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电源切换mos,2908场效应管,to263封装mos,KNB2908B-KIA MOS管
KNB2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高，抗冲击能力强、性能优越，广泛应...www.kiaic.com/article/detail/5917.html 2025-09-11
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mos管输出特性和转移特性,mos管特性曲线-KIA MOS管
N沟道增强型MOSFET：当VGS超过阈值电压（VTH）时，ID开始增加，曲线呈上升趋势。P沟道增强型MOSFET：当VGS低于负阈值电压（-VTH）时，ID开始增加，曲线呈下降趋势。www.kiaic.com/article/detail/5916.html 2025-09-11
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转移特性曲线和输出特性曲线详解-KIA MOS管
输出特性曲线：N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1a所示。与结型场效应管一样，其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲线：转移特性曲线如图1b所示，由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区)，此时iD几乎不...www.kiaic.com/article/detail/5915.html 2025-09-11
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600v场效应管,600v22a,to220f封装,KLF60R170B参数-KIA MOS管
KLF60R170B漏源击穿电压600V，漏极电流22A，n沟道多外延Super-JMOSFET结合了高压耐压与低导通电阻的特性，?低导通电阻RDS(on) 150mΩ，超低栅极电荷30.2nc，最大限度地减少导电损耗，提高系统效率。具备超快切换，适用于高频开关，100%雪崩测试、改进的dv/dt能...www.kiaic.com/article/detail/5914.html 2025-09-10
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电动机正反转接线,接线方法步骤-KIA MOS管
电机要实现正反转控制，将其电源的相序中任意两相对调即可（换相），通常是V相不变，将U相与W相对调节器，为了保证两个接触器动作时能够可靠调换电动机的相序，接线时应使接触器的上口接线保持一致，在接触器的下口调相。由于将两相相序对调，故须确保二个KM线...www.kiaic.com/article/detail/5913.html 2025-09-10
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电动机正反转电路,原理图-KIA MOS管
在正转控制中，当电源开关Q闭合，并按下正转按钮SB2时，接触器KM1的线圈会通电并吸合。其主触点会闭合，同时常开辅助触点也会闭合并自锁。在反转控制中，按下反向起动按钮SB3时，电动机的反转过程类似，首先会断开KM1的控制电路，随后其常开触点才会闭合，从而...www.kiaic.com/article/detail/5912.html 2025-09-10
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电机mos,12a900v场效应管,to247封装,KNM6390A参数-KIA MOS管
KNM6390A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流12A，采用高级平面工艺制造，?低导通电阻RDS（ON）0.75Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗，提高系统效率；具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快，加固多晶硅栅极结构，?稳定可靠；广泛应用...www.kiaic.com/article/detail/5911.html 2025-09-09
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电动车充电拓扑结构,DC-DC拓扑结构-KIA MOS管
LLC转换器在初级端实现了零电压开关（ZVS），同时在谐振频率及以下--在次级端实现了零电流开关（ZCS）从而在谐振频率附近产生了非常高的峰值效率。www.kiaic.com/article/detail/5910.html 2025-09-09
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电动车控制器开关驱动原理,电路图-KIA MOS管
电动车控制器是用来控制电动车电机的启动、运行、进退、速度、停止以及电动车的其它电子器件的核心控制器件。电动车控制器是通过PWM脉宽调制实现电机转速控制。控制器内部包含主芯片和功率变换模块，主芯片接收转把、刹车等输入信号，通过运算生成PWM信号。该信...www.kiaic.com/article/detail/5909.html 2025-09-09
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600v24a mos,to247封装,KLM60R135BD场效应管参数-KIA MOS管
KLM60R135BD场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流24A，采用多层外延工艺的超结MOS，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，提高效率；极低导通电阻RDS（ON）110mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷Qg 46nC，减少开关损耗；具有高耐用性、超快开关速度以及100%雪崩测...www.kiaic.com/article/detail/5908.html 2025-09-05
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电容换算单位,电容换算公式-KIA MOS管
电容的基本度量单位为法拉（F）。因法拉单位量值较大，实际电路中常用更小的衍生单位进行计量：微法（μF)，其与法拉的换算关系为1μF=10-6F；纳法（nF），换算关系为1nF=10-9F；皮法（pF），换算关系为1pF=10-12F。www.kiaic.com/article/detail/5907.html 2025-09-05
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单极型半导体器件是指什么,有哪些?-KIA MOS管
单极型半导体器件是一种主要依靠一种载流子（多数载流子）参与导电的半导体器件。这类器件通过电场效应控制电流，而非双极型器件中电子与空穴同时参与导电机理。www.kiaic.com/article/detail/5906.html 2025-09-05
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60r090mos参数,600v mos管,KLM60R090B场效应管参数-KIA MOS管
KLM60R090B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流38A，是采用多层外延工艺的超结MOS，内阻低、抗冲击能力强，高效低耗；低导通电阻RDS（ON）80mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷Qg 52nC，减少开关损耗、提高系统效率；具有高耐用性、超快开关速...www.kiaic.com/article/detail/5905.html 2025-09-04
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制动控制电路图,制动控制电路原理-KIA MOS管
当按下按钮SB1，接触器KM线圈获电动作，电动机通电，电磁抱闸的线圈YB也通电，铁芯吸引衔铁而吸合，同时衔铁克服弹簧拉力，迫使制动杠杆向上移动，从而使制动器的闸瓦与闸轮松开，电动机正常运转。www.kiaic.com/article/detail/5904.html 2025-09-04