KCD2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低...KCD2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的栅极电荷，可最大限度地减少导电损失，高效低耗；具...
NPN 晶体管 2N3055 用于打开第 I 组蓝色 LED，而 PNP 晶体管 2N2905 用于打开第...NPN 晶体管 2N3055 用于打开第 I 组蓝色 LED，而 PNP 晶体管 2N2905 用于打开第 II 组红色 LED。当基极施加超过 0.7V 的正 V 且电流进入基极时，NPN 晶体管导通。...
无线充电的实现通常需要两个线圈，一个是置于充电平台中的发射线圈，另一个是置...无线充电的实现通常需要两个线圈，一个是置于充电平台中的发射线圈，另一个是置于电子设备内的接收线圈。当一个变化的电流通过充电平台的发射线圈时，线圈内会产生...
大功率场效应管KNP6140S漏源击穿电压400V，漏极电流11A，专为高压、高速功率开...大功率场效应管KNP6140S漏源击穿电压400V，漏极电流11A，专为高压、高速功率开关应用设计；极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电...
MMBT5401高压PNP双极晶体管，该器件设计为通用放大器和开关，用于需要高电压的...MMBT5401高压PNP双极晶体管，该器件设计为通用放大器和开关，用于需要高电压的应用。采用SOT-23封装，专为低功耗表面贴装应用而设计。
KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0...KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，...
