KNP2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用先进的沟槽技术制造，高...KNP2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用先进的沟槽技术制造，高密度电池设计，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷，高效低耗；极低导通电阻RDS(o...
图（a)所示晶体管开关电路分析可知、当输入为高电平时，输出为低电平；当输入为...图（a)所示晶体管开关电路分析可知、当输入为高电平时，输出为低电平；当输入为低电平时，输出为高电平，所以输出与输入之间呈现非逻辑关系，是一个非门，也称为反...
整流部分使用6个二极管。二极管D1、D2和D3与正轨连接，二极管D4、D5和D6与负轨...整流部分使用6个二极管。二极管D1、D2和D3与正轨连接，二极管D4、D5和D6与负轨连接。这 6 个二极管充当二极管电桥，将三相交流信号转换为单个直流电源轨。三相 R、...
KNM63120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流12A，开关速度快，高效稳定；低...KNM63120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流12A，开关速度快，高效稳定；低导通电阻RDS(on) 1.2Ω，能够最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化开关损耗；具...
需要点动控制时，按下点动复合按钮 SB3，其常闭触点先断开KM的自锁电路，随后S...需要点动控制时，按下点动复合按钮 SB3，其常闭触点先断开KM的自锁电路，随后SB3常开触点闭合，接通启动控制电路，接触器KM线圈得电吸合，KM主触点闭合，电动机M启...
MOSFET的三端标记分别为 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 电路符号有多种形...MOSFET的三端标记分别为 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 电路符号有多种形式， 最常见的如下图所示， 以一条垂直线代表沟道(Channel)， 两条和沟道平行的接线...
