|
|
|
结果: 找到相关主题 972 个
-
储能电源保护板MOS,KCX3008A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KCX3008A场效应管场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，具有极低的RDS（开启）值，典型值为4.5 mΩ@Vgs=10V，表现出优秀的栅极电荷与RDS（on）产品的组合特性，在电机驱动器和DC/DC转换器等应用中备受青睐。www.kiaic.com/article/detail/4825.html 2024-03-11
-
6n65场效应管参数代换,6n65场效应管引脚图规格书-KIA MOS管
6n65场效应管漏极电流5.5A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）=1.9? @ VGS=10V；具有低栅极电荷，典型值为16nC，KIA6N65H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器适用于多种...www.kiaic.com/article/detail/4822.html 2024-03-08
-
4n65场效应管参数代换,KIA4365A参数规格书,国产原厂-KIA MOS管
KIA4365A场效应管是一款高性能的电子器件，漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）典型值为2.0Ω，在VGS为10V，ID为2A时；这款场效应管采用了快速切换技术，经过100%雪崩测试，并具有改进的dv/dt能力，可以保证其稳定可靠的性能。www.kiaic.com/article/detail/4819.html 2024-03-07
-
4n65场效应管参数引脚图,4n65场效应管代换,4A 650V-KIA MOS管
4n65场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5? @ VGS=10V；??4n65?场效应管还具有?低栅极电荷，典型值为16nC，高坚固性，快速切换，经过100%雪崩测试的验证，改进的dv/dt能力；KIA4N65H场效应管封装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F...www.kiaic.com/article/detail/4816.html 2024-03-06
-
mos管饱和区条件,场效应管饱和区-KIA MOS管
场效应管饱和区的电压条件：在饱和区，场效应管的栅极-源极电压（Vgs）要小于或等于临界电压（Vth），且栅极-漏极电压（Vds）要大于或等于零。这样的电压条件可以使得场效应管的导通状态稳定，从而实现饱和区的工作。www.kiaic.com/article/detail/4815.html 2024-03-06
-
逆变器炸管原因,逆变器烧场效应管原因-KIA MOS管
开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。www.kiaic.com/article/detail/4814.html 2024-03-06
-
电机MOS管,KNG3404D,KNG3404D场效应管参数-KIA MOS管
KNG3404D场效应管漏极电流80A，漏源击穿电压为40V，具有出色的性能指标；RDS（ON）=4.4mΩ（典型值）@VGS=10V，极低的导通电阻，有助于降低功耗和提升效率；还具有改进的dv/dt能力以及低Crss，能够实现快速切换，同时经过100%雪崩测试，保证了其可靠性；适用于...www.kiaic.com/article/detail/4813.html 2024-03-05
-
40n60参数代换,48n60场效应管参数,KCX9860A-KIA MOS管
KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性；KCX9860A封装形式：TO-220F、TO-247；能...www.kiaic.com/article/detail/4807.html 2024-03-01
-
7n60参数及代换,7n60场效应管参数,7n60参数引脚图-KIA MOS管
KIA7N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，能够在高压应用中表现出色；RDS（打开）=1.0? @ VGS=10V，具有较低的导通电阻，能够有效降低功耗和提高效率；能够替代仙童、UTC等品牌7N60型号场效应管进行使用；KIA7N60H封装形式： TO-263、262、220、220F多...www.kiaic.com/article/detail/4798.html 2024-02-27
-
P30v,P40v,P60v低压MOS,场效应管,国产原厂-KIA MOS管
KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。VDS(V)=-30VID=-2.6Awww.kiaic.com/article/detail/4795.html 2024-02-26
-
6n60场效应管,6n60场效应管参数,4560A中文资料-KIA MOS管
KND4560A场效应管漏源电压600V，漏极电流6A，RDS（ON）为1.4Ω（在VGS=10V时的典型值）；具有TO-251、252封装形式可供选择，方便安装使用。KND4560A能够替代士兰微、ST、华晶的SVF6N60D、STF6N60、CS6N60A3型号进行使用，是一款优质稳定、性价比高的国产MOS管。...www.kiaic.com/article/detail/4792.html 2024-02-23
-
4n60场效应管参数代换,开关电源适配器专用MOS管-KIA MOS管
KIA4N60H场效应管漏源电压600V，漏极电流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷（典型值为13.5nC）最小化开关损耗，高坚固性，快速切换能力，指定雪崩能量，改进的dv/dt能力，能够稳定可靠地工作，提供更高效的性能。KIA4N60H场效应管广泛应用于LED、开...www.kiaic.com/article/detail/4789.html 2024-02-22
-
30n50场效应管参数,代换,8150A场效应管30A 500V-KIA MOS管
KNH8150A场效应管采用高级平面工艺，漏源电压500V，漏极电流30A，RDS（ON）=150mΩ（典型值）@VGS=10V；具备低栅极电荷最小化开关损耗，能够稳定可靠地工作，加固多晶硅栅极结构，提供了更高效的性能表现。www.kiaic.com/article/detail/4786.html 2024-02-21
-
15n50参数及代换,15n50场效应管参数,KNX6650A-KIA MOS管
高压MOS管KNX6650A采用专有平面新技术，参数为500V 15A，RDS（ON），典型值=0.33Ω@VGS=10V，具有低栅电荷最小开关损耗、快速恢复体二极管等特性，能够替代仙童的15n50场效应管，性能卓越、性价比高；特别适用于开关电源、LED驱动等领域，能有效地控制电流和电...www.kiaic.com/article/detail/4783.html 2024-02-20