bms专用mos管KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启...bms专用mos管KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；10...
为了确保无闩锁操作，电路会自动感测器件中的最负电压，并确保N沟道开关源极-基...为了确保无闩锁操作，电路会自动感测器件中的最负电压，并确保N沟道开关源极-基板结不存在正向偏置。振荡器频率的标称频率为10kHz(VCC=5V)，但可以通过向振荡器（...
为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图，在这种...为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图，在这种情况下，如果不是两个FET都打开，那么其中总有一个体二极管可以阻断对向的电流。这...
KNP1906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流230A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2m...KNP1906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流230A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、高雪...
如图所示，负载接在电源与漏极之间。在其栅极上加一个逻辑高电平，则N-MOSFET导...如图所示，负载接在电源与漏极之间。在其栅极上加一个逻辑高电平，则N-MOSFET导通，负载得电；在其栅极加一个逻辑低电平，则N-MOSFET关断，负载失电。
当开关S1闭合时，继电器的线圈通电，电源+V经过电感L1，向N1 N2（变压器）的中...当开关S1闭合时，继电器的线圈通电，电源+V经过电感L1，向N1 N2（变压器）的中抽头进行供电，此外，电流还会C1和R2（电阻）流向N3、N4的中抽头。
