返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 302 个

  • KCY2604A 规格书 DFN5*6 40V175A N 沟道 SGT 原厂现货

    2 次查看

    KCY2604A 规格书 DFN5*6 40V175A N 沟道 SGT MOSFET 原厂现货SGT 先进工艺｜175A 超大通流｜1.4mΩ 超低内阻，解决电源高温、转换效率低痛点KCY2604A,KCY2604A DFN5*6,40V175A MOS 管，DFN56 贴片 MOSFET,KIA 功率 MOS 管KCY2

    www.kiaic.com/article/detail/6498.html         2026-06-26

  • KCB2904A TO-263 45V130A 低内阻｜快充同步整流专用

    4 次查看

    KIA 原厂 KCB2904A TO-263 贴片 MOS 管，45V/130A SGT 工艺，Rds (on) 仅 2.0mΩ，低输入电容降低开关损耗，解决快充发热、并联均流差难题，适配快充同步整流、BMS、UPS，现货可替代 IRL3103LS、WSP40130 等竞品，免费提供规格书样品！

    www.kiaic.com/article/detail/6497.html         2026-06-26

  • KNB2904A TO-263 40V130A｜2.5mΩ 低内阻快充功率管

    0 次查看

    KIA 原厂 KNB2904A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道功率 MOS，额定 40V 耐压、130A 连续电流，典型 Rds (on)=2.5mΩ，单脉冲雪崩能量 250mJ，结壳热阻仅 0.96℃/W。完美解决大功率同步整流发热严重、电感电机负载易炸管、高频电源损耗大、器件批次一致性差、密闭设备...

    www.kiaic.com/article/detail/6496.html         2026-06-25

  • KND2904A TO-252 40V130A｜2.5mΩ 低内阻快充功率管

    0 次查看

    KIA 原厂 KND2904A TO-252 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、130A 连续电流，典型 Rds (on)=2.5mΩ，单脉冲雪崩能量 250mJ，结壳热阻仅 0.96℃/W。完美解决大功率同步整流温升高、电感电机负载易炸管、高频开关损耗大、器件批量一致性差等客户痛点；...

    www.kiaic.com/article/detail/6495.html         2026-06-25

  • KNB3004A TO-263 40V120A｜3.8mΩ 低内阻快充功率管

    5 次查看

    IA 原厂 KNB3004A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、120A 连续电流，典型 Rds (on)=3.8mΩ，单脉冲雪崩能量 324mJ，结壳热阻仅 1.1℃/W。完美解决大功率同步整流温升高、电感电机负载易炸管、高频开关损耗大、器件批量一致性差等客户痛点；超...

    www.kiaic.com/article/detail/6494.html         2026-06-25

  • KCY3104S DFN5*6 40V110A SGT｜1.5mΩ 低发热同步整流管

    0 次查看

    KIA 原厂 KCY3104S DFN56 封装 SGT 工艺 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、110A 连续电流，典型 Rds (on)=1.5mΩ，单脉冲雪崩能量高达 400mJ，结壳热阻仅 1℃/W。完美解决大功率同步整流温升高、电感负载易炸管、高频电源损耗大等客户痛点；低栅电荷设计适配高频...

    www.kiaic.com/article/detail/6493.html         2026-06-24

  • KCD3304A TO-252 40V90A SGT｜替代进口低损耗功率管

    4 次查看

    KIA 原厂 KCD3304A TO-252 封装 SGT 工艺 N 沟道 MOS 管，额定 40V/90A 连续电流，典型 Rds (on)=6.2mΩ，总栅电荷仅 13.5nC，Crss 低至 26pF。完美解决传统 MOS 高频损耗大、电压尖峰高、电感负载易炸管等客户痛点；出厂 100% UIS 雪崩、ΔVds 双重全检，72mJ...

    www.kiaic.com/article/detail/6492.html         2026-06-24

  • KND3404D TO-252 40V80A N 沟道 MOS 管 | 低内阻替代进口

    2 次查看

    KIA 原厂 KND3404D TO-252 封装 N 沟道 MOS 管，额定 40V/80A，典型 Rds (on)=4.4mΩ 超低导通内阻，出厂 100% 雪崩能量全检。解决普通 MOS 大电流温升高、电感负载易击穿、高频开关损耗大等客户痛点；适配 DC-DC 电源、快充适配器、锂电池保护板、电动车控制器...

    www.kiaic.com/article/detail/6491.html         2026-06-24

  • AON6792 缺货替代料 KNY3404C DFN56 5mΩ 低内阻国产

    2 次查看

    KIA 原厂 KNY3404C DFN5*6 40V80A N 沟道沟槽 MOSFET，典型 Rds (on)=5mΩ，低栅电荷、110mJ 高雪崩耐受，可直接替代 AON6792、NCE4080K，国产现货库存，批量采购成本降低 30%，适配车载快充、同步 Buck 电源，免费提供样品测试！

    www.kiaic.com/article/detail/6490.html         2026-06-23

  • 替代进口 AON6408 MOS 管 KNY8104A DFN5*6 高频开关专用

    2 次查看

    KIA 原厂 KNY8104A DFN5*6 封装 40V30A N 沟道 MOSFET，典型 Rds (on)=12mΩ，低反向电容 Crss，高速开关。可直代 AON6408、NCE4030K 等进口 MOS，现货库存，交期稳定，适配快充、电源管理、负载开关，提供完整规格书，免费送样测试

    www.kiaic.com/article/detail/6489.html         2026-06-23

  • 替代进口 C2M0040120D｜KSM040N120B 1200V 碳化硅

    2 次查看

    KSM040N120B 1200V68A 碳化硅 MOS 管 TO247 封装，40mΩ 低内阻，高频低损耗，完美对标进口 40mΩ1200V SiC 功率管，适配光伏、充电桩、工业高压电源，原厂现货可免费送样。

    www.kiaic.com/article/detail/6488.html         2026-06-23

  • KPG4506A -60V6A P 沟道 DFN3*3 低内阻负载开关专用

    0 次查看

    KIA 原厂 KPG4506A DFN3*3 P 沟道 MOS 管，额定 - 60V/6A，典型 Rds (on)=54mΩ，支持 5V 逻辑电平驱动，100% UIS 雪崩测试。适配负载开关、电源管理、高速线路驱动，可替代 AO4406、SI4406BD 等同规格竞品，无铅 RoHS 合规，现货库存，提供完整规格书。

    www.kiaic.com/article/detail/6487.html         2026-06-22

  • KCY3610A DFN5*6 100V60A SGT MOS 管 低内阻兼容

    3 次查看

    KCY3610A 是 DFN5*6 封装 100V/60A SGT N 沟 MOS，Rds (on) 仅 8mΩ，超低栅电荷开关速度快，100% 雪崩全检，抑制 CdV/dt 干扰，适配高压快充、工业电源，可直接替代 NCEP60U100，免费提供规格书！

    www.kiaic.com/article/detail/6486.html         2026-06-22

  • KIA50L06TD TO-252-4 60V N+P 双沟道 MOS 管 48A/49A

    1 次查看

    KIA50L06TD 为 TO-252-4 封装 60V N+P 双通道功率 MOSFET，N 沟 48A/P 沟 49A，Rds (on) 低至 13.5mΩ，低栅电荷开关快，100% 雪崩检测，适配同步降压、H 桥驱动，可直接替代 AOD506 等竞品，原厂稳定供货！

    www.kiaic.com/article/detail/6485.html         2026-06-22

123456
Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号