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40n120参数及代换,变频器MOS管KSZ040N120A参数-KIA MOS管
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的参数特性，RDS（ON）仅为40mΩ（典型值）在VGS=20V，TJ=25℃条件下，在高电压下能够拥有较低的导通电阻，同时表现出优异的高速开关性能。40n120具有雪崩耐量，可靠性高，适用于轨道交通、变频器、充电桩等领域。www.kiaic.com/article/detail/4858.html 2024-03-26
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p06p03lvg电压引脚,p06p03lvg代换,KPE4703A锂电池保护板-KIA MOS管
KPE4703A场效应管漏极电流-8A，漏源击穿电压-30V，具有优异的性能表现；导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，在栅极电压为10V时；超低的栅极电荷，能够有效降低电路中的开关损耗，提高整体效率，KPE4703A能够替代尼克森的p06p03lvg型号进行使用，可靠稳定。www.kiaic.com/article/detail/4855.html 2024-03-25
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9n90c场效应管参数,9n90c代换,9n90参数引脚图-KIA MOS管
KIA9N90场效应管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的电流承受能力和高达900V的电压额定值；RDS（开启）仅为1.12Ω，在VGS=10 V时表现出色；具有低栅极电荷，典型值为70 nC，以及低Crss，典型值为14pF，能够在电路设计中更加灵活可靠。www.kiaic.com/article/detail/4852.html 2024-03-22
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10N80E参数,10n80参数及代换,KIA10N80H参数引脚图-KIA MOS管
10N80E参数,10n80参数引脚图漏极电流（ID）：10A漏极和源极电压（VDSS）：800V漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.85Ω耗散功率（PD）：42W封装：TO-220Fwww.kiaic.com/article/detail/4846.html 2024-03-20
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7n80场效应管参数,7n80c场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件，具有极高的可靠性和稳定性，7n80漏极电流7A，漏源击穿电压800V，RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，栅极电荷低，仅为27nC，快速切换，操作高效，还具备高坚固性，经过100%雪崩测试，改进的DV/DT功能，进一步提升了性能表现...www.kiaic.com/article/detail/4843.html 2024-03-19
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3n80c场效应管参数,3n80c场效应管代换,中文资料-KIA MOS管
KIA3N80H场效应管性能优越，漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，表现出强大的功率承受能力；在开启状态下，静态电阻RDS为4.8?，在栅极电压为10V时具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保了快速的响应速度；还具有高坚固性，能够在恶劣环境下可靠工作；以...www.kiaic.com/article/detail/4840.html 2024-03-18
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12n65场效应管参数代换,12n65场效应管引脚图-KIA MOS管
KIA12N65H场效应管漏极电流12A，漏源击穿电压650V，RDS（on）为0.63?，在VGS为10V时表现出色、低栅极电荷，典型值为52nC，使得它在高频率下仍能表现稳定、快速切换能力在电路中能够迅速响应信号变化，确保信号传输的准确性、雪崩能量规定和改进的dv/dt能力增强...www.kiaic.com/article/detail/4837.html 2024-03-15
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NCE4060K,NCE4060参数代换,KND3504A场效应管-KIA MOS管
KND3504A场效应管，采用了沟槽功率低压MOSFET技术，漏极电流70A，漏源击穿电压40V，具有低导通电阻，典型值为7.0mΩ；出色的散热封装和低RDS（ON）的高密度电池设计，使其在各种应用中表现突出；能够替代新洁能品牌NCE4060K型号进行使用，封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/4834.html 2024-03-14
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7n65场效应管参数代换,7n65参数管脚图-KIA MOS管
KIA7N65H是一款高性能场效应管，具有出色的性能和可靠性，漏极电流7A，漏源击穿电压高达650V，导通电阻仅为1.2Ω，在10V的栅极电压下能够提供稳定的性能；能够替代仙童等品牌7n65型号进行使用。www.kiaic.com/article/detail/4828.html 2024-03-12
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6n65场效应管参数代换,6n65场效应管引脚图规格书-KIA MOS管
6n65场效应管漏极电流5.5A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）=1.9? @ VGS=10V；具有低栅极电荷，典型值为16nC，KIA6N65H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器适用于多种...www.kiaic.com/article/detail/4822.html 2024-03-08
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4n65场效应管参数代换,KIA4365A参数规格书,国产原厂-KIA MOS管
KIA4365A场效应管是一款高性能的电子器件，漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）典型值为2.0Ω，在VGS为10V，ID为2A时；这款场效应管采用了快速切换技术，经过100%雪崩测试，并具有改进的dv/dt能力，可以保证其稳定可靠的性能。www.kiaic.com/article/detail/4819.html 2024-03-07
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4n65场效应管参数引脚图,4n65场效应管代换,4A 650V-KIA MOS管
4n65场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5? @ VGS=10V；??4n65?场效应管还具有?低栅极电荷，典型值为16nC，高坚固性，快速切换，经过100%雪崩测试的验证，改进的dv/dt能力；KIA4N65H场效应管封装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F...www.kiaic.com/article/detail/4816.html 2024-03-06
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40n60参数代换,48n60场效应管参数,KCX9860A-KIA MOS管
KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性；KCX9860A封装形式：TO-220F、TO-247；能...www.kiaic.com/article/detail/4807.html 2024-03-01
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开关电源MOS管,LED驱动,KNX4660A参数7n60代换-KIA MOS管
KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用，RDS（ON），典型值=1.0Ω@VGS=10V，具有良好的导通性能；符合RoHS标准、低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性使其在开关电源、LED驱动领域有着广泛的应用前...www.kiaic.com/article/detail/4804.html 2024-02-29