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KNB2706A TO-263 贴｜2.8mΩ 低内阻 150A60V 平替 IRFS4368
KNB2706A TO-263 贴片 N 沟道 MOSFET，额定 60V/150A，导通内阻仅 2.8mΩ，解决电源 MOS 发烫、重载压降大、整流炸管等客户痛点。TO-263 贴片适配 SMT 自动化产线，100% 雪崩能量检测，优化体二极管 dv/dt 耐受，适配储能、车载 DC-DC、PWM 大功率开关电源。可...
www.kiaic.com/article/detail/6515.html 2026-07-06
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KIA2806AH TO-3P 60V150A 低内阻｜替代 IRFP2907 UPS
KIA2806AH TO-3P 大功率 N 沟道 MOSFET，额定 60V/150A，导通内阻仅 3.5mΩ，解决电源发烫、带载压降大、雪崩击穿等客户痛点。TO-3P 封装散热强，最大耗散 330W，100% 雪崩能量检测，适配 UPS、逆变器、大功率开关电源、储能控制器。可直接替代 IRFP2907、FQA1...
www.kiaic.com/article/detail/6514.html 2026-07-06
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KIA2906AH TO-3P 60V130A 大功率直插 MOS 管现货
KIA 原厂 KIA2906AH TO-3P 直插 N 沟道大功率 MOS 管，60V 耐压、130A 持续大电流，直击大功率电源三大行业痛点：整机长期高温发热、短路冲击 MOS 频繁炸管、大功率设备转换损耗高。
www.kiaic.com/article/detail/6510.html 2026-07-02
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KCY3206B DFN5*6 60V95A 超低内阻 SGT MOS 管现货
KIA 原厂 KCY3206B DFN56 贴片 N 沟道 SGT MOS 管，60V 耐压、95A 持续大电流，直击电源行业三大核心痛点：整机温升过高、大功率冲击 MOS 易炸管、高频同步整流转换效率低。
www.kiaic.com/article/detail/6509.html 2026-07-02
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KND3306C TO-252 68V80A 低内阻 MOS 管现货
KIA 原厂 KND3306C TO-252 贴片 N 沟道 MOS 管，68V 耐压 80A 大电流，解决电源 MOS 发热严重、高频电路波形震荡、负载冲击易炸管三大痛点。
www.kiaic.com/article/detail/6508.html 2026-07-02
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KCD3406B TO-252 60V80A N 沟道 MOS 管 低内阻快充专用
KIA 原厂 KCD3406B TO-252 贴片 N 沟道功率 MOS 管，额定 60V80A，采用先进 SGT 沟槽工艺，VGS=10V 导通电阻仅 7.8mΩ，解决电源发热大、转换效率低客户痛点。超低栅极电荷，开关速度快，抑制 CdV/dt 震荡；出厂 100% UIS、ΔVds 雪崩测试，耐冲击不易炸管。TO...
www.kiaic.com/article/detail/6507.html 2026-07-01
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KCY2604A 规格书 DFN5*6 40V175A N 沟道 SGT 原厂现货
KCY2604A 规格书 DFN5*6 40V175A N 沟道 SGT MOSFET 原厂现货SGT 先进工艺｜175A 超大通流｜1.4mΩ 超低内阻，解决电源高温、转换效率低痛点KCY2604A,KCY2604A DFN5*6,40V175A MOS 管，DFN56 贴片 MOSFET,KIA 功率 MOS 管KCY2
www.kiaic.com/article/detail/6498.html 2026-06-26
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KCY3104S DFN5*6 40V110A SGT｜1.5mΩ 低发热同步整流管
KIA 原厂 KCY3104S DFN56 封装 SGT 工艺 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、110A 连续电流，典型 Rds (on)=1.5mΩ，单脉冲雪崩能量高达 400mJ，结壳热阻仅 1℃/W。完美解决大功率同步整流温升高、电感负载易炸管、高频电源损耗大等客户痛点；低栅电荷设计适配高频...
www.kiaic.com/article/detail/6493.html 2026-06-24
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KCD3304A TO-252 40V90A SGT｜替代进口低损耗功率管
KIA 原厂 KCD3304A TO-252 封装 SGT 工艺 N 沟道 MOS 管，额定 40V/90A 连续电流，典型 Rds (on)=6.2mΩ，总栅电荷仅 13.5nC，Crss 低至 26pF。完美解决传统 MOS 高频损耗大、电压尖峰高、电感负载易炸管等客户痛点；出厂 100% UIS 雪崩、ΔVds 双重全检，72mJ...
www.kiaic.com/article/detail/6492.html 2026-06-24
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KND3404D TO-252 40V80A N 沟道 MOS 管 | 低内阻替代进口
KIA 原厂 KND3404D TO-252 封装 N 沟道 MOS 管，额定 40V/80A，典型 Rds (on)=4.4mΩ 超低导通内阻，出厂 100% 雪崩能量全检。解决普通 MOS 大电流温升高、电感负载易击穿、高频开关损耗大等客户痛点；适配 DC-DC 电源、快充适配器、锂电池保护板、电动车控制器...
www.kiaic.com/article/detail/6491.html 2026-06-24
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替代进口 AON6408 MOS 管 KNY8104A DFN5*6 高频开关专用
KIA 原厂 KNY8104A DFN5*6 封装 40V30A N 沟道 MOSFET，典型 Rds (on)=12mΩ，低反向电容 Crss，高速开关。可直代 AON6408、NCE4030K 等进口 MOS，现货库存，交期稳定，适配快充、电源管理、负载开关，提供完整规格书，免费送样测试
www.kiaic.com/article/detail/6489.html 2026-06-23
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替代进口 C2M0040120D｜KSM040N120B 1200V 碳化硅
KSM040N120B 1200V68A 碳化硅 MOS 管 TO247 封装，40mΩ 低内阻，高频低损耗，完美对标进口 40mΩ1200V SiC 功率管，适配光伏、充电桩、工业高压电源，原厂现货可免费送样。
www.kiaic.com/article/detail/6488.html 2026-06-23
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KCY3610A DFN5*6 100V60A SGT MOS 管 低内阻兼容
KCY3610A 是 DFN5*6 封装 100V/60A SGT N 沟 MOS，Rds (on) 仅 8mΩ，超低栅电荷开关速度快，100% 雪崩全检，抑制 CdV/dt 干扰，适配高压快充、工业电源，可直接替代 NCEP60U100，免费提供规格书！
www.kiaic.com/article/detail/6486.html 2026-06-22
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KIA50L06TD TO-252-4 60V N+P 双沟道 MOS 管 48A/49A
KIA50L06TD 为 TO-252-4 封装 60V N+P 双通道功率 MOSFET，N 沟 48A/P 沟 49A，Rds (on) 低至 13.5mΩ，低栅电荷开关快，100% 雪崩检测，适配同步降压、H 桥驱动，可直接替代 AOD506 等竞品，原厂稳定供货！
www.kiaic.com/article/detail/6485.html 2026-06-22