DIP（双列直插式封装） 特点：引脚从封装两侧引出，标准引脚间距为2.54毫米，...DIP（双列直插式封装） 特点：引脚从封装两侧引出，标准引脚间距为2.54毫米，通常采用通孔插装技术焊接至PCB。 应用：早期广泛用于微处理器、存储器等，现仍用于...
TO-262封装常用于功率半导体器件（如MOSFET、IGBT）的通孔安装（Through-Hole）...TO-262封装常用于功率半导体器件（如MOSFET、IGBT）的通孔安装（Through-Hole）封装形式，属于I2PAK（Improved I2PAK）系列，具有良好的散热性能和机械稳定性，适...
原厂优质P沟道MOS管KIA35P10BD漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用先进的沟...原厂优质P沟道MOS管KIA35P10BD漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用先进的沟槽技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 45mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供...
体积：TO-247在长度和宽度上明显大于TO-3P，但TO-3P更厚实（金属外壳）。 散热...体积：TO-247在长度和宽度上明显大于TO-3P，但TO-3P更厚实（金属外壳）。 散热方式：TO-247依赖外部散热器；TO-3P通过金属壳直接散热。 应用场景：两者均用于大...
1.引脚间距：5.45mm（中心距），适用于三引脚设计。 2.本体长度：15.8-16.0mm...1.引脚间距：5.45mm（中心距），适用于三引脚设计。 2.本体长度：15.8-16.0mm（不含引脚）。 3.本体宽度：16.0mm（仅器件主体）。20.2-20.4mm（含引脚轮廓）。高...
原厂现货KNB3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，采用先进的沟槽技术生...原厂现货KNB3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，采用先进的沟槽技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的...
