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驱动器专用mos管,KIA740H代换irf740场效应管参数资料-KIA MOS管
KIA740H是一款可以代换irf740的场效应管，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。KIA740H场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流10A，RDS（开启）=0.45?@VGS=10V，低导通电阻减少损耗；www.kiaic.com/article/detail/5148.html 2024-08-14
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led车灯mos管,12n06场效应管参数代换,KIA6035A中文资料-KIA MOS管
KIA6035A可以代换12n06场效应管应用在led车灯中，漏源击穿电压350V，漏极电流11A，RDS（ON）仅为0.38Ω，在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷，仅为15nC，有助于提高开关速度和效率，具有高坚固性和快速切换能力、指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，稳定可靠；封...www.kiaic.com/article/detail/5145.html 2024-08-13
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irf630,uf630参数代换,9A 200V场效应管,KIA4820N-KIA MOS管
KIA4820N场效应管采用专有的新型平面技术，性能出色，漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（开启）=260mΩ@VGS=10V，低栅极电荷可最大限度地减少开关损耗，快速恢复体二极管，稳定可靠，KIA4820N能够替代irf630、uf630场效应管应用在LED驱动、CRT、电视/显示器中...www.kiaic.com/article/detail/5139.html 2024-08-09
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mbr20150参数代换,20A 150V场效应管,KIA7115A中文资料-KIA MOS管
KIA7115A场效应管?漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS（开启）=77m?@VGS=10V，超低栅极电荷，降低开关损耗，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS和栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降、绿色设备可用，符合RoHs，100%EAS保证，稳定可靠，封装形式：TO-25...www.kiaic.com/article/detail/5136.html 2024-08-08
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9A 100V场效应管现货,KNX4810A参数引脚图中文资料-KIA MOS管
KNX4810A是一款性能出色的场效应管，漏源击穿电压100V，漏极电流9A，在VGS=10V时，RDS（ON）=140mΩ（典型值），减小损耗、提高效率，具有增强模式、快速切换、无铅铅镀层，符合RoHS标准，稳定可靠；封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/5133.html 2024-08-07
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nce0110,电动工具mos管,KIA4610A场效应管参数资料-KIA MOS管
KIA4610A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压100V，漏极电流7.5A，在VGS=10V时，RDS（开启）=16mΩ（典型值），低栅极电荷，降低开关损耗，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS和栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要...www.kiaic.com/article/detail/5130.html 2024-08-06
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18p10场效应管参数,控制板mos管,KIA7610A参数引脚图-KIA MOS管
KIA7610A场效应管能够代换18p10型号在无创呼吸机、LED驱动、控制板中应用，KIA7610A漏源击穿电压100V，漏极电流25A，RDS（开）=32mΩ，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻，性能出色，具备较高的耐高温性能，适用于各种苛刻的工作环境、快速的开关速度...www.kiaic.com/article/detail/5129.html 2024-08-06
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STP14NF10场效应管代换,KIA6410A参数引脚图-KIA MOS管
KIA6410A场效应管采用沟槽DMOS技术，经过专门定制，漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，能够显著降低导通电阻，提供出色的开关性能；KIA6410A可替代STP14NF10在Led应用程序，网络系统和负载开关中应用。KIA6410A封...www.kiaic.com/article/detail/5127.html 2024-08-05
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电机控制,电源mos管,KPS6110B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KPS6110B场效应管采用先进沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏极电流-12A，在VGS=-10V时，RDS（ON）=170mΩ（典型值），可靠且坚固、绿色设备可用，在电源管理、直流电机控制中提高优越的性能；封装形式：SOT89，小巧、安装方便、散热良好。www.kiaic.com/article/detail/5124.html 2024-08-02
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12n10场效应管参数代换,防盗器专用mos管KIA6110A资料-KIA MOS管
KIA6110A采用先进的高单元密度沟槽技术，是性能出色的N沟道MOSFET，能够代换12n10参数100V，15A场效应管在防盗器、LED驱动、DC-DC电源、负载开关中应用；KIA6110A漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，提供出色的RDSON和栅极电荷，具有超低...www.kiaic.com/article/detail/5121.html 2024-08-01
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cmd5940参数,cmd5940场效应管代换,KIA23P10A原厂现货-KIA MOS管
KIA23P10A是一款能够替代cmd5940的P沟道MOSFET，采用先进的高单元密度沟槽技术，性能优越；漏源击穿电压为-100V，漏极电流为-23A，低导通电阻RDS（ON）值为78mΩ（在VGS=10V时为典型值），能够有效降低功耗；100%EAS保证、超低栅极电荷和出色的Cdv/dt效应下降，...www.kiaic.com/article/detail/5118.html 2024-07-31
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ao4410参数,ao4410场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
最大耐压：30V最大电流：18A导通电阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V最大反馈电容 (Crss)：542pFwww.kiaic.com/article/detail/5116.html 2024-07-31
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75nf75场效应管代换,75nf75场效应管参数,引脚图-KIA MOS管
KIA75NF75场效应管采用先进的技术，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低Rds开启，RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V，减少导电损耗、提升效率；无铅和绿色设备的特点，符合环保要求；高雪崩电流，在运行时承受更高的冲击负载，提供更稳定和可靠的性能；在电动车控制器、逆变器...www.kiaic.com/article/detail/5115.html 2024-07-30
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hy4008场效应管参数代换,KIA2808A参数引脚图规格书-KIA MOS管
KIA2808A是一款能够代换hy4008场效应管80V，200A参数的高性能功率器件，KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流150A，VGS=10V时，RDS（开启）=4.0m?（典型值），减小损耗提高效率；100%雪崩测试，可靠且坚固；无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环...www.kiaic.com/article/detail/5114.html 2024-07-30