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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 153 个

  • KNP2906C TO-220 60V130A 低内阻 替代 IRFP3206

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    KIA 原厂 KNP2906C TO-220 N 沟道功率 MOSFET,耐压 60V 持续电流 130A,典型 Rds (on)=4.6mΩ,低栅极电荷开关损耗低,100% 耐压雪崩全检,可直接替代 IRFP3206、FQP130N06,现货供应,适配电动车控制器、快充电源、锂电保护板、工业电机驱动,低发热高可靠性...

    www.kiaic.com/article/detail/6511.html         2026-07-03

  • KNB2906C TO-263 60V130A 低内阻贴片 不易发烫击穿

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    KIA 原厂 KNB2906C TO-263 贴片 N 沟道 MOSFET,耐压 60V 持续电流 130A,典型 Rds (on)=4.6mΩ 低发热,低栅极电荷开关损耗小,出厂 100% 耐压、UIS 雪崩检测,可直接替代 IRFS3206、FDD130N06,现货供应,适配电动车电控、大功率快充、储能保护板、工业 DC-D...

    www.kiaic.com/article/detail/6512.html         2026-07-03

  • KIA2906AH TO-3P 60V130A 大功率直插 MOS 管现货

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    KIA 原厂 KIA2906AH TO-3P 直插 N 沟道大功率 MOS 管,60V 耐压、130A 持续大电流,直击大功率电源三大行业痛点:整机长期高温发热、短路冲击 MOS 频繁炸管、大功率设备转换损耗高。

    www.kiaic.com/article/detail/6510.html         2026-07-02

  • KCY3206B DFN5*6 60V95A 超低内阻 SGT MOS 管现货

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    KIA 原厂 KCY3206B DFN56 贴片 N 沟道 SGT MOS 管,60V 耐压、95A 持续大电流,直击电源行业三大核心痛点:整机温升过高、大功率冲击 MOS 易炸管、高频同步整流转换效率低。

    www.kiaic.com/article/detail/6509.html         2026-07-02

  • KND3306C TO-252 68V80A 低内阻 MOS 管现货

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    KIA 原厂 KND3306C TO-252 贴片 N 沟道 MOS 管,68V 耐压 80A 大电流,解决电源 MOS 发热严重、高频电路波形震荡、负载冲击易炸管三大痛点。

    www.kiaic.com/article/detail/6508.html         2026-07-02

  • KCD3406B TO-252 60V80A N 沟道 MOS 管 低内阻快充专用

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    KIA 原厂 KCD3406B TO-252 贴片 N 沟道功率 MOS 管,额定 60V80A,采用先进 SGT 沟槽工艺,VGS=10V 导通电阻仅 7.8mΩ,解决电源发热大、转换效率低客户痛点。超低栅极电荷,开关速度快,抑制 CdV/dt 震荡;出厂 100% UIS、ΔVds 雪崩测试,耐冲击不易炸管。TO...

    www.kiaic.com/article/detail/6507.html         2026-07-01

  • KCY3406 DFN5*6 80A60V N 沟道|低内阻快充电源专用

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    KIA 原厂 KCY3406 DFN5*6 N 沟道功率 MOSFET,耐压 60V / 电流 80A,SGT 工艺导通电阻仅 7.8mΩ。解决电源发热、开关损耗大、耐压不稳定痛点,超低栅电荷适配快充、DC-DC、电机驱动,100% UIS 全检,可直接替换 BSC080N06LS5,现货供应!

    www.kiaic.com/article/detail/6506.html         2026-07-01

  • KCD3406B TO-252 60V80A 高速|PD 快充低栅电荷场效应管现货

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    KIA 原厂 KCD3406B TO-252 封装 60V80A SGT 高速 MOSFET,总栅电荷仅 16nC,Rds (on) 典型 7.8mΩ,强抗 dV/dt 干扰。可直接替代 AOD6080、NTD80N06,解决进口 MOS 交期长、溢价高痛点,PD 快充、工业电源批量现货,出厂全检,可免费申请样品测试。

    www.kiaic.com/article/detail/6505.html         2026-06-30

  • KIA50N06DD TO-252 60V50A 低内阻|电动工具功率场效应管现货

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    KIA 原厂 KIA50N06DD TO-252 封装 60V50A N 沟道 MOSFET,导通内阻典型 7.5mΩ,225mJ 雪崩抗冲击。可直接替代 AOD6050、NTD50N06,解决进口 MOS 交期长、单价高痛点,电动工具、工业电源批量现货,出厂全检品质稳定,可免费试样。

    www.kiaic.com/article/detail/6504.html         2026-06-30

  • KND64045A TO-252 45V13A 低内阻|快充电源专用场效应管

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    KIA 原厂 KND64045A TO-252 封装 45V13A N 沟道 MOSFET,Rds (on) 典型 6.6mΩ,超低栅电荷,182mJ 雪崩抗冲击。完美替代 AOD4454、UT45N13L,解决进口 MOS 交期久、单价高痛点,快充、DC-DC 电源批量现货,出厂全检品质稳定。KND64045A 45V 13A N沟道MOSFET参...

    www.kiaic.com/article/detail/6503.html         2026-06-30

  • KCY1104A DFN5*6|0.7mΩ 超低内阻解决储能电源发烫炸管痛点

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    储能、UPS 设备大电流发烫、MOS 频繁炸管?KIA 原厂 KCY1104A DFN5*6 MOS 管,40V 耐压 315A 持续电流,典型 Rds (on)=0.7mΩ,800mJ 高雪崩耐受,SGT 工艺低损耗,适配同步整流 DC-DC 储能电源,可平替英飞凌、AOT 同规格型号,现货可拿样!

    www.kiaic.com/article/detail/6502.html         2026-06-30

  • KCT1704B TOLL-8|0.78mΩ 低内阻解决快充发热炸管痛点

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    大功率快充设备大电流发烫、MOS 频繁炸机?KIA 原厂 KCT1704B TOLL-8 MOS 管,40V 耐压 260A 持续电流,典型 Rds (on)=0.78mΩ,950mJ 高雪崩耐受,SGT 工艺低损耗,适配同步整流 DC-DC 快充,可平替英飞凌、AOT 同规格型号,现货可拿样!

    www.kiaic.com/article/detail/6501.html         2026-06-29

  • KCY1704B 40V260A DFN5*6|超低 1mΩ 内阻解决快充发热痛点

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    大功率快充电源发热、大电流压降大?KIA 原厂 KCY1704B DFN5*6 MOS 管,40V260A,典型 Rds (on)=1mΩ,SGT 工艺低损耗,脉冲电流 780A,适配同步整流、DC-DC 快充方案,可替代 AOT / 英飞凌同规格型号,现货供应,提供规格书与样品!

    www.kiaic.com/article/detail/6500.html         2026-06-29

  • KNP2404A 规格书 TO-220 40V190A N 沟道 KIA 原厂现货

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    KIA 原厂 KNP2404A TO-220 直插 MOS 管,40V/190A,Rds (on) 仅 2.2mΩ,529mJ 超高雪崩耐量,解决大功率电源发热、浪涌炸管痛点,适配开关电源、DC-DC 储能,现货可替代 IRF3205,免费提供规格书样品!

    www.kiaic.com/article/detail/6499.html         2026-06-26

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