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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5620 个

  • 三相逆变器,三相逆变电路原理图分享-KIA MOS管

    如上图所示，为一相的逆变桥。上下MOS管不能同时导通，那么可以有几种控制方式：PWM控制上管，下管电平控制（恒高或者恒低）；PWM控制下管，上管电平控制；

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    www.kiaic.com/article/detail/6062.html         2025-11-27

  • 保护板mos,30v90a场效应管,​KNY3303B参数引脚图-KIA MOS管

    KNY3303B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用KIA先进的沟槽技术，特别针对减少导通损耗、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能脉冲进行了优化；低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，具有低交叉频率、开关速度快，高效低...

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    www.kiaic.com/article/detail/6061.html         2025-11-26

  • 全桥整流电路,单相全桥整流电路图分享-KIA MOS管

    在正负半周时，不同的晶闸管导通与关断，实现电流的连续转换。当电源电压处于正半周时，VT1和VT4构成一对桥臂。一旦晶闸管接收到触发脉冲，它们会导通，而当电源电压达到零点时，这些晶闸管会自然关断。在负半周时，VT2和VT3则导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/6060.html         2025-11-26

  • 电子镇流器工作原理,作用详解-KIA MOS管

    电子镇流器是一种用于气体放电灯（如荧光灯、高压钠灯、金属卤化物灯等）启动和稳定工作的电子设备。它的核心作用是通过提供高频交流电（通常为20-50kHz）替代传统电感镇流器的工频交流电（50/60Hz），从而显著提升能效、减少闪烁、延长灯具寿命，并支持调光等...

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    www.kiaic.com/article/detail/6059.html         2025-11-26

  • 逆变器mos,400v10a场效应管,irf740代换,KNP6140A-KIA MOS管

    KNP6140A场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流10A，采用专有的新平面技术制造，?低导通电阻RDS(开启) 0.35Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅电荷，最小化开关损耗，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效...

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    www.kiaic.com/article/detail/6058.html         2025-11-25

  • 控制电机正反转电路图分享-KIA MOS管

    如图所示，按钮SB1和SB2是复合按钮。正反转控制：SB1按钮按下后，电动机正转；SB2按钮按下后，电动机反转。正反转直接切换，不用按停止按钮。

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    www.kiaic.com/article/detail/6057.html         2025-11-25

  • 控制电机有哪几种?控制电机的类型,作用-KIA MOS管

    控制电机主要用于精确控制位置、速度或加速度，常见类型包括：1. 步进电机：步进电机以脉冲信号驱动，通过控制脉冲数量和频率实现角度或位移的精准开环或闭环控制，结构简单、成本低，常用于打印机、自动化送料机等对定位精度要求较高的场景。

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    www.kiaic.com/article/detail/6056.html         2025-11-25

  • 充电器mos,1000v2a,to220,KNP41100A场效应管参数-KIA MOS管

    KNP41100A超高压场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 9.6Ω，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效率，稳定可靠，符合RoHS，环保无铅；...

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    www.kiaic.com/article/detail/6055.html         2025-11-24

  • PFM模式,pfm开关电源,开关电源控制模式-KIA MOS管

    PFM开关电源，是一种脉冲调制技术，调制信号的频率随输入信号幅值而变化，其占空比不变。由于调制信号通常为频率变化的方波信号，因此，PFM也叫做方波FM。固定导通/关断时间：PFM模式下，功率开关的导通时间（Ton）或关断时间（Toff）通常固定，通过改变开关频...

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    www.kiaic.com/article/detail/6054.html         2025-11-24

  • to252封装,to252封装尺寸图分享-KIA MOS管

    TO252（D-PAK）是一种金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的表面贴装型封装，这种封装具有较好的散热性能和机械稳定性，尺寸相对较小，适合在高密度电路板上使用。

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    www.kiaic.com/article/detail/6053.html         2025-11-24

  • MOS管TO封装-MOS管TO系列封装引脚图、封装尺寸及外观图-KIA MOS管

    文中将会介绍TO封装系列的封装尺寸及外观图，MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB 方式...

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    www.kiaic.com/article/detail/1496.html         2025-11-24

  • TO-3P封装MOS管型号-封装尺寸与MOS管原厂推荐-KIA MOS管

    TO-3P封装尺寸与外观，TO-3P封装型号表大全。KIA半导体提供这种封装的中、高、低MOS管，价格合理、并且免费提供送样，欢迎您的咨询！

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    www.kiaic.com/article/detail/1391.html         2025-11-24

  • bms电池管理mos,60v50a,to220,KNP3706A场效应管-KIA MOS管

    KNP3706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用先进的高密度沟槽技术制造，为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS（导通）和栅极电荷性能；具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷，开关速度快，高效低耗；100%EAS认证、...

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    www.kiaic.com/article/detail/6052.html         2025-11-21

  • sod323封装尺寸图,sod323封装-KIA MOS管

    SOD-323封装是一种常见的小功率表面贴装封装，具有高耐压能力、尺寸小、体积小、引脚间距精确、耐用性能好等特点。SOD-323封装的标准尺寸为长度约1.7-1.9mm、宽度约1.25-1.45mm、高度约0.9-1.0mm。

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    www.kiaic.com/article/detail/6051.html         2025-11-21

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