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p75nf75场效应管参数代换,KNX3308A参数引脚图-KIA MOS管
KNX3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低rds开启，RDS（ON）值为6.2mΩ，以减少导电损耗，具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，能够替代HY1906、SRP75NF75、FH80N08场效应管在电...www.kiaic.com/article/detail/5112.html 2024-07-29
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75V 150A场效应管,KIA2807N参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
KIA2807N场效应管采用超低导通电阻的高密度电池设计，漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），具有优越的开关性能，在DC-DC转换器和离线UPS、开关电源中的高效同步整...www.kiaic.com/article/detail/5109.html 2024-07-26
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70n08场效应管,MOS管代换,KIA3407A参数引脚图-KIA MOS管
KIA3407A场效应管采用先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压70V，漏极电流80A，RDS(ON)最大10.8mΩ（在VGS=10V时）；通过超低导通电阻的高密度电池设计，确保运行高效稳定；?具有可靠、坚固耐用的特性，在控制器、逆变器、锂电池保护板中表现出色?。封装形式：TO...www.kiaic.com/article/detail/5106.html 2024-07-25
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150A 60V场效应管现货,KNB2806A参数引脚图,规格书-KIA MOS管
KNB2806A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；具有100%雪崩测试、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）等特性，稳定可靠、性能优越；在开关切换应用程序、逆变器系统的电源管理、不间断电源中广...www.kiaic.com/article/detail/5103.html 2024-07-24
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150n06场效应管参数,KIA2806A参数代换,150A 60V现货-KIA MOS管
KIA2806A场效应管替代150N06B场效应管应用在逆变器、锂电池保护板、电源管理中，KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；100%雪崩测试、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），稳定可靠；封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5100.html 2024-07-23
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同步整流,逆变器MOS管,KCX3406A场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管
KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，RDS（开启）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低栅电荷、低反馈电容、开关速度快、改进的dvdt功能，稳定可靠；改进的工艺和电池结构经过特别定制，以最大限度地降低导通...www.kiaic.com/article/detail/5099.html 2024-07-23
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hy1603,MOS管代换,KNX3406A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（ON）=6.5m?（典型值），最大限度地减少导电损耗，提供卓越的开关性能；高雪崩、电流无铅和绿色设备可用，稳定可靠；在电源、DC-DC转换器中广泛应用，封装形式：DFN5*6、TO-252。www.kiaic.com/article/detail/5097.html 2024-07-22
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STD35P6LLF6参数代换,KIA8606A场效应管中文资料,优质现货-KIA MOS管
KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电流为35A，超低栅极电荷，提供卓越的开关性能；100%EAS保证、出色的Cdv/dt效应、绿色设备可用，稳定可靠；KIA8606A能够代换ST意法半导体STD35P6LLF6，为LED车灯、同步降压转换器应用...www.kiaic.com/article/detail/5094.html 2024-07-19
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STF140N6F7场效应管代换,60V 70A,KIA3506A参数管脚图-KIA MOS管
KIA3506A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试，减小损耗，稳定可靠；KIA3506A可以代换ST意法半导体STF140N6F7在电动车控制器、硬开关和高频电路、不间断电源中广泛应用。KIA3506A封...www.kiaic.com/article/detail/5091.html 2024-07-18
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25n06场效应管参数代换,60V 25A,KIA30N06B参数引脚图-KIA MOS管
KIA30N06B场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，RDS（开启）=25m?@VDS=60V，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应下降以及100%EAS保证、绿色设备可用，稳定可靠，能够在各种应用场景下发挥稳定的作用；KIA30N06B能够代换25n06...www.kiaic.com/article/detail/5090.html 2024-07-18
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光伏逆变器MOS管,ru40190r参数代换,KIA2404A场效应管-KIA MOS管
KIA2404A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流190A；超低导通电阻RDS（开启）（TYP）=2.2m?@VGS=10 V，提高开关效率降低损耗；100%雪崩试验、无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），稳定可靠，适合应用在光伏逆变、电鱼机、DC-DC转换器和离...www.kiaic.com/article/detail/5087.html 2024-07-16
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p沟道mos管-100a -40v,KPX3204B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KPX3204B场效应管采用先进的高单元密度沟槽，漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，极低导通电阻VGS=-10V时，RDS（ON）=3.2mΩ（典型值）；超低栅极电荷，高效率低损耗，100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降、绿色设备可用，可靠稳定；封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/5084.html 2024-07-15
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ipd036n04l场效应管代换,KIA3204A参数引脚图,原厂原装-KIA MOS管
KIA3204A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流100A，超低导通电阻，RDS（开启）=3.8 mΩ@VGS=10V，减小损耗；100%雪崩测试、无铅和绿色器件可用（符合RoHS标准），可靠稳定；广泛应用于电机驱动器、交换机系统中，封装形式：TO-220、TO-25...www.kiaic.com/article/detail/5081.html 2024-07-12
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nce30p30k,30A 30V场效应管,KIA30N03B参数引脚图-KIA MOS管
KIA30N03B采用先进的高单元密度沟槽技术，性能出色，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，超低栅极电荷RDS（开启）=15m?@VDS=30V，减小损耗；具有出色的Cdv/dt效应下降、100%EAS保证、绿色设备可用，可靠稳定；广泛应用于同步降压转换器、DC-DC电源系统、负载开关中...www.kiaic.com/article/detail/5078.html 2024-07-11