漏极电流(ID):3 A 漏-源极电压(VDSS):20 V 漏-源极通态电阻(RDS(on))...漏极电流(ID):3 A 漏-源极电压(VDSS):20 V 漏-源极通态电阻(RDS(on)):0.06 Ω 耗散功率(PD):1.25 W 封装:SOT-23
MOSFET属于单极性器件。MOS管,金属氧化物氧化物场效应晶体管(Metal Oxide Se...MOSFET属于单极性器件。MOS管,金属氧化物氧化物场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FET,简称MOS-FET,是应用场效应原理工作的半导体器件,属于电压控制型...
MOS属于电压控制型器件,但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中也是需要电流的...MOS属于电压控制型器件,但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中也是需要电流的,因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd,Cgs以及Cds。 对于N沟道增强型MOSFET,开启...
MOS管根据导电性质不同可分为NMOS和PMOS两种。NMOS和PMOS的结构相似,都是由n型...MOS管根据导电性质不同可分为NMOS和PMOS两种。NMOS和PMOS的结构相似,都是由n型和p型半导体夹杂着一层氧化膜构成的。不同之处在于,NMOS的氧化膜上覆盖着一层金属...
雪崩失效:MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系...雪崩失效:MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间,导致的一种失效模式。简而言之就是MOSFET漏源极的电压...
将可调电阻RP左旋到头,使ADJ端子电压为0,用数字万用表或指针万用表的电压挡测...将可调电阻RP左旋到头,使ADJ端子电压为0,用数字万用表或指针万用表的电压挡测量,滤波电容C1两端电压应低于1.25V。然后,慢慢向右旋转RP,使C2两端电压逐渐升高...