KCT2213A场效应管漏源击穿电压135V，漏极电流200A ，采用先进的SGT技术，极低导...KCT2213A场效应管漏源击穿电压135V，漏极电流200A ，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 2.9mΩ，低栅极电荷（151nC），最小化开关损耗，性能卓越；改进的...
稳压二极管(zener diode)，又叫齐纳二极管；利用PN结反向击穿状态，呈现极小的...稳压二极管(zener diode)，又叫齐纳二极管；利用PN结反向击穿状态，呈现极小的电阻，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，起稳压作用。
单结晶体管有三个电极，分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管...单结晶体管有三个电极，分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管虽然有三个电极，但在结构上只有一个PN结，它是在一块高电阻率的N型硅基片一侧的两端...
KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器...KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器件新技术，低导通电阻和低传导损耗，性能优越；极低导通电阻RDS(开启) 0.62mΩ，超...
在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通...在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通状态所需的栅源电压（VGS）的最小值。对于NMOS管，当VGS大于Vth时，管子开始导通。...
场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，有很高的输入阻抗，较大的...场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放...
