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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 130 个

  • sod523封装尺寸,SOD封装尺寸对照表-KIA MOS管

    SOD封装是大部分贴片二极管的安装形式。SOD,小外形二级管(Small OutlineDiode),目前已经衍生了一系列标准封装形式。这些二极管封装用SOD后面的一串数字进行区分,例如SOD-23、SOD-523、SOD323等等。

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    www.kiaic.com/article/detail/6202.html         2026-02-02

  • 10a600v快恢复二极管,10tb60快恢复管,KIA10TB60BP参数-KIA MOS管

    KIA10TB60BP快恢复二极管开关特性好、反向恢复时间短,具有超快的45纳秒恢复时间、反向电压至600V,高效稳定可靠,还具有高效、低VF,高电流承载能力,高可靠性,高浪涌电流承载能力以及低功耗,适用于低压高频逆变器、自由轮换及极性保护应用?;环氧树脂符合...

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    www.kiaic.com/article/detail/6201.html         2026-01-30

  • 电流串联负反馈电路,电流并联负反馈电路-KIA MOS管

    基本放大电路就是一个集成运放LM307H,并用一个开关来控制电路有无反馈的存在。开关方向的说明如下:当开关拨向左边时,表示无反馈;当开关拨向右边时,接入反馈电路。用一个示波器来观察反馈的情况。其中,输入信号V1是一个交流电压源信号。

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    www.kiaic.com/article/detail/6200.html         2026-01-30

  • 电压并联负反馈电路,电压串联负反馈电路-KIA MOS管

    当开关拨向左边时,表示无反馈;当开关拨向右边时,接入反馈电路。用一个示波器来观察反馈的情况。其中,输入信号V1是一个交流电压源信号。示波器A通道连接输入信号【红色】;B通道连接输出信号【蓝色】。

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    www.kiaic.com/article/detail/6199.html         2026-01-30

  • 3104场效应管,40v110a mos,KCY3104S参数资料-KIA MOS管

    KCY3104S漏源击穿电压40V,漏极电流110A,采用先进SGT技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 1.5mΩ,最小化开关损耗,高效低耗,提供卓越的开关性能;具有低栅极电荷、高电流承载能力、符合RoHS和无卤素标准,稳定可靠,适用于SMPS同步整流、DC/DC转换器、或门电路...

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    www.kiaic.com/article/detail/6198.html         2026-01-29

  • 电压负反馈放大电路,原理图分享-KIA MOS管

    正反馈用在放大电路中可以将放大电路变为振荡器,负反馈用在放大电路中可以使放大性能更好更稳定。

    www.kiaic.com/article/detail/6197.html         2026-01-29

  • 电流反馈运算放大器,电流反馈功放电路-KIA MOS管

    输入信号电压经增益为1的缓冲器(BG1、BG2)转换成电流之后,再经IV变换器(BG3、BG4)转换成电压,然后经BG5、BG6进一步放大输出,驱动负载。反馈电阻Rf将输出电压转换成电流后,加到IV变换器的发射极电阻Rs上构成电流负反馈。因而Rs上流过的电流是V变换器的电...

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    www.kiaic.com/article/detail/6196.html         2026-01-29

  • 40n20场效应管参数,40a200v mos管,KIA40N20AF-KIA MOS管

    KIA40N20AF漏源击穿电压200V,漏极电流40A,低导通电阻RDS(开启) 0. 08Ω(最大值),最小化开关损耗,高效低耗,提供卓越的开关性能?;具有低栅极电荷、?快速切换能力、符合RoHS标准,稳定可靠,适用于DC-DC转换器、UPS、DC-AC转换器以及逆变电路、安防、拉杆...

    www.kiaic.com/article/detail/6195.html         2026-01-28

  • 三电平逆变电路原理,三电平逆变器拓扑-KIA MOS管

    通过控制不同开关器件的通断组合,可以在输出端产生三种不同的电平状态:+Udc/2、0、-Udc/2(其中Udc为直流母线总电压)。

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    www.kiaic.com/article/detail/6194.html         2026-01-28

  • 半桥功率变换电路原理,半桥变换器原理-KIA MOS管

    半桥电路由两个功率开关管(通常标记为S1和S2)、两个串联的输入电容(C1和C2)以及一个变压器或电感负载组成。两个开关管的连接点作为输出端,连接到负载。输入电容将直流输入电压(Vin)平均分为两部分,每个电容承受Vin/2的电压应力。

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    www.kiaic.com/article/detail/6193.html         2026-01-28

  • bldc电机驱动mos管,27a800v场效应管,7880mos管参数-KIA MOS管

    KNK7880A场效应管漏源击穿电压800V,漏极电流27A,采用先进的平面工艺制造,低导通电阻RDS(开启) 280mΩ,最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,高效率低损耗;具有低栅极电荷、坚固的多晶硅栅极结构,可靠稳定;广泛应用于BLDC电机驱动器、电焊机、高...

    www.kiaic.com/article/detail/6192.html         2026-01-27

  • 全桥功率变换器工作原理,全桥变换电路-KIA MOS管

    当对角线上的开关管(如Q1和Q4)同时导通时,电流路径为:电源正极→Q1→高频变压器初级绕组→Q4→电源负极。此时,变压器初级绕组承受正向输入电压,能量从原边传递至副边。

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    www.kiaic.com/article/detail/6191.html         2026-01-27

  • 推挽式变换器工作原理,推挽电路-KIA MOS管

    两个NPN 晶体管将启用推挽功能。两个晶体管 Q1 和 Q2 不能同时导通。当 Q1 开启时,Q2 将保持关闭状态,当 Q1 关闭时,Q2 将开启。它会按顺序发生,并将继续循环。

    www.kiaic.com/article/detail/6190.html         2026-01-27

  • dcdc转换器,​8606场效应管,60v35a,to252,​KND8606B-KIA MOS管

    KND8606B场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流35A,采用先进的平面条纹DMOS技术制造,低导通电阻RDS(开启) 15mΩ,最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲,高效稳定;具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换、100%雪崩测试...

    www.kiaic.com/article/detail/6189.html         2026-01-26

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