KNP1906A场效应管漏源击穿电压20V，漏极电流85A，采用先进沟槽工艺，实现优异的导通电阻(RDS,ON)、低栅极电荷及2.5V低栅极电压工作特性；具有极低导通电阻RDS(开启) 3.9mΩ，最大限度地减少导电损耗；高功率与大电流承载能力，高效稳定、无铅产品认证，优质环保...www.kiaic.com/article/detail/5973.html 2025-10-16
-
开关电源过温保护,过温保护电路原理-KIA MOS管
当温度继电器K104所检测的温度低于80±5℃时，其触点保持吸合状态，此时HOT与PROTECT信号均呈现低电平，从而确保电源模块能够正常运行。然而，一旦检测点的温度升至80±5℃，温度继电器的触点便会断开，导致HOT与PROTECT信号转为高电平。这一变化会触发...www.kiaic.com/article/detail/5972.html 2025-10-16
-
二极管封装尺寸对照表,二极管封装尺寸图-KIA MOS管
SOD-123：长2.70mm×宽1.60mm×高1.10mm，常用于中等功率二极管。SOD-323：长1.70mm×宽1.30mm×高1.00mm，适用于紧凑型设计。SOD-523：长1.20mm×宽0.80mm×高0.60mm，用于超小电流二极管如1N4148。www.kiaic.com/article/detail/5971.html 2025-10-16
-
2n65场效应管,650v2a,to252,KIA2N65HD参数引脚图-KIA MOS管
KIA2N65HD场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，最大限度地减少损耗；具有低栅极电荷（典型值6.5nC）...www.kiaic.com/article/detail/5970.html 2025-10-15