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手机锂电池保护板,单节锂电池保护电路-KIA MOS管
电池电压上升到过充保护电压后，以上并持续了一段过充保护延时时间， CO 端子的输出就会反转，将充电控制 充电 MOS 管关断，停止充电，这就称 为过充电状态。电池电压降低到过充电解除电压 以下并持续了一段过放保护时间，就会解除过充电状态，恢复为正常状态。...www.kiaic.com/article/detail/6227.html 2026-02-26
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pwm直流电机调速,电机正反转原理-KIA MOS管
改变电机两端的电源极性可以改变电机的转速，而电机的正反转调速需要通过H桥电路来实现。H桥电路由四个功率电子开关构成，可以是晶体管也可以是MOS管。电子开关两两构成桥臂，在同一时刻只要对角的两个电子开关导通，另外两个截止，且每个桥臂的上下管不能同时...www.kiaic.com/article/detail/6226.html 2026-02-26
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2n65场效应管,650v2a mos,KIA2N65HU参数引脚图-KIA MOS管
2n65场效应管?漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，低栅极电荷6.5nC，?高效低耗；具有高抗干扰能力、快速...www.kiaic.com/article/detail/6225.html 2026-02-11
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直流电机调速电路图,接线图分享-KIA MOS管
电源是交流220伏，经过变压器变为交流127伏，再经过整流电路变为直流110伏。三个按钮开关控制三个速度，当按下SB2的时候，接触器KM1自锁，这时候等于电机串了R1R2两个电阻，是最低速状态。www.kiaic.com/article/detail/6224.html 2026-02-11
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nmos和pmos电流流向详解-KIA MOS管
NMOS（N沟道MOSFET）：其主要载流子是电子（负电荷）。导通时，电子从源极流向漏极，但根据电路理论中电流方向定义为正电荷流动方向，因此电流方向与电子流动方向相反，为从漏极（D）到源极（S）。www.kiaic.com/article/detail/6223.html 2026-02-11
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2n60,2n60场效应管参数,600v2a场效应管,KIA2N60HF-KIA MOS管
KIA2N60HF场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，专为高压、高速的功率开关应用而设计，?低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值9nC），高效低耗?；具有高耐用性、快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，性能优越，...www.kiaic.com/article/detail/6222.html 2026-02-10
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运算放大电路图,加减法运算,差分放大电路-KIA MOS管
图为同相加法电路，可以根据“虚断”、“虚短”和戴维宁定理进行计算，输出公式为：UO=(1+Rf/R1)[U1×Ri2// Ri3/( Ri1+ Ri2// Ri3)+ U1×Ri1// Ri3/( Ri2+ Ri1// Ri3)+ U1×Ri1// Ri2/( Ri3+ Ri1// Ri2)],www.kiaic.com/article/detail/6221.html 2026-02-10
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防雷电路,防浪涌电路设计-KIA MOS管
防浪涌抑制电路的原理是利用场效应管的电流放大特性，控制输入电流从0逐渐增加，缓慢的为输出侧电容充电，直至场效应管完全导通，从而避免由于输出侧电容的瞬间短路特性导致产生的大电流。www.kiaic.com/article/detail/6220.html 2026-02-10
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1n60场效应管参数引脚图,600v1a mos管,KIA1N60-KIA MOS管
1n60场效应管漏源电压600V，漏极电流1A，专为高压、高速功率开关应用设计，低导通电阻RDS(开启) 9.3Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值5.0nC），降低开关损耗，性能高效；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力、高坚固性，稳定可靠；...www.kiaic.com/article/detail/6219.html 2026-02-09
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KND3003A
KND3003Awww.kiaic.com/product/detail/475.html 2026-02-09
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ss34,ss34二极管参数,ss34代换型号-KIA MOS管
SS34是一款贴片肖特基二极管，具有40V反向耐压、3A正向电流、500mV@3A低正向压降，封装类型为DO-214AB（SMC），表面贴装双引脚设计；封装尺寸：约7.11×6.22mm（兼容SMA/SMB封装）。www.kiaic.com/article/detail/6218.html 2026-02-09
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背靠背防倒灌电路,mos管防倒灌电路-KIA MOS管
当控制端为高电平时，三极管Q5导通，Q3和Q4的栅极被拉低到0V，Q3通过体二极管导通，接着Q4导通，负载端得到Vin电压。当控制端为低电平时，三极管Q9断开，Q3与Q4不导通，并且完全关断，由于Q3与Q4的体二极管是反向串联的，所以无论哪个方向都是不通的，实现了防...www.kiaic.com/article/detail/6217.html 2026-02-09
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13n50场效应管,500v13a,KIA13N50HF参数引脚图-KIA MOS管
KIA13N50HF场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，低导通电阻RDS(开启) 0.4Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值45nC），降低开关损耗，性能高效；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于逆变器后级电路，以及电子镇流器...www.kiaic.com/article/detail/6216.html 2026-02-06
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dfn5x6封装尺寸,dfn5x6封装引脚定义-KIA MOS管
DFN5x6封装是一种表面贴装半导体封装形式，“DFN”代表双侧扁平无引线封装（Dual Flat No-leads），而“5x6”则指其外部尺寸约为5毫米×6毫米。这种封装是随着半导体行业对更高功率密度、更优散热性能和更小体积的需求，在传统QFN/DFN封装技术基础上逐步发...www.kiaic.com/article/detail/6215.html 2026-02-06