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槽栅MOS器件优势是什么包括理论及实验动研究

信息来源:本站 日期:2017-08-01 

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      槽栅构造有利于进步电流控制才能,但是结电容大,不利于工作频率的提高。将平而栅极构造与双扩散有机分离起来,就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET,横向双扩散MOSFET)(图1.18)。

LDMOS的主要优势是结电容小、工作频率高,合适于微波应用。

微波功率放大器的封装与常见的封装不同(图l.19),这是和微波功率放大相顺应的。微波功率放大应用大都是漏极输出、源极接地的电路(共源极电路),出于电路规划的思索,TAB(本体散热片)也需求和散热器直接相连。LD-MOS的衬底(背电极)是源极而不是漏极,刚好能够满足这一需求,源极衬底可以直接和TAB相连(图1.19),热阻减小,有利于进步功率耗散能才能。而垂直沟道的DMOS,衬底(背电极)是漏极,用于微波的垂直沟道MOS功率器件,通常是在TAB与衬底之间设置Be0(氧化镀)隔离层,既增加了热阻,又进步了封装本钱。