KPE4403B P沟道场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5A，低导通电阻RDS(on)=40...KPE4403B P沟道场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5A，低导通电阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；-5V逻辑电平控制、符合RoHS，高效稳定可靠...
N沟道MOS管是以一个掺入了少量正离子的P型半导体做为衬底，然后在衬底上制作两...N沟道MOS管是以一个掺入了少量正离子的P型半导体做为衬底，然后在衬底上制作两个高浓度的N +区作为源极和漏极。随后，在源极和漏极之间的绝缘层上制作金属层作为栅...
MOS管结电容，是MOS管在极化时，于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容...MOS管结电容，是MOS管在极化时，于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容。它作为MOS管的关键参数，对管子的动态功耗、响应速度等特性有着决定性影响，
KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最...KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低栅极电荷、开关速度快，高效可靠；100%雪崩测试...
将输入的交流电压通过整流器整流成直流电压，然后通过滤波器将直流电压进行滤波...将输入的交流电压通过整流器整流成直流电压，然后通过滤波器将直流电压进行滤波，以保证输出电流的稳定性和平滑性。接下来，通过驱动器将直流电压转换为适合LED的...
该桥电路由两个P型场效应管Q2和两个N型场效应管Q4组成，因此被称为P-NMOS管H桥...该桥电路由两个P型场效应管Q2和两个N型场效应管Q4组成，因此被称为P-NMOS管H桥。这些场效应管在桥臂上充当开关的角色，其中P型管在栅极电压为低时导通，高时关闭；...
