KIA10N60HF漏源电压600V，漏极电流9.5A，极低导通电阻RDS(开启) 0.6Ω，最大限...KIA10N60HF漏源电压600V，漏极电流9.5A，极低导通电阻RDS(开启) 0.6Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的...
为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图，在这种...为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图，在这种情况下，如果不是两个FET都打开，那么其中总有一个体二极管可以阻断对向的电流。这...
ADC0809内部由8路模拟量开关、8位A-D转换器和三态输出锁存缓冲器组成，可以将由...ADC0809内部由8路模拟量开关、8位A-D转换器和三态输出锁存缓冲器组成，可以将由IN7~IN0输入的8路(通道)模拟量转成数字量并由D7~D0引脚输出。 因为8路模拟量输入共...
KIA100N03AP场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，采用先进平面条纹DMOS技...KIA100N03AP场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，采用先进平面条纹DMOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.3mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有增...
米勒平台是IGBT在开关瞬间，由于集电极电压的快速变化通过内部寄生电容Cgc耦合...米勒平台是IGBT在开关瞬间，由于集电极电压的快速变化通过内部寄生电容Cgc耦合到门极，导致驱动电流被“转移”而无法继续提升门极电压所造成的现象。
SOD封装是大部分贴片二极管的安装形式。SOD，小外形二级管（Small OutlineDiod...SOD封装是大部分贴片二极管的安装形式。SOD，小外形二级管（Small OutlineDiode），目前已经衍生了一系列标准封装形式。这些二极管封装用SOD后面的一串数字进行区...
