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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5620 个

  • dfn8封装尺寸图,dfn8封装详解-KIA MOS管

    DFN8封装尺寸长度：约2-4mm（部分器件可达5-6mm，如VBGQA1202N的5×6mm封装）。宽度：与长度相近，约2-4mm。厚度：约0.35-0.9mm。

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    www.kiaic.com/article/detail/6077.html         2025-12-04

  • 28n50场效应管,500v28a,to-220f,KIA28N50HF参数-KIA MOS管

    28n50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷、低交叉，开关速度快，高效低耗；100% 雪崩失效率、提高dv/dt能力、符合RoHS标准，稳定可靠；具有良好的开关特性，能够承受较大的耐压和电流，...

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    www.kiaic.com/article/detail/6076.html         2025-12-03

  • 芯片封装形式,芯片的八大封装分享-KIA MOS管

    引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种，引脚中心距为2.54mm,引脚数从6-64；适合在PCB上穿孔焊接，操作方便，体积比较大

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    www.kiaic.com/article/detail/6075.html         2025-12-03

  • sot-89,sot89封装尺寸图,sot封装-KIA MOS管

    SOT-89封装尺寸为长度4.5毫米、宽度2.45毫米、高度1.55毫米，引脚间距为1.5毫米，支持3或5引|脚配置。部分制造商的产品可能存在细微差异，例如长度可能为4.6毫米、宽度2.6毫米或高度1.6毫米。

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    www.kiaic.com/article/detail/6074.html         2025-12-03

  • 80v130a mos,​2908场效应管参数,to263封装,KNB2908D-KIA MOS管

    KNB2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，采用专有的新型技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，减少开关损耗，提高效率；具有卓越的电气参数，高雪崩电流，能够承受高功率负载，稳定可靠；无铅设...

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    www.kiaic.com/article/detail/6073.html         2025-12-02

  • 电源自动切换,12V电源自动切换电路图-KIA MOS管

    输入端连接可调稳压电源，调整VR1让电路在约11.5V时完成电源切换动作。为了实现更高效的能源管理，需要采用低导通电阻的PMOS场管。

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    www.kiaic.com/article/detail/6072.html         2025-12-02

  • led恒流驱动电路,led恒流驱动方案-KIA MOS管

    采用高频变压器或电感储能，通过PWM控制实现高效能量转换。效率高（可达90%以上），但电路复杂，常用于大功率LED驱动。

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    www.kiaic.com/article/detail/6071.html         2025-12-02

  • 30v80a mos,3080场效应管参数,to252,​KND3080-KIA MOS管

    KND3080是一款N沟道逻辑电平增强模式功率MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术制造，提供卓越的开关性能；极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗，超低栅极电荷，高效低耗；CdV/dt效应显著下降、100% ΔVd...

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    www.kiaic.com/article/detail/6070.html         2025-12-01

  • 高频开关电源电路,mos开关电路分享-KIA MOS管

    输入端：接收交流电源供给。通常包括滤波器、整流器和功率因数校正电路（PFC）等组件，用于将输入的交流电转换为直流电，并改善功率因数。直流/直流转换器：也称为DC-DC转换器，是高频开关电源的核心部分。它包括开关管、变压器、输出滤波器、反馈控制回路和保...

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    www.kiaic.com/article/detail/6068.html         2025-12-01

  • ​电动车pmos,100v35a,35P10场效应管,KIA35P10AD参数-KIA MOS管

    电动车报警器专用场效应管KIA35P10AD漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用KIA先进的沟槽技术制造，优秀的QgxRDS(on)产品(FOM)，提供卓越的开关性能；低导通电阻RDS(开启) 32mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗，低栅极电荷，高效低耗；符合JEDEC标准...

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    www.kiaic.com/article/detail/6067.html         2025-11-28

  • 高频电源,mos管等效模型分析-KIA MOS管

    从运放这张图中，可以看出这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，但是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较高，比如310V下，通过Cgd的电流比较大，强的积分很容易引起振荡，这个振荡叫米勒振荡。

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    www.kiaic.com/article/detail/6066.html         2025-11-28

  • pmos管防倒灌,防反接电路图分享-KIA MOS管

    当Q3基极输入高电平时，三极管导通，Q1、Q2的栅极都被拉到0V，Q1通过体二极管，符合条件（Vgs<0）先导通，接着Q2的源极S端电压大于栅极G端电压（Vgs<O）也进入导通状态。负载端得到VCC电压，如下图为5V。

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    www.kiaic.com/article/detail/6065.html         2025-11-28

  • 电池保护​30v85a mos,3403场效应管,dfn5x6,​KNY3403A-KIA MOS管

    KNY3403A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用KIA先进的沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗、提供卓越的开关性能；?具有开关速度快、高雪崩电流特性?，稳定可靠；提供无铅和绿色设备，品质优越?；广泛应用...

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    www.kiaic.com/article/detail/6064.html         2025-11-27

  • h桥驱动电路,电机正反转,电路图详解-KIA MOS管

    两个PMOS接在上边作为上桥臂，两个NMOS接在下边作为下桥臂，要想让PMOS导通，那么PMOS栅极的电压就要低于源极的电压，而且栅源之间的电压要低于开启电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/6063.html         2025-11-27

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