KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低导通电阻RDS(on)6.5mΩ（...KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低导通电阻RDS(on)6.5mΩ（典型值），能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，提供卓越的开关性能；高雪...
在MOS管导通时，输入电压为电感充电，电流在电感中线性增加。此时，电感储存能...在MOS管导通时，输入电压为电感充电，电流在电感中线性增加。此时，电感储存能量，而负载由电容供电。当MOS管关闭时，电感的电流保持不变（由于电感的电流保持特性...
基本逻辑门如与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门和同或门等。下面是逻辑...基本逻辑门如与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门和同或门等。下面是逻辑门电路的国际图形符号和限定符号(GB/T4728.12-1996)、国外流行图形符号和曾用图形符...
ao3415场效应管代换型号KIA3415漏源击穿电压-16V，漏极电流为-4A；采用先进的高...ao3415场效应管代换型号KIA3415漏源击穿电压-16V，漏极电流为-4A；采用先进的高密度单元设计沟槽技术，极低RDS导通、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作、无铅产...
理想运算放大器具有无限大的开环增益、无限大的输入阻抗和零输出阻抗，这使得其...理想运算放大器具有无限大的开环增益、无限大的输入阻抗和零输出阻抗，这使得其输出电压能够达到所需的任何值，而不受放大器内部电压或电流限制的影响。 在负反...
tip42c参数： 集电极-发射极电压（VCEO）：最高可达-100V，适用于电压低于...tip42c参数： 集电极-发射极电压（VCEO）：最高可达-100V，适用于电压低于100V的电路。 集电极持续电流（Ic）：最大为-6A，适合需要更高电流驱动的负载
