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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5699 个

  • to247封装,to247封装尺寸图-KIA MOS管

    1.引脚间距：5.45mm（中心距），适用于三引脚设计。2.本体长度：15.8-16.0mm（不含引脚）。3.本体宽度：16.0mm（仅器件主体）。20.2-20.4mm（含引脚轮廓）。高度：4.8-5.0mm（不含引脚）。

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    www.kiaic.com/article/detail/6293.html         2026-03-30

  • 80v70a mos,​3508mos管,KNB3508A场效应管现货批发-KIA MOS管

    原厂现货KNB3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，采用先进的沟槽技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲、?100%雪崩测试，可靠且坚固耐用，快速切换，在...

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    www.kiaic.com/article/detail/6292.html         2026-03-27

  • to220封装,to220ab,TO-220封装编码-KIA MOS管

    TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC编码，“AB”是指符合特定的测量规范的3个直插脚编。TO-220-3是通用的编码，指具有TO-220本体和3引脚的零件。相同的封装系列中还会有2脚、3脚、5脚或7脚等选择。

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    www.kiaic.com/article/detail/6291.html         2026-03-27

  • sot227,sot227封装,sot227封装尺寸图-KIA MOS管

    SOT-227小型晶体管封装，是一种体积介于单管和模块之间的内绝缘功率半导体封装，采用M4螺丝法兰底板安装和4个引出端口，常用于封装IGBT、二极管和MOSFET等器件。

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    www.kiaic.com/article/detail/6290.html         2026-03-27

  • 30v90a mos,3303场效应管现货,dfn5x6封装,​KNY3303A-KIA MOS管

    原厂优质现货KNY3303A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，?采用先进的平面条形DMOS技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 3.1mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；具有改进的dv/dt能力、快速切换，在应用中高效稳定可靠，环保无铅；适...

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    www.kiaic.com/article/detail/6289.html         2026-03-26

  • 过压保护电路图,220v过压保护电路-KIA MOS管

    电源电压大于稳压二极管D1电压Vref+三极管导通电压（0点几伏）时，Q1导通，R4上端电压为电源电压减去三极管导通电压。Q2是P-MOS，就不导通了；否则，Q1不导通，R4电压被下拉到GND,Q2就通了。

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    www.kiaic.com/article/detail/6288.html         2026-03-26

  • 12v稳压电源电路图,原理图分享-KIA MOS管

    12V电压经10V稳压二极管时，因二极管正向压降特性，两端电压被稳定至10V，剩余2V压差使MOS管栅极与源极间形成足够驱动能力，促使MOS管导通。此过程实现将12V电压稳压至负载所需的合理电平。

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    www.kiaic.com/article/detail/6287.html         2026-03-26

  • 40v130a场效应管,2904mos管现货,KNP2904A特价-KIA MOS管

    原厂特价现货KNP2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(导通) 2.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、低交叉干扰、快速开关，高效低耗；100% 已通过雪崩测试、dv/dt响应能力提升，...

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    www.kiaic.com/article/detail/6282.html         2026-03-25

  • 3404r场效应管,40v80a mos管,to252封装,KAND3404R批发-KIA MOS管

    原厂优质车规级场效应管KAND3404R漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(导通) 5.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷、高输入阻抗、低功耗、低交叉干扰、快速开关，高效低耗；优异CdV/dt效应衰减、100%...

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    www.kiaic.com/article/detail/6286.html         2026-03-25

  • 12v过压保护电路,原理图分享-KIA MOS管

    稳压电源正常输出电压为12.2V，当稳压电路异常使输出电压升高至超过15V时，稳压二极管VD2反向击穿导通，单向可控硅VS控制极得到触发电流而导通，迫使5A熔断器FU迅速熔断而保护后级电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/6284.html         2026-03-25

  • 直流过压保护电路,过压保护电路图-KIA MOS管

    当输入电压低于稳压二极管D1的击穿电压（5.1V）时：稳压二极管D1：不导通，Q2的基极通过R1被拉到Vin。三极管Q2：基极和发射极同电位，Vbe = 0V，Q2不导通。MOSFET Q1：栅极通过R3拉到地，Vgs = 0V - Vin = -Vin（负值），P沟道MOSFET导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/6283.html         2026-03-25

  • 7805稳压电源电路图,7805电路分享-KIA MOS管

    当电阻R1和R2相加时，7805输出电压的公式变为Vout=V固定+{R2［（V固定/R1）+I待机］}，其中V固定=5V，I待机=V固定/R1。通过改变POTR2，可以在5V和12V之间调节输出电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/6281.html         2026-03-24

  • 5v稳压电源电路图,原理图分享-KIA MOS管

    电路用于输出5V电压和1.5A电流的稳压电源，巧妙地结合了电源变压器B、桥式整流电路D1至D4、滤波电容C1和C3，以及防止自激的电容C2和C4，再配以固定式三端稳压器(7805)，从而实现了简单而高效的稳压功能。

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    www.kiaic.com/article/detail/6280.html         2026-03-24

  • 30v150a参数,dfn5x6封装,​KNY2803T场效应管原厂现货-KIA MOS管

    KNY2803T场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷、高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效低耗；优异CdV/dt效应衰减、100% ΔVds已测试、100%UIS已测...

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    www.kiaic.com/article/detail/6279.html         2026-03-23

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