返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 306 个

  • 替代进口 C2M0040120D｜KSM040N120B 1200V 碳化硅

    2 次查看

    KSM040N120B 1200V68A 碳化硅 MOS 管 TO247 封装，40mΩ 低内阻，高频低损耗，完美对标进口 40mΩ1200V SiC 功率管，适配光伏、充电桩、工业高压电源，原厂现货可免费送样。

    www.kiaic.com/article/detail/6488.html         2026-06-23

  • KPG4506A -60V6A P 沟道 DFN3*3 低内阻负载开关专用

    0 次查看

    KIA 原厂 KPG4506A DFN3*3 P 沟道 MOS 管，额定 - 60V/6A，典型 Rds (on)=54mΩ，支持 5V 逻辑电平驱动，100% UIS 雪崩测试。适配负载开关、电源管理、高速线路驱动，可替代 AO4406、SI4406BD 等同规格竞品，无铅 RoHS 合规，现货库存，提供完整规格书。

    www.kiaic.com/article/detail/6487.html         2026-06-22

  • KCY3610A DFN5*6 100V60A SGT MOS 管 低内阻兼容

    3 次查看

    KCY3610A 是 DFN5*6 封装 100V/60A SGT N 沟 MOS，Rds (on) 仅 8mΩ，超低栅电荷开关速度快，100% 雪崩全检，抑制 CdV/dt 干扰，适配高压快充、工业电源，可直接替代 NCEP60U100，免费提供规格书！

    www.kiaic.com/article/detail/6486.html         2026-06-22

  • KIA50L06TD TO-252-4 60V N+P 双沟道 MOS 管 48A/49A

    1 次查看

    KIA50L06TD 为 TO-252-4 封装 60V N+P 双通道功率 MOSFET，N 沟 48A/P 沟 49A，Rds (on) 低至 13.5mΩ，低栅电荷开关快，100% 雪崩检测，适配同步降压、H 桥驱动，可直接替代 AOD506 等竞品，原厂稳定供货！

    www.kiaic.com/article/detail/6485.html         2026-06-22

  • KGB10N65A 10N65A 贴片 IGBT TO263 可替代 FGA10N65TF

    2 次查看

    选型 650V 贴片 IGBT 选 KGB10N65A TO263 封装，开通 / 关断损耗均衡，25~175℃宽温稳定，680V 以上高耐压抵御电网尖峰，省去外置续流二极管降低 BOM 成本，适用于小家电开关电源、光伏微逆、车载逆变，规格书齐全支持批量拿样。KGB10N65A(10N65A) IGBT完整规格...

    www.kiaic.com/article/detail/6483.html         2026-06-18

  • KIA KCT010N04N 功率 TOLL8L 封装 0.85mΩ 低内阻新能源专用

    0 次查看

    KCT010N04N 超低阻功率 MOS，TOLL8L 大电流散热封装，单颗承载 395A，无需多颗并联降成本。1369mJ 雪崩抗浪涌，-55~150℃宽温稳定，电池管理、电机控制器、快充电源专用，规格参数齐全支持试样。

    www.kiaic.com/article/detail/6482.html         2026-06-18

  • KCT033N08N TOLL-8L 现货批发 国产替代进口 优化整机生产成本

    0 次查看

    长期采购进口 TOLL 功率 MOS 面临交期长、物料成本高问题？KCT033N08N 国产贴片 MOS，标准 TOLL-8L 封装兼容现有产线，低内阻减少散热物料投入，极小 Crss 缩短 EMC 调试工时，整卷 2000pcs 常备库存，量大议价空间大，可免费拿样验证

    www.kiaic.com/article/detail/6480.html         2026-06-17

  • KLM60R099B TO-247 MOS｜低栅电荷，高压电源不炸管不起振

    0 次查看

    高压 PFC / 充电桩 MOS 发烫、电感尖峰击穿、高频 EMI 振荡？KLM60R099B TO247 超结 MOS，90mΩ 低内阻，Qg 仅 56nC，100V/ns 抗 dv/dt，100% 雪崩全检，平替 IRFP35N60，免费寄样上机测试！

    www.kiaic.com/article/detail/6479.html         2026-06-17

  • KCP035N10N TO-220 MOS｜3.3mΩ 超低内阻，大电流不发烫炸管

    2 次查看

    电机 / 大功率 DC-DC MOS 温升超标、电感浪涌击穿、损耗高？KCP035N10N TO220 功率 MOS，3.3mΩ 低 Rds (on)，800mJ 抗雪崩，70ns 快恢复二极管，100% 耐压 + 雪崩全检，平替 IRFP120N，免费寄样上机测试！

    www.kiaic.com/article/detail/6478.html         2026-06-17

  • KNG3080B DFN3*3 MOS｜4.1mΩ 超低内阻，大电流不发烫炸管

    0 次查看

    快充 / 锂电 MOS 发热、浪涌击穿、PCB 占位大？KNG3080B DFN3*3 功率 MOS，4.1mΩ 低导通内阻，320A 峰值电流，308mJ 抗雪崩，18ns 超快恢复二极管，适配负载开关、便携电源，平替 BSZ080N03LSG，免费寄样测试！

    www.kiaic.com/article/detail/6477.html         2026-06-16

  • KNF20N65A TO-220F MOS｜低内阻低损耗，高压不易炸管

    4 次查看

    开关电源 MOS 发热、高压尖峰击穿、电源效率低？KNF20N65A TO220F 功率 MOS，0.38Ω 低导通内阻，低栅电荷减少开关损耗，850mJ 高雪崩抗浪涌，适配电视电源、适配器、SMPS，替代 FQPF20N65，免费寄样测试！KNF20N65A TO-220F 20A65V平面MOS管完整参数规格*{box...

    www.kiaic.com/article/detail/6476.html         2026-06-16

  • KND3203C TO-252 MOS 管｜低内阻不发烫，替代 AO3400 不炸板

    0 次查看

    还在愁 MOS 管发热炸机、耐压虚标、交期延误？KND3203C TO252 封装 N 沟道 MOS，低 Rds (on) 温升低，支持 5V 单片机直驱，60V 耐压余量足，适配小家电、安防电源、LED 驱动，原厂全检 EAS+2KV ESD，长期稳定供货，可直接替代 AO3400、AOD4184，免费寄样测试！...

    www.kiaic.com/article/detail/6475.html         2026-06-16

  • KNG/KNY/KND/KNB3403C 30V 80A MOSFET 国产替代

    75 次查看

    ：KIA 3403C 系列 30V/80A MOSFET，Rds (on) 低至 4.3mΩ，适配快充 / 电池保护 / 电机驱动，直接替代 IRL3803，交期稳、成本优。

    www.kiaic.com/article/detail/6412.html         2026-06-15

  • KCD3008C 120A 85V TO-252 MOS管｜解决电源发热缺货难题

    0 次查看

    大功率储能、锂电池BMS设备发热炸管？进口MOS长期缺货交期久？选可易亚KCD3008C TO-252封装MOSFET！85V耐压120A连续电流，SGT工艺Rds(on)仅4.7mΩ，大幅降低整机温升；出厂100%UIS、ΔVds可靠性全检，306mJ高雪崩能量耐负载冲击；标准TO-252引脚通用，直接替代...

    www.kiaic.com/article/detail/6474.html         2026-06-15

234567
Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号