当开关管导通时，储能电感储存能量；开关管截止时，电感中储存的能量与输入电压...当开关管导通时，储能电感储存能量；开关管截止时，电感中储存的能量与输入电压叠加，使输出电压高于输入电压。
MOS管选型关键 1.耐压值（Vds） 应高于系统最大工作电压，并留有220%裕量。例...MOS管选型关键 1.耐压值（Vds） 应高于系统最大工作电压，并留有220%裕量。例如48V系统建议选用100V以上MOS管。 高压应用（如400VEV电池）需选用650V～1000V器...
11n40,11n40c参数 最大漏源电压：400V 最大连续漏极电流：10.5A 最大导通电...11n40,11n40c参数 最大漏源电压：400V 最大连续漏极电流：10.5A 最大导通电阻：0.53Ω（典型值）
nce6050ka参数 漏源击穿电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）：50A 漏源导...nce6050ka参数 漏源击穿电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）：50A 漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值小于20mΩ，部分测试条件下可低至13.8mΩ
当PMOS管导通时，高频变压器原边（Np）的上端是正电压，下端是负电压。副边（N...当PMOS管导通时，高频变压器原边（Np）的上端是正电压，下端是负电压。副边（Ns）则是上端负电压，下端正电压。这时候，整流二极管是截止的，负载所需的能量由输出...
原厂优质现货KND6610A场效应管可代换15n10使用，参数兼容、性价比高，KND661...原厂优质现货KND6610A场效应管可代换15n10使用，参数兼容、性价比高，KND6610A漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启...
