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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 342 个

  • llc谐振电路工作原理图文详解-KIA MOS管

    LLC谐振电路主要由开关电路、谐振电路以及整流电路三个部分组成。通过控制开关管的开关时间和频率，使得谐振电路中的电感、电容和变压器之间产生谐振振荡，从而实现高效的能量转换。

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    www.kiaic.com/article/detail/5898.html         2025-09-02

  • 7805三端稳压器,7805引脚图参数-KIA MOS管

    7805是一款三端稳压集成电路，常见的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。7805三端稳压器主要参数包括输出电压5V（4.8V~5.2V）、最大输出电流1.5A、输入电压范围7V~35V，封装类型常见为TO-220或TO-92。

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    www.kiaic.com/article/detail/5897.html         2025-09-02

  • 80R240场效应管,800Vmos管,to220f,KLF80R240B参数-KIA MOS管

    KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能力强...

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    www.kiaic.com/article/detail/5896.html         2025-09-01

  • 短沟道效应详解,dibl效应分析-KIA MOS管

    短沟道效应（short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。

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    www.kiaic.com/article/detail/5895.html         2025-09-01

  • 场效应管的夹断电压是什么？-KIA MOS管

    夹断电压VGS(off)（或VP）夹断电压是耗尽型场效应管（FET）的关键参数。当栅源电压VGS等于夹断电压VGS(off)时，漏极电流将降至为零。

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    www.kiaic.com/article/detail/5894.html         2025-09-01

  • 3404场效应管,3404pmos,dfn5*6,​KPY3404A参数-KIA MOS管

    KPY3404A场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-85A，使用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(on) 5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；优异的CdV/dt效应衰减，?100% EAS保障、绿色设备可用，稳定可靠；高输入阻抗...

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    www.kiaic.com/article/detail/5893.html         2025-08-28

  • 色环电阻颜色对照表,色环电阻对照表-KIA MOS管

    在四色环电阻中，第一环表示有效数字，第二环表示倍数，第三环表示允许误差。例如，一个四色环电阻的颜色顺序为“棕、黑、金、金”，则其阻值为10×10^0=10欧姆，允许误差为±5%。

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    www.kiaic.com/article/detail/5892.html         2025-08-28

  • 移相电路原理图,工作原理分析-KIA MOS管

    移相电路是一种特殊的信号处理电路，专为改变输出信号与输入信号之间的相位关系而设计，同时保持信号幅度不变。移相电路在实际工程中应用广泛，如锁定放大器、外差接收、同步、波形合成等。移相电路的本质是改变输出信号与输入信号的相位关系，所以必须会用到电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5891.html         2025-08-28

  • 逆变器mos,irfp064参数代换,60v100a场效应管,KNM3206B-KIA MOS管

    irfp064场效应管代换型号KNM3206B?漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进平面工艺制造，高密度单元设计实现极低导通电阻RDS(on) 7.4mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；环氧树脂通过UL 94 V-0阻燃认证、无卤素，稳定可靠?...

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    www.kiaic.com/article/detail/5890.html         2025-08-27

  • 直流充电桩电源模块,充电桩模块电路-KIA MOS管

    充电桩核心是一个基本的AC-DC转换器。它由PFC级、直流母线和DC-DC模块组成。直流充电桩的功率转换核心通常由一个或多个功率模块构成。一个典型的“充电桩功率模块”（例如15kW模块）内部电路包含整流+PFC和DC/DC变换两级功率电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/5889.html         2025-08-27

  • 直流充电桩原理图,工作原理详解-KIA MOS管

    直流充电桩基本构成包括：功率单元、控制单元、计量单元、充电接口、供电接口及人机交互界面等。功率单元是指直流充电模块，控制单元是指充电桩控制器。充电基本过程： 在电池两端加载直流电压，以恒定大电流对电池充电，电池的电压渐渐地缓慢地上升，上升到一...

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    www.kiaic.com/article/detail/5888.html         2025-08-27

  • 充电mos,6a1000v场效应管,to220,​KNP45100A参数-KIA MOS管

    KNP45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，性能卓越；快速恢复体二极管，开关特性好、反向恢复时间短?，符合RoHS，高坚固性，稳定可靠；广...

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    www.kiaic.com/article/detail/5887.html         2025-08-26

  • 变压器隔离驱动电路图,电路原理-KIA MOS管

    变压器隔离驱动电路基于电磁感应定律和电绝缘隔离原理，当原边绕组施加交流电压时，产生交变磁场，副边绕组通过电磁感应产生电动势。通过控制原边绕组的占空比信号（如PWM），可调节副边绕组的电压波形，进而驱动MOS管等功率器件。

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    www.kiaic.com/article/detail/5886.html         2025-08-26

  • 直流电子负载的工作原理,原理图-KIA MOS管

    直流电子负载是通过控制内部功率（MOSFET）或晶体管的导通量（量占空比大小），依靠功率管的耗散功率消耗电能的设备。直流电子负载的核心是通过功率器件（如MOSFET或IGBT）组成的电路精确模拟用电设备特性。

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    www.kiaic.com/article/detail/5885.html         2025-08-26

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