KNP2912A场效应管漏源击穿电压120V，漏极电流130A，采用先进的沟槽技术制造，极...KNP2912A场效应管漏源击穿电压120V，漏极电流130A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 6.0mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；高密...
正接时，会先经过Q1的体二极管，再经过两个电阻后，使PMOS导通。反接时，由于P...正接时，会先经过Q1的体二极管，再经过两个电阻后，使PMOS导通。反接时，由于PMOS无法导通，也就达到了保护电路的目的。
输入端正接时（上正下负），由于MOSFET存在体二极管，所以上电初始阶段S端被拉...输入端正接时（上正下负），由于MOSFET存在体二极管，所以上电初始阶段S端被拉低，R1和R2分压，其中R2上分得的电压为MOSFET提供偏置使其DS导通，此后DS就像开关一...
KCT1808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流240A，采用采用先进SGT技术制造，极...KCT1808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流240A，采用采用先进SGT技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.25mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有优异栅极电...
升压PFC采用了单个低侧MOSFET、一个电感器和一个二极管。为了实现高效的交流/直...升压PFC采用了单个低侧MOSFET、一个电感器和一个二极管。为了实现高效的交流/直流转换，MOSFET栅极驱动器必须满足特定的要求才能有效驱动MOSFET。这些驱动器的一些...
输入电压VIN为NPN三极管Q1提供IB电流使用它处于放大区，IC为放大电流也为PNP三...输入电压VIN为NPN三极管Q1提供IB电流使用它处于放大区，IC为放大电流也为PNP三极管Q2的基极电流，通过对IC电流的控制，可使Q2处于饱和状态并以IE的饱和电流向电容...
