KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，...KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并...
短沟道效应（short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道...短沟道效应（short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。
夹断电压VGS(off)（或VP） 夹断电压是耗尽型场效应管（FET）的关键参数。当栅...夹断电压VGS(off)（或VP） 夹断电压是耗尽型场效应管（FET）的关键参数。当栅源电压VGS等于夹断电压VGS(off)时，漏极电流将降至为零。
KPY3404A场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-85A，使用先进的高单元密度沟槽技...KPY3404A场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-85A，使用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(on) 5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减...
在四色环电阻中，第一环表示有效数字，第二环表示倍数，第三环表示允许误差。例...在四色环电阻中，第一环表示有效数字，第二环表示倍数，第三环表示允许误差。例如，一个四色环电阻的颜色顺序为“棕、黑、金、金”，则其阻值为10×10^0=10欧姆，...
移相电路是一种特殊的信号处理电路，专为改变输出信号与输入信号之间的相位关系...移相电路是一种特殊的信号处理电路，专为改变输出信号与输入信号之间的相位关系而设计，同时保持信号幅度不变。 移相电路在实际工程中应用广泛，如锁定放大器、外...
