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KNX3703A是一款采用先进的沟槽工艺技术的N沟道增强型场效应管,这款mosfet是具有超低导通电阻的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、卓越的开关性能。KNX3703A场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流50A,RDS(开启)(典型值)=7.5mΩ,VGS=10V,封装形式:D...
www.kiaic.com/article/detail/4735.html 2024-01-18
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KNX3502A场效应管采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。这款场效应管适用于多种应用,是2串保护板专用料(低启1.8V)。KNX3502A场效应管漏源击穿电压20V,漏极电流70A,RDS(on)=7m?(typ.) @ VDS=4.5V,具有高功率和电流处理能...
www.kiaic.com/article/detail/4732.html 2024-01-17
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KNX2710A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流160A,RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V ,能够替代hy3410进行使用,在锂电池保护板、电动车、电动工具领域热销,极低导通电阻,最小化开关损耗,确保产品的性能稳定可靠。
www.kiaic.com/article/detail/4726.html 2024-01-15
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通常用一个电容和一个二极管,电容存储电压,二极管防止电流倒灌,频率较高的时候,自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压,起到升压的作用。
www.kiaic.com/article/detail/4725.html 2024-01-15
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KNX2810A是一款漏源击穿电压100V,漏极电流150A的场效应管,RDS(ON)=5.0mΩ(typ.)@VGS=10V ,能够替代hy3210进行使用,高效优质,在锂电池保护板、电动车控制器领域热销,能够最大限度地减少导电损耗,最小化开关损耗,确保锂电池保护板的性能稳定可靠。
www.kiaic.com/article/detail/4720.html 2024-01-11
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KNX3208A场效应管漏源击穿电压85V,漏极电流100A,RDS(ON),typ.=6.5mΩ@VGS=10V,采用专有新沟槽技术,具有低门电荷减小开关损耗、快恢复体二极管等特性,能够替代145N08、055N08、063N08型号进行使用,封装形式:TO-252、TO-263、TO-220、TO-3P,多种封装形式...
www.kiaic.com/article/detail/4714.html 2024-01-09
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第一种NMOS管为高电平导通,低电平截断,Drain端接后面电路的接地端;第二种为PMOS管典型开关电路,为高电平断开,低电平导通,Drain端接后面电路的VCC端。
www.kiaic.com/article/detail/4713.html 2024-01-09
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KNX3206A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流110A,RDS(ON)=6.5mΩ(典型值)@VGS=10V,低RDS(ON)以最大限度地减少导电损耗,能够替代irf3205以及80nf70型号进行使用,用于快速开关应用的低栅极电荷,优化的BVDSS能力。封装形式:TO-252、TO-263、TO-220、T...
www.kiaic.com/article/detail/4711.html 2024-01-08
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KNX3306B场效应管漏源击穿电压68V,漏极电流80A,RDS(on)=7mΩ@VGS=10V,低Rds开启,最大限度地减少导电损耗,能够替代stp60nf06型号进行使用,开关速度快,内阻低,耐冲击特性好。封装形式:TO-252,TO-263。
www.kiaic.com/article/detail/4708.html 2024-01-05
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KND3203B场效应管采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术,漏源击穿电压30V,漏极电流100A,RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V,提供低栅极电荷的优异RDS(ON),能够替代30h10k型号进行使用,封装形式:TO-252,在锂电池保护板、小功率LED等领域热销,高效率低损耗。
www.kiaic.com/article/detail/4702.html 2024-01-03
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锂电池保护板热销场效应管KNX3403A采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅极电荷的优异RDS(ON),KNX3403A漏源击穿电压30V,漏极电流85A,可以替代新洁能nce3080k进行使用,封装形式:TO-252、DFN5*6,在锂电池保护板、电动工具等领域热销,高效可靠。
www.kiaic.com/article/detail/4699.html 2024-01-02
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KIA3103A场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流110A,RDS(开启)=2.6mΩ@VGS=10V;低导通电阻、快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩,最大限度地减少导电损耗,最小化开关损耗等特性,满足RoHs和绿色产品的要求,确保锂电池保护板的性能稳定可靠。
www.kiaic.com/article/detail/4696.html 2023-12-29
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K3878是一款N通道金属氧化物场效应管,带保护二极管的d和s;带保护的g、s双向二极管;其参数为耐压:900V、电流:9A。
www.kiaic.com/article/detail/4692.html 2023-12-28
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场效应管分结型、绝缘栅型两大类。按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。绝缘栅型场效应管(JGFET)因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
www.kiaic.com/article/detail/4691.html 2023-12-28