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13n50场效应管参数,13n50场效应管代换-KIA MOS管
KIA13N50H场效应管参数13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具有低栅极电荷（典型的45nc）、快速切换的能力、雪崩能量、改进的dt／dt能力等特性，这款场效应管适用于电子镇流器、DC-AC电源转换器、DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动、500W逆变器后级电...www.kiaic.com/article/detail/4780.html 2024-02-19
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9n50场效应管参数,代换,KIA4750S引脚图参数-KIA MOS管
KIA4750S场效应管具有稳定可靠的性能，漏源电压为500V，漏极电流为9.0A，它的RDS(on)为0.7Ω，在VGS = 10 V时能够产生较低的电阻。这款场效应管还具有低栅电荷特性，能够最小化开关损耗。此外，它还配备了快速恢复体二极管，加强了其性能表现，KIA4750S封装形式...www.kiaic.com/article/detail/4777.html 2024-02-18
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irf840参数引脚图,irf840场效应管代换,KIA840中文资料-KIA MOS管
KIA840场效应管具有500V 8A的参数，能够满足高压高电流的需求。这款场效应管的RDS（ON）参数仅为0.7Ω（典型值）在VGS=10V时，这意味着它具有非常低的电阻，能够有效降低能量损耗。KIA840场效应管能够代换irf840型号进行使用，KIA840封装有TO-252、TO-263、TO-...www.kiaic.com/article/detail/4774.html 2024-02-04
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irf830场效应管参数,引脚图,830场效应管参数代换-KIA MOS管
HD安定器热销型号KIA830场效应管具有漏源电压高达500V和漏极电流达到5A的强大性能，其开启状态下的电阻为1.0Ω，能够提供稳定可靠的电流流动。KIA830场效应管封装形式有：TO-220、TO-252两种www.kiaic.com/article/detail/4771.html 2024-02-03
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充电模块,500v 13a mos管,KNX6450A场效应管参数-KIA MOS管
KNX6450A场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON），典型=0.40Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷，最小化了开关损耗，能够稳定可靠地工作，同时具备快速恢复体二极管，提供了更高效的性能表现。www.kiaic.com/article/detail/4768.html 2024-02-02
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调光器模块mos管,KNX7650A场效应管,500V 25A参数资料-KIA MOS管
KNX7650A场效应管采用高级平面工艺制造，具备漏源电压500V和漏极电流25A的特性，RDS（ON）（典型值）为170mΩ@VGS=10V，封装形式：TO-220F、TO-3P；KNX7650A是一款在电气设备、调光器模块、充电模块领域的专用MOS管。www.kiaic.com/article/detail/4765.html 2024-02-01
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步进马达驱动MOS管,75nf75场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KIA75NF75场效应管漏源击穿电压为80V，漏极电流为80A，RDS（ON）参数为7mΩ（典型值）@VGS=10V，能够最大限度地减少导电损耗。这款场效应管还具备无铅和绿色设备的特点，符合环保要求。它采用了先进的技术，以确保低Rds开启，减少了导电损耗，使其具备更高的效...www.kiaic.com/article/detail/4762.html 2024-01-31
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无线充mos,47A 600V场效应管KCX9860A参数引脚-KIA MOS管
高压场效应管KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性；KCX9860A封装形式：TO-220F...www.kiaic.com/article/detail/4759.html 2024-01-30
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场效应管是什么控制器件？场效应管详解-KIA MOS管
场效应管是一种控制型半导体器件，是一种输入电阻很高的半导体器件，它是利用输入电压控制输出电流的，它的输入端几乎不需要电流，所以它是一种电压控制元件。www.kiaic.com/article/detail/4758.html 2024-01-30
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pc电源,pd电源,9A 900V场效应管,KNX4890A参数引脚图-KIA MOS管
pc电源,pd电源MOS管KNX4890A采用专有新型平面技术，漏源电压900V，漏极电流9.0A，RDS（ON）=1.2Ω（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管特性，是一款高效优质的大功率场效应管。www.kiaic.com/article/detail/4756.html 2024-01-29
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PD电源,mos管30v 85a,KNX3403B场效应管中文资料-KIA MOS管
PD电源热销MOS管KNX3403B是一种N沟道增强型功率Mosfet场效应晶体管，使用KIA的LVMosfet技术生产。KNX3403B经过改进的工艺和单元结构经过特别定制，漏源击穿电压30V，漏极电流85A，RDS（打开）典型值=4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，可最大限度地减少导通电阻，提供...www.kiaic.com/article/detail/4750.html 2024-01-25
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MOS管23a 1200v,KNK74120A场效应管,逆变器专用-KIA MOS管
KNK74120A场效应管采用高级平面工艺，漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，RDS（ON）=480mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗以及加固多晶硅栅极结构，KNK74120A场效应管封装形式：TO-264。www.kiaic.com/article/detail/4747.html 2024-01-24
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电源模块选型1200v,KNX42120A场效应管参数-KIA MOS管
电源模块热销KNX42120A高压场效应管具有漏源击穿电压高达1200V和漏极电流可达3A的特点，RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V；还具有低栅极电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，可以有效地减少开关损耗，快速恢复体二极管，使其具备更高的性能，...www.kiaic.com/article/detail/4744.html 2024-01-23
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10-16串保护板mos管,KNX3308B场效应管参数,80V 80A-KIA MOS管
KNX3308B是一款高性能的场效应管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ（typ）在VGS为10V时，这使得它成为电源和DC-DC转换器等应用领域的理想选择；KNX3308B是保护板专用MOS管，在10-16串保护板中热销，低导通电阻、最大限度地减少导电损耗，...www.kiaic.com/article/detail/4741.html 2024-01-22