KIA23P10A是TO-252封装-100V/-23A P沟道MOSFET，78mΩ低阻低发热，开关速度快、...KIA23P10A是TO-252封装-100V/-23A P沟道MOSFET，78mΩ低阻低发热，开关速度快、抗干扰强，100%EAS测试，适用于电源/电机/电池保护，原厂直供，稳定靠谱！
KIA65R700FS 650V/7A N 沟道 MOSFET，TO-220F 封装，参数对标英飞凌 SPA06N65C...KIA65R700FS 650V/7A N 沟道 MOSFET，TO-220F 封装，参数对标英飞凌 SPA06N65C3，0.6Ω 低 Rds、高抗雪崩能力，高性价比国产替代方案，适配开关电源、LED 驱动。 ...
KNS8104A 40V/30A N 沟道 MOSFET，专为 DC-DC 电源、电池保护板、电机驱动设计...KNS8104A 40V/30A N 沟道 MOSFET，专为 DC-DC 电源、电池保护板、电机驱动设计，12mΩ 低 Rds、快速开关、100% 雪崩测试，SOT-89 封装，稳定可靠。 ...
KCY2704B 40V/160A N 沟道 MOSFET，参数对标进口型号，Rds (on) 仅 1.5mΩ，支...KCY2704B 40V/160A N 沟道 MOSFET，参数对标进口型号，Rds (on) 仅 1.5mΩ，支持 160A 持续电流，DFN5*6 封装，成本优势显著，适合工业、消费电子国产替代项目。
KNP6140S/KNF6140S 400V/11A高压MOSFET，0.53Ω低内阻，可直接替代SPA11N40，适...KNP6140S/KNF6140S 400V/11A高压MOSFET，0.53Ω低内阻，可直接替代SPA11N40，适配开关电源、电机驱动场景。
KNP4890A/KNF4890A 900V/9A高压MOSFET，1.2Ω低内阻，可直接替代FQP9N90，适配...KNP4890A/KNF4890A 900V/9A高压MOSFET，1.2Ω低内阻，可直接替代FQP9N90，适配电源适配器、SMPS场景。
