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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5075 个

  • 【电子设计】电路噪声怎么描述?-KIA MOS管

    这张图展示的是1kHz以上的高频噪声,左图是实际采集到的噪声信号,右图是时域上电压幅值的统计分布。这种噪声看着很眼熟,当我们短接示波器探头的两极时出现的就是类似的噪声。

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    www.kiaic.com/article/detail/4196.html         2023-04-21

  • 共源放大器噪声、差分放大器噪声分析-KIA MOS管

    在差分对的噪声分析中,一定要注意的是倍数关系。简单的理解,就是上述分析的共源放大器的2倍的噪声。

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    www.kiaic.com/article/detail/4195.html         2023-04-20

  • 【模拟电路】电路噪声图文分析-KIA MOS管

    对于一个普通的电路,我们如何来进行噪声的分析呢?通常我们会不由自主的想到,通过之前推导出的噪声公式,计算出各个噪声在输出点的和,就能够表示噪声的大小了。

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    www.kiaic.com/article/detail/4194.html         2023-04-20

  • 电路噪声的产生详解及噪声抑制-KIA MOS管

    例如,电源电压中的纹波或自激振荡,可对电路造成不良影响,使音响装置发出交流声或导致电路误动作,但有时也许并不导致上述后果。对于这种纹波或振荡,都应称为电路的一种噪声。

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    www.kiaic.com/article/detail/4193.html         2023-04-20

  • DC/DC转换器 逆变器MOS管KNX2908A 85V130A-KIA MOS管

    KNX2908A 85V130A-产品特性1、专有新沟槽技术2、RDS(ON),Typ.=5.0mΩ@VGS=10V3、低门电荷减小开关损耗4、快速恢复体二极管

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    www.kiaic.com/article/detail/4192.html         2023-04-19

  • 【电路精选】MOS管门电路图文分享-KIA MOS管

    MOS管门电路:用mos管搭出一个二输入与非门

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    www.kiaic.com/article/detail/4191.html         2023-04-19

  • PMOS管--空穴迁移率低分析-KIA MOS管

    P沟道MOS管的空穴迁移率低,因而在MOS管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS管的跨导小于N沟道MOS管。此外,P沟道MOS管阈值电压的绝对值普通偏高,有较高的工作电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/4190.html         2023-04-19

  • SiC MOSFET电路大功率多管并联实例分享-KIA MOS管

    SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断 电源 (UPS) 和电动汽车)中优化性能。

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    www.kiaic.com/article/detail/4189.html         2023-04-18

  • 电路设计:折叠式共源共栅两级放大器-KIA MOS管

    中间两层管子L=0.3um,其余放大电路管子L=0.2um。这样做是因为考虑到共源共栅电路的放大倍数很大,即使选择L很小依然满足放大要求。而且这样一来可以尽可能的减小Rout而使gm增大。gm越大带宽也越大。

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    www.kiaic.com/article/detail/4188.html         2023-04-18

  • 开关电源上的MOSFET选择:参数分析-KIA MOS管

    通常,最小栅极电压(对于5V正逻辑)在0.5V至1V之间。那些高于最大阈值的栅极电压会导通MOSFET。在最小栅极电压的最高点和最大栅极电压的最低点之间的电压可能让MOSFET或导通或关断。

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    www.kiaic.com/article/detail/4187.html         2023-04-18

  • 【MOSFET应用】RC热阻模型及热仿真实例-KIA MOS管

    如果电阻抗Z=电阻R+电抗C一样,热阻抗Zth=热阻Rth+热容Cth;同理,电子领域的电流就等同于热领域中的元件功率;电压值也可以等效为温度值。

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    www.kiaic.com/article/detail/4186.html         2023-04-14

  • MOSFET可靠性测试图文分享-KIA MOS管

    高温反偏测试主要用于验证长期稳定情况下芯片的漏电流,考验对象是MOSFET边缘结构和钝化层的弱点或退化效应。

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    www.kiaic.com/article/detail/4185.html         2023-04-14

  • ​【精选】图文分析SiC MOSFET高频振荡-KIA MOS管

    SiC MOSFET的振荡分别发生在开通瞬态的电流上升阶段和电压下降阶段、以及关断瞬态的电压上升阶段和电流下降阶段这四处。

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    www.kiaic.com/article/detail/4184.html         2023-04-14

  • MOS管栅极驱动设计优化图文分析-KIA MOS管

    优化栅极驱动设计,正是在互相矛盾的要求中寻求一个平衡点,而这个平衡点就是开关导通时漏极电流上升的速度和漏极电压下降速度相等这样一种波形,理想的驱动波形如图6所示。

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    www.kiaic.com/article/detail/4183.html         2023-04-13

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