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mos串联是为理解决电压规格不够的问题,与VMOS的并联相似的

信息来源:本站 日期:2017-08-29 

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VMOS的串联

串联(SeriesConnection)是为理解决电压规格不够的问题,与VMOS的并联相似,我们这里所说的电压规格不够用,指的是即使是采用多管电路拓扑也难以满足需求时,如全桥、三相全桥等电路拓扑。与VMOS并联稍有不同的是,多电平变换应该优先于多管(模块)的串联应用。

在买践应用上,串联与并联一样会明显降低功率开关的外关速度,使之适用的工作频率明显降低,以致于降低到IGBT也可以足以顺应的程度;同时高电压规格的VMOS的饱和压降会明显升高,高于1000V时曾经与IGBT相差无几,到2000V左右时,IGBT在本身功耗方面曾经有了优势。

因而,在工程应用上,VMOS的串联应用并不多见,需求更高的电压规格时,1GBT更有优势,目前的单管产品,VMOS产品适用的最高电压根本上还彷徨在1000V左右,而IGBT产品适用的最高电压规格,单管曾经到达了2500~3300V,模块产品曾经到达了4500一6500V的程度。


除非是必需采用VMOS,同时又必需采用很高电源电压时,才会用到VMOS的串联,即使遇到这样的问题,串联也并不是首选的计划,特别是用于工业化产品,首选的计划应该是寻觅替代计划,如采用IGBT、基于VMOS的多电平变换等等。

万不得已采用VMOS串联时,首要的问题是驱动的隔离,除了信号通道需求隔离外,电源也需求隔离。

其次是均压,与VMOS并联时的均流相似,均压是为了让串联的每一个功率开关接受近似相等的电压,假如误差比拟大,就需求增加串联的功率开关的数量,增大电压耐受量的裕量。换言之,两个1000V电压规格的VMOS串联,理论上能够视为2000V电压规格的VMOS,为了保险起见,我们能够将其电压规格定为isoov以至更低。这样做的弊端是,串联功率开关的本身功耗将明显增加,缘由是我们为了取得2000V电压规格的功率开关,本来两个串联就能够了,如今为了增加保险系数,就需求3个串联。


串联需求思索的要素与并联大同小异,额外需求思索的要素是突波吸收电路的参数需求停止挑选,由于它们还同时担当着动态均压的任务。所谓动态均压,就是功率开关高速开关条件下的均压,与此相对应,功率开关出于稳定关断状态时的均压通常称为静态均压,普通用电阻来完成。

由于VMOS的串联很少有实践应用,这里只给出一个2管串联的表示图(图5.88)。至于信号隔离器件的选择,视开关速度和隔离电压的上下而定,光耦有利于进步开关速度,变压器有利于进步隔离电压等级并且高压侧的驱动局部能够自供电,但是主要适用于低速应用。

mos管



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