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充电桩mosfet,1000v场效应管,KNF45100A参数引脚图-KIA MOS管
KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管、符合RoHS、高坚固性，稳定可靠；适用于备用电源，充电桩、适配器等...www.kiaic.com/article/detail/5702.html 2025-05-29
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电源管理mos管,60v150a,2706场效应管,KNB2706A参数-KIA MOS管
KNB2706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；快速开关切换，高效低耗；高坚固性、100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用；封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5699.html 2025-05-28
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充电器mos管,4406场效应管,12a30vmos管,KNE6303A参数-KIA MOS管
充电器mos管?KNE6303A漏源击穿电压30V，漏极电流12A，先进的沟槽加工技术，超低导通电阻的高密度电池设计，??导通电阻RDS(开启) 8mΩ，高效低耗；改进的dv/dt能力、?完全表征的雪崩电压和电流，稳定可靠；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于充电器、...www.kiaic.com/article/detail/5693.html 2025-05-26
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直流电机控制pmos,-100v pmos,KPD6610B场效应管参数-KIA MOS管
KPD6610B场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-15A，低导通电阻RDS(开启) 170mΩ；具有低噪声?，提高信号的保真度??、高阈值电压?，抗干扰能力强?、低功耗?，高效稳定；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于电源管理、直流电机控制等多种应用场景；...www.kiaic.com/article/detail/5690.html 2025-05-23
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电源场效应管,90a30vmos管,KND3303C参数引脚图-KIA MOS管
KND3303C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，极低导通电阻RDS(开启) 3.2mΩ，最小化开关损耗；低Crrs、快速开关，高效率低损耗；100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用场景，能够有效减小功率损耗和提高...www.kiaic.com/article/detail/5687.html 2025-05-22
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汽车空调控制器mos管,130a60v,KNB2906B场效应管参数-KIA MOS管
汽车空调控制器mos管?KNB2906B漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，最小化开关损耗，高效低耗；?具有快速开关、低导通电阻、低栅极电荷和特别优异的雪崩特性，性能优越；?100％的雪崩测试、改进的dv/dt能力，?稳定可靠适用于同步...www.kiaic.com/article/detail/5684.html 2025-05-21
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10a650v场效应管,65t540 650V,KNF6165C参数引脚图-KIA MOS管
开关电源专用MOS管KNF6165C漏源击穿电压6500V，漏极电流10A；低导通电阻RDS（导通）0.8Ω，最小化开关损耗，快速切换，开关性能优越；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试?，高效稳定可靠；专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源...www.kiaic.com/article/detail/5681.html 2025-05-20
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高频开关电源mos管,2a650v,2n65场效应管参数引脚图-KIA MOS管
高效开关电源专用MOS管KIA2N65HD漏源击穿电压60V，漏极电流230A；采用先进的平面条纹DMOS技术，?低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，低栅极电荷6.5nC，?最小化导通电阻，提供卓越的开关性能；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、?...www.kiaic.com/article/detail/5675.html 2025-05-16
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锂电池保护板专用,230a60v场效应管,KNB1906A参数-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管?KNB1906A漏源击穿电压60V，漏极电流230A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效稳定；高雪崩电流、环保无铅，坚固可靠；广泛应用于UPS、电源、电池管理系统等；...www.kiaic.com/article/detail/5672.html 2025-05-15
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8104mos管,30a40vmos管,KNG8104A场效应管参数资料-KIA MOS管
KNG8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：DF...www.kiaic.com/article/detail/5666.html 2025-05-14
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40n120参数及代换,光伏逆变器场效应管,KGM40N120AI-KIA MOS管
40n120场效应管漏源电压1200V，漏极电流40A，具备高频、高温、高压特性，低VCE（sat），降低开关损耗；快速切换、高坚固性确保电路高效稳定；KGM40N120AI专为太阳能光伏逆变器、UPS电源、储能电源等应用设计，适合用于需要低功耗和高稳定性的电路中；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5308.html 2025-05-13
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模电mos管,1200v3a,KND42120A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KND42120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流3A，具备高压和低导通电阻特性，提高系统效率；低导通电阻RDS(ON) 7Ω、低栅极电荷(17.5nC)最小化开关损耗；以及高速的响应能力提高切换速度，符合RoHS标准，快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，适用于适配器、...www.kiaic.com/article/detail/5314.html 2025-05-13
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60nf06参数代换,逆变器mos管,KND3306B场效应管资料-KIA MOS管
60nf06代换型号KND3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，能够减少导电损耗，最小化开关损耗；具备高雪崩电流、开关速度快、耐冲击特性好，坚固可靠；提供环保无铅绿色设备，在电机控制、锂电池保护板、逆变器中高效稳定...www.kiaic.com/article/detail/5329.html 2025-05-13
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50n06场效应管,60v50a,60vmos管,KIA50N06BD资料-KIA MOS管
KIA50N06BD场效应管漏源电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(ON)10.5mΩ；具有低Rds开启，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；高雪崩电流，能够承受较高的电压脉冲，提高可靠性，确保在应用中高效稳定；无铅绿色环保，适用于适配器、开关电源、UPS电源、车载...www.kiaic.com/article/detail/5357.html 2025-05-13