KLM80R240B超结MOSFET是一种采用多层外延工艺的功率半导体器件，通过优化芯片结...KLM80R240B超结MOSFET是一种采用多层外延工艺的功率半导体器件，通过优化芯片结构实现低内阻、高抗浪涌能力和快速开关特性。80r240漏源击穿电压800V，漏极电流1...
无线充电的基本原理就是常用的开关电源原理，区别在于没有磁介质耦合，需要利用...无线充电的基本原理就是常用的开关电源原理，区别在于没有磁介质耦合，需要利用磁共振的方式提高耦合效率，具体方法是在发送端和接收端线圈串并联电容，是发送线圈...
车载USB充电器是插在汽车的点烟器上工作的 ，点烟器的直流电压是由汽车上蓄电池...车载USB充电器是插在汽车的点烟器上工作的 ，点烟器的直流电压是由汽车上蓄电池供应的。小轿车、SUV点烟器上的电是压是DC12V，大型车点烟器上的电是压是DC24V。因...
KLF60R380B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流11A，采用KIA先进的超级结技术制...KLF60R380B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流11A，采用KIA先进的超级结技术制造，有效降低导通损耗，提供卓越的开关性能，低导通电阻RDS(开启) 0.34Ω，低栅极...
当充电过充时，锂电池端电压超过4.28V（该值由控制IC设定），“Cout”脚输出低...当充电过充时，锂电池端电压超过4.28V（该值由控制IC设定），“Cout”脚输出低电平，使Q2断开，虽二极管D1及Q1导通，但Q2截止及二极管D2反偏，迫使充电停止，防止...
在电源输入端串一个采样电阻到PMOS的源极S，那么这个采样电阻就会有电压差，三...在电源输入端串一个采样电阻到PMOS的源极S，那么这个采样电阻就会有电压差，三极管的be并到这个电阻，当压差大于Vbe时，Vgs就0了，PMOS关闭，实现过流保护。
