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结果: 找到相关主题 153 个
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KGB10N65A 10N65A 贴片 IGBT TO263 可替代 FGA10N65TF
选型 650V 贴片 IGBT 选 KGB10N65A TO263 封装，开通 / 关断损耗均衡，25~175℃宽温稳定，680V 以上高耐压抵御电网尖峰，省去外置续流二极管降低 BOM 成本，适用于小家电开关电源、光伏微逆、车载逆变，规格书齐全支持批量拿样。KGB10N65A(10N65A) IGBT完整规格...
www.kiaic.com/article/detail/6483.html 2026-06-18
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KIA KCT010N04N 功率 TOLL8L 封装 0.85mΩ 低内阻新能源专用
KCT010N04N 超低阻功率 MOS，TOLL8L 大电流散热封装，单颗承载 395A，无需多颗并联降成本。1369mJ 雪崩抗浪涌，-55~150℃宽温稳定，电池管理、电机控制器、快充电源专用，规格参数齐全支持试样。
www.kiaic.com/article/detail/6482.html 2026-06-18
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KCT033N08N TOLL-8L 现货批发 国产替代进口 优化整机生产成本
长期采购进口 TOLL 功率 MOS 面临交期长、物料成本高问题？KCT033N08N 国产贴片 MOS，标准 TOLL-8L 封装兼容现有产线，低内阻减少散热物料投入，极小 Crss 缩短 EMC 调试工时，整卷 2000pcs 常备库存，量大议价空间大，可免费拿样验证
www.kiaic.com/article/detail/6480.html 2026-06-17
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KLM60R099B TO-247 MOS｜低栅电荷，高压电源不炸管不起振
高压 PFC / 充电桩 MOS 发烫、电感尖峰击穿、高频 EMI 振荡？KLM60R099B TO247 超结 MOS，90mΩ 低内阻，Qg 仅 56nC，100V/ns 抗 dv/dt，100% 雪崩全检，平替 IRFP35N60，免费寄样上机测试！
www.kiaic.com/article/detail/6479.html 2026-06-17
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KCP035N10N TO-220 MOS｜3.3mΩ 超低内阻，大电流不发烫炸管
电机 / 大功率 DC-DC MOS 温升超标、电感浪涌击穿、损耗高？KCP035N10N TO220 功率 MOS，3.3mΩ 低 Rds (on)，800mJ 抗雪崩，70ns 快恢复二极管，100% 耐压 + 雪崩全检，平替 IRFP120N，免费寄样上机测试！
www.kiaic.com/article/detail/6478.html 2026-06-17
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KNG3080B DFN3*3 MOS｜4.1mΩ 超低内阻，大电流不发烫炸管
快充 / 锂电 MOS 发热、浪涌击穿、PCB 占位大？KNG3080B DFN3*3 功率 MOS，4.1mΩ 低导通内阻，320A 峰值电流，308mJ 抗雪崩，18ns 超快恢复二极管，适配负载开关、便携电源，平替 BSZ080N03LSG，免费寄样测试！
www.kiaic.com/article/detail/6477.html 2026-06-16
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KNF20N65A TO-220F MOS｜低内阻低损耗，高压不易炸管
开关电源 MOS 发热、高压尖峰击穿、电源效率低？KNF20N65A TO220F 功率 MOS，0.38Ω 低导通内阻，低栅电荷减少开关损耗，850mJ 高雪崩抗浪涌，适配电视电源、适配器、SMPS，替代 FQPF20N65，免费寄样测试！KNF20N65A TO-220F 20A65V平面MOS管完整参数规格*{box...
www.kiaic.com/article/detail/6476.html 2026-06-16
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KND3203C TO-252 MOS 管｜低内阻不发烫，替代 AO3400 不炸板
还在愁 MOS 管发热炸机、耐压虚标、交期延误？KND3203C TO252 封装 N 沟道 MOS，低 Rds (on) 温升低，支持 5V 单片机直驱，60V 耐压余量足，适配小家电、安防电源、LED 驱动，原厂全检 EAS+2KV ESD，长期稳定供货，可直接替代 AO3400、AOD4184，免费寄样测试！...
www.kiaic.com/article/detail/6475.html 2026-06-16
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KNG/KNY/KND/KNB3403C 30V 80A MOSFET 国产替代
：KIA 3403C 系列 30V/80A MOSFET，Rds (on) 低至 4.3mΩ，适配快充 / 电池保护 / 电机驱动，直接替代 IRL3803，交期稳、成本优。
www.kiaic.com/article/detail/6412.html 2026-06-15
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KCD3008C 120A 85V TO-252 MOS管｜解决电源发热缺货难题
大功率储能、锂电池BMS设备发热炸管？进口MOS长期缺货交期久？选可易亚KCD3008C TO-252封装MOSFET！85V耐压120A连续电流，SGT工艺Rds(on)仅4.7mΩ，大幅降低整机温升；出厂100%UIS、ΔVds可靠性全检，306mJ高雪崩能量耐负载冲击；标准TO-252引脚通用，直接替代...
www.kiaic.com/article/detail/6474.html 2026-06-15
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KCY3008C 120A 85V MOSFET | 解决大功率电源发热难题
大功率电源、BMS设备发热严重？进口MOSFET缺货交期长？选可易亚KCY3008C！120A/85V/DFN5*6封装，采用先进SGT工艺，RDS(on)仅4.2mΩ，大幅降低温升；通过UIS/ΔVDS全检，雪崩能量625mJ，抗冲击能力强；完全兼容进口同规格型号，无需改板直接替代，储能、工业电源...
www.kiaic.com/article/detail/6473.html 2026-06-15
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KNY3080B 80A 30V MOSFET DFN5*6 快充同步整流专用
快充电源发热严重？PCB空间不够？选KNY3080B 80A 30V DFN5*6 MOSFET！4.1mΩ超低导通电阻，降低温升提升效率；32nC低栅极电荷，适配高频开关场景；完全兼容进口同规格型号，无需改板直接替代，解决进口缺货交期问题，快充同步整流、BMS、UPS场景专用。
www.kiaic.com/article/detail/6472.html 2026-06-15
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KND8104A 40V/30A TO-252 N 沟道 | 12mΩ 低内阻功率管
KND8104A 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET，额定 40V/30A，典型 Rds (on) 低至 12mΩ，具备快速开关、低 Crss 特性，适配 PWM 控制、电源管理、负载开关等场景，可直接替代 NCE4030K、AOT4030L 等竞品，货源稳定
www.kiaic.com/article/detail/6471.html 2026-06-12
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KCY2203A 30V/200A DFN5*6 N 沟道 | 1.3mΩ 低内阻功率管
KCY2203A 是 KIA 品牌推出的 DFN5*6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/200A，典型 Rds (on) 低至 1.3mΩ，采用 SGT 先进工艺，超低栅极电荷，适配高频 PWM、紧凑型电源、负载开关等场景，可直接替代 NCE30200K、AOTL30200 等竞品，货源稳定
www.kiaic.com/article/detail/6470.html 2026-06-12