引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种，引脚中心距为2.54mm,引脚数从...引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种，引脚中心距为2.54mm,引脚数从6-64； 适合在PCB上穿孔焊接，操作方便，体积比较大
SOT-89封装尺寸为长度4.5毫米、宽度2.45毫米、高度1.55毫米，引脚间距为1.5毫米...SOT-89封装尺寸为长度4.5毫米、宽度2.45毫米、高度1.55毫米，引脚间距为1.5毫米，支持3或5引|脚配置。部分制造商的产品可能存在细微差异，例如长度可能为4.6毫米、...
KNB2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，采用专有的新型技术制造，极...KNB2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，采用专有的新型技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，减...
输入端连接可调稳压电源，调整VR1让电路在约11.5V时完成电源切换动作。为了实现...输入端连接可调稳压电源，调整VR1让电路在约11.5V时完成电源切换动作。为了实现更高效的能源管理，需要采用低导通电阻的PMOS场管。
采用高频变压器或电感储能，通过PWM控制实现高效能量转换。效率高（可达90%以上...采用高频变压器或电感储能，通过PWM控制实现高效能量转换。效率高（可达90%以上），但电路复杂，常用于大功率LED驱动。
KND3080是一款N沟道逻辑电平增强模式功率MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流80...KND3080是一款N沟道逻辑电平增强模式功率MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术制造，提供卓越的开关性能；极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ，最...
