KCD3008A场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导...KCD3008A场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（...
稳压电源 由V3（TL431），Q3等元件组成，从36V蓄电池经过串联稳压后得到+12V电...稳压电源 由V3（TL431），Q3等元件组成，从36V蓄电池经过串联稳压后得到+12V电压，给控制电路供电，调节VR6可校准+12V电源。
输入过压保护主要针对的是雷击或市电冲击产生的浪涌。当DC电压通过“+48V、GNG...输入过压保护主要针对的是雷击或市电冲击产生的浪涌。当DC电压通过“+48V、GNG”两端进入电路，并经过R1电阻进行限流时，若后续线路发生短路，R1的电流会增大，进...
KCP2920A场效应管采用SGT MOSFET工艺，漏源击穿电压200V，漏极电流130A；新...KCP2920A场效应管采用SGT MOSFET工艺，漏源击穿电压200V，漏极电流130A；新型沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，最小化开...
通过改变MOS管的开断，可以改变输出电流的方向，合理运用输入输出端口，既可以...通过改变MOS管的开断，可以改变输出电流的方向，合理运用输入输出端口，既可以实现降压功能，也可以实现升压功能。它由两个MOS管和两个二极管组成。
逆变器：通过控制开关器件（如IGBT、MOSFET）的通断，生成脉宽调制（PWM）波形...逆变器：通过控制开关器件（如IGBT、MOSFET）的通断，生成脉宽调制（PWM）波形，合成所需频率和幅值的交流电。其电路复杂度通常高于整流器。
