KNM2808A场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RD...KNM2808A场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；高输入阻抗、低功...
氙气灯安定器的原理是将汽车蓄电池的12V直流电压，通过一系列电子转换与控制步...氙气灯安定器的原理是将汽车蓄电池的12V直流电压，通过一系列电子转换与控制步骤，产生一个瞬间23000V的点火高压对灯头进行点火，点亮后再维持 85V 的交流电压。
SS34肖特基二极管，具有高速开关特性和低正向压降，反向击穿电压可达40V，正向...SS34肖特基二极管，具有高速开关特性和低正向压降，反向击穿电压可达40V，正向电流最大可达3A，适用于高频整流和开关电路。ss34二极管常用在小电流的（模型）电调...
KCY3206B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进的SGT MOSFET技术，...KCY3206B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进的SGT MOSFET技术，高密度单元设计，实现极低导通电阻RDS(on) 2.4mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导...
当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。...当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。在室温下，硅管的V th约为0.5V，锗管的V th约为0.1V。大于导通电压的区域称为导通区...
晶体管Q1与晶体、电容C1、C2、C3和电感L2一起形成高频RF振荡器，其频率由晶体的...晶体管Q1与晶体、电容C1、C2、C3和电感L2一起形成高频RF振荡器，其频率由晶体的第3个泛音值决定。由于使用了晶体，因此频率稳定无变化。 Q2晶体管与C8、L4也形成...
