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3407场效应管参数规格书,80A 70V,KIA3407A中文资料-KIA MOS管
KIA3407A场效应管采用了先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压70V，漏极电流80A，RDS(ON)最大10.8m?（在VGS=10V时）；封装形式：TO-220、TO-263。www.kiaic.com/article/detail/4875.html 2024-04-03
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p沟道场效应管工作原理,导通条件-KIA MOS管
p沟道场效应管是由沟道、栅极和源、漏极组成。在工作时，栅极和漏极间存在反向电压，形成了横向电场，使沟道中的载流子移动方式发生变化，进而控制漏极与源极之间的电流大小。www.kiaic.com/article/detail/4871.html 2024-04-02
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1n65场效应管,1n65参数引脚图,1A 650V,KIA1N65H-KIA MOS管
1n65场效应管漏极电流1A，漏源电压高达650V，RDS（开）为9.3? @VGS=10V、低栅极电荷仅为5.0nC，提供高坚固性和快速切换能力、还具备指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，保证了在各种应用场景下的稳定性和可靠性。封装形式有TO-252、TO-251和TO-92，满足不同设计...www.kiaic.com/article/detail/4870.html 2024-04-02
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1n60场效应管参数,1n60参数引脚图,1n60中文资料-KIA MOS管
1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力，且在VGS=10伏时的开态电阻仅为9.3?，确保稳定可靠的性能、低栅极电荷仅为5.0nC，在控制电荷时更加高效、还具备高坚固性、快速切换能力、指定雪崩能量和改进的dv/dt能力，能够保证设备在高负荷下运行时仍保持稳...www.kiaic.com/article/detail/4867.html 2024-04-01
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5610场效应管,5610参数管脚图,KNX5610A中文资料-KIA MOS管
KNX5610A场效应管采用高单元密度的先进沟槽技术，漏极电流7A，漏源击穿电压100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有优异的导通特性；超低栅极电荷，减小开关损耗；出色的Cdv/dt效应设计，可靠性高，在各种工作条件下都能稳定地工作；适用于高频负载点同...www.kiaic.com/article/detail/4864.html 2024-03-28
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9n90c场效应管参数,9n90c代换,9n90参数引脚图-KIA MOS管
KIA9N90场效应管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的电流承受能力和高达900V的电压额定值；RDS（开启）仅为1.12Ω，在VGS=10 V时表现出色；具有低栅极电荷，典型值为70 nC，以及低Crss，典型值为14pF，能够在电路设计中更加灵活可靠。www.kiaic.com/article/detail/4852.html 2024-03-22
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si2302场效应管参数,引脚图,si2302中文资料-KIA MOS管
漏极电流（ID）：3 A漏-源极电压（VDSS）：20 V漏-源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω耗散功率（PD）：1.25 W封装：SOT-23www.kiaic.com/article/detail/4849.html 2024-03-21
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7n80场效应管参数,7n80c场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件，具有极高的可靠性和稳定性，7n80漏极电流7A，漏源击穿电压800V，RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，栅极电荷低，仅为27nC，快速切换，操作高效，还具备高坚固性，经过100%雪崩测试，改进的DV/DT功能，进一步提升了性能表现...www.kiaic.com/article/detail/4843.html 2024-03-19
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3n80c场效应管参数,3n80c场效应管代换,中文资料-KIA MOS管
KIA3N80H场效应管性能优越，漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，表现出强大的功率承受能力；在开启状态下，静态电阻RDS为4.8?，在栅极电压为10V时具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保了快速的响应速度；还具有高坚固性，能够在恶劣环境下可靠工作；以...www.kiaic.com/article/detail/4840.html 2024-03-18
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12n65场效应管参数代换,12n65场效应管引脚图-KIA MOS管
KIA12N65H场效应管漏极电流12A，漏源击穿电压650V，RDS（on）为0.63?，在VGS为10V时表现出色、低栅极电荷，典型值为52nC，使得它在高频率下仍能表现稳定、快速切换能力在电路中能够迅速响应信号变化，确保信号传输的准确性、雪崩能量规定和改进的dv/dt能力增强...www.kiaic.com/article/detail/4837.html 2024-03-15
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NCE4060K,NCE4060参数代换,KND3504A场效应管-KIA MOS管
KND3504A场效应管，采用了沟槽功率低压MOSFET技术，漏极电流70A，漏源击穿电压40V，具有低导通电阻，典型值为7.0mΩ；出色的散热封装和低RDS（ON）的高密度电池设计，使其在各种应用中表现突出；能够替代新洁能品牌NCE4060K型号进行使用，封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/4834.html 2024-03-14
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场效应管在印刷板电路板上安装
场效应管在印刷板电路板上安装www.kiaic.com/article/detail/273.html 2024-03-14
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3730场效应管参数,逆变器mos管专用,KNH3730A-KIA MOS管
KNH3730A场效应管是一款性能优越的器件，采用专有新型平面技术，具有50A的漏极电流和300V的漏源击穿电压，RDS（ON）在VGS=10V时仅为70mΩ（典型值），能够实现低栅极电荷最小化，降低开关损耗；以及快速恢复体二极管，提高了电路的稳定性和效率。www.kiaic.com/article/detail/4831.html 2024-03-13
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7n65场效应管参数代换,7n65参数管脚图-KIA MOS管
KIA7N65H是一款高性能场效应管，具有出色的性能和可靠性，漏极电流7A，漏源击穿电压高达650V，导通电阻仅为1.2Ω，在10V的栅极电压下能够提供稳定的性能；能够替代仙童等品牌7n65型号进行使用。www.kiaic.com/article/detail/4828.html 2024-03-12