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4n65f参数及代换,KIA4365A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KIA4365A场效应管可以替代4n65型号应用在高频开关电源、LED驱动和不间断电源（UPS）中，漏源击穿电压为650V，漏极电流4A，RDS（ON）典型值为2.0Ω，低导通电阻，减少导通损耗；具有快速切换技术，有效降低损耗，提高电路效率，改进的dv/dt能力在电路切换时快速...www.kiaic.com/article/detail/5185.html 2024-09-02
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4n65场效应管参数,4n65f参数及代换,KIA4N65H资料-KIA MOS管
KIA4N65H场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V，最大限度减少导通电阻；低栅极电荷，典型值为16nC，高坚固性、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，能够确保稳定性和可靠性，带来高效率和快速响应，...www.kiaic.com/article/detail/5178.html 2024-08-28
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76N60N参数代换,KCM3560A场效应管参数引脚图,76A 600V-KIA MOS管
KCM3560A场效应管可以替代76N60N使用，漏源击穿电压600V，漏极电流76A，RDS(on)typ.=36mΩ@VGS=10V；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，专为电源、转...www.kiaic.com/article/detail/5175.html 2024-08-27
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7n60场效应管参数,KNF4660A参数引脚图,规格书资料-KIA MOS管
KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，专为高压、高速功率开关应用设计，在高压环境下发挥稳定，RDS（ON），典型值=1.0Ω@VGS=10V，具有良好的导通性能；符合RoHS标准、低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，性能出色。KNX4660A可以替代7N60...www.kiaic.com/article/detail/5174.html 2024-08-27
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12n60场效应管参数,高压mos管,KIA12N60H参数引脚图-KIA MOS管
KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计，可以替代12N60型号应用在开关电源、LED驱动、储能电源中；漏源击穿电压600V，漏极电流12A，RDS(on)= 0.53Ω @ VGS=10V，低导通电阻，超低栅极电荷52nC，高效率低损耗；具有快速切换能力、改进的dv/dt能力、...www.kiaic.com/article/detail/5172.html 2024-08-26
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8n60场效应管参数代换,KIA8N60H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KIA8N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，RDS（开）值仅为0.98Ω，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现快速切换能力；具有快速开关时间、改进的dv/dt能力、高雪崩特性，高效稳定。KIA8N60H可以替代8N60型号在电源、LED驱动、PWM电机控制、...www.kiaic.com/article/detail/5169.html 2024-08-23
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8n60场效应管参数,8n60场效应管引脚图,8n60参数-KIA MOS管
KIA8N60场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用，其RDS（开）值仅为0.98?，在输入电压为10V时表现突出，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现出快速切换的能力，使其在开关电源、LED驱动领域有着广泛的应用...www.kiaic.com/article/detail/4801.html 2024-08-23
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7n60场效应管参数,led驱动mos管,KIA7N60H参数管脚-KIA MOS管
KIA7N60H场效应管可以代换7n60型号，在高压应用中表现出色，漏源击穿电压600V，漏极电流7A，RDS（打开）=1.0Ω @ VGS=10V，低导通电阻，有效降低功耗和提高效率；具有超低的栅极电荷，典型值为27nC，以及低反向转移电容、雪崩能量测试、改进的dv/dt能力，确保在...www.kiaic.com/article/detail/5166.html 2024-08-22
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KIA24N50H替代24n50场效应管参数,500V 24A,中文资料-KIA MOS管
KIA24N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流24A，低导通电阻RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10v，低栅极电荷（典型90nC），使开关损耗最小化，提高效率；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；封装形式： TO-3P。www.kiaic.com/article/detail/5163.html 2024-08-21
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18n50参数代换,中文资料,KIA18N50H大功率场效应管现货-KIA MOS管
KIA18N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流18A，专为高压、高速功率开关应用设计，如高效开关电源、有源功率因数校正；低导通电阻RDS（开启）=0.25?@VGS=10V；低栅极电荷（典型50nC），使开关损耗最小化，提高效率；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/...www.kiaic.com/article/detail/5160.html 2024-08-20
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9a 500v mos管,KNY4850S场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KNY4850S场效应管漏源电压500V，漏极电流9A，在VGS=10V时，RDS（ON）=0.7Ω（典型值），低电阻减小损耗，提高效率，低栅极电荷使开关损耗最小化；符合RoHS环保要求，稳定可靠；能够在适配器、电视主电源、SMPS电源、液晶面板电源中展现出色的性能，封装形式： ...www.kiaic.com/article/detail/5159.html 2024-08-20
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8N50场效应管参数代换,KNF4850A参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
KNF4850A场效应管可以替代8N50型号应用在hid安定器、适配器、充电器、SMPS备用电源中；KNF4850A漏源电压500V，漏极电流9A，RDS(on)=0.7Ω(typ.)@VGS=10V，低栅极电荷使开关损耗最小化；快恢复体二极管、符合RoHS环保要求，稳定可靠；封装形式：TO-220F，散热性...www.kiaic.com/article/detail/5157.html 2024-08-19
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KIA830H参数引脚图中文资料,替代irf830,5n50场效应管-KIA MOS管
KIA830H场效应管可以替代irf830,5n50型号应用在HD安定器、适配器、充电器和SMPS备用电源中；KIA830H性能出色，漏源电压500V，漏极电流5A，开启状态下的电阻为1.0Ω，稳定可靠；具有低电阻和低栅极电荷的特点，符合RoHS环保要求，在峰值电流或脉冲宽度方面，都能...www.kiaic.com/article/detail/5154.html 2024-08-16
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KIA730H中文资料PDF,kia730h代换irf730场效应管-KIA MOS管
KIA730H可以代换irf730场效应管应用在开关电源、逆变器、电机驱动器、开关转换器中。kia730h漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，具有较低的导通电阻，低栅极电荷（典型值为20nC），可最大限度地减少导通损耗；快速切换能力，改进的d...www.kiaic.com/article/detail/5151.html 2024-08-15