irf3205场效应管代换型号KNP3106N漏源击穿电压60V，漏极电流110A ，采用新型...irf3205场效应管代换型号KNP3106N漏源击穿电压60V，漏极电流110A ，采用新型平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 7mΩ，减少开关损耗，提高效率；具有卓越的性...
晶圆级封装（Wafer Level Packaging，WLP），是一种直接在晶圆上完成大部分或全...晶圆级封装（Wafer Level Packaging，WLP），是一种直接在晶圆上完成大部分或全部封装测试程序，再进行切割制成单颗组件的先进封装技术 。 WLP基本工艺是在晶圆完...
NMOS的电流方向在标准导通状态下为漏极（D）到源极（S），但在特定电路设计（如...NMOS的电流方向在标准导通状态下为漏极（D）到源极（S），但在特定电路设计（如防反接电路）中可能反向流动（S到D）。 MOS管的导通条件取决于NMOS或PMOS类型和阈...
60r180场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A ，采用先进的沟槽技术制造，极低...60r180场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A ，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 160mΩ，低栅极电荷Qg=33.5nC，减少开关损耗，提高效率；具备高...
电动车控制器的原理是在电池电压保持相对稳定的前提下，通过断续供电的方式，调...电动车控制器的原理是在电池电压保持相对稳定的前提下，通过断续供电的方式，调整电机供电电压的平均值，从而实现对电机速度和电流的精准控制。这种控制方式使得电...
开通时损耗：PON=IceoVcetofff 开通过程损耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crs...开通时损耗：PON=IceoVcetofff 开通过程损耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss 关断时损耗：Poff=IcVcestonf 关断过程损耗：Pf=IcVDStff/6＝Ic2tftf'f/6Coss ...
