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160n60场效应管参数代换,电源专用mos管KIA2806A资料-KIA MOS管
电源专用mos管KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 m?（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；100%雪崩测试，可靠且坚固；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），高效质优；是切换应用程序、逆变器系统的电源管理、不间断电源的理想选择...www.kiaic.com/article/detail/5075.html 2024-07-10
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100n08参数代换,KNP2908B场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KNP2908B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压80V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON）=5.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，低RDS（ON）的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高，非常适合应用于电源切换应用、硬开关和高频电路、...www.kiaic.com/article/detail/5074.html 2024-07-10
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80n10场效应管参数代换,KCX3310A参数引脚图,原厂批发-KIA MOS管
KCX3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，极低的开关损耗，具有低RDS（开启）和FOM、卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。封...www.kiaic.com/article/detail/5072.html 2024-07-09
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dcdcmos管选型,40n20场效应管参数,代换,KIA40N20A-KIA MOS管
KIA40N20A漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具有快速切换、低电阻、低栅极电荷特性，符合RoHS，高效率低损耗、稳定可靠，适用于DC-DC转换器、UPS DC-AC转换器、开关电源和电机控制，还可以用于逆变电路、安防、拉杆音箱、无线...www.kiaic.com/article/detail/5069.html 2024-07-08
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电池管理系统BMS,1810场效应管参数,KCT1810A原厂-KIA MOS管
KCT1810A功率MOSFET采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流240A，极低的导通电阻RDS（开启）典型值=1.6mΩ@VGS=10V，减小损耗；具有优秀的栅极电荷x RDS（on）产品（FOM），提高效率、稳定可靠，适用于电机控制和驱动、电池管理、DC/DC转换器及通用应用...www.kiaic.com/article/detail/5066.html 2024-07-05
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电机控制器mos管,2904场效应管参数,KNP2904A现货-KIA MOS管
电机控制器专用mos管KNP2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低的导通电阻RDS（ON）=2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，稳定可靠，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用场景，...www.kiaic.com/article/detail/5063.html 2024-07-04
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fhp100n07参数代换,KNP2906B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KNP2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，其RDS（开）典型值为4.6mΩ@VGS=10V，低栅极电荷（典型值为148nC），具有高坚固性和100％的雪崩测试，稳定可靠；还具有改进的dv/dt能力，适用于同步整流、锂电池保护板和逆变器等多种应用场景，能够有效减小功...www.kiaic.com/article/detail/5060.html 2024-07-03
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9125mos管参数引脚,40A 250V,KNP9125A场效应管-KIA MOS管
KNP9125A场效应管采用专有新型平面技术，最高承受电压可达250V，漏极电流最大值为40A，RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=10V；具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管特性，高效优质，适用于逆变器开关电源、DC-DC转换器、SMPS和电机控制等，封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5057.html 2024-07-02
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车载逆变器mos管专用,KNH9120A场效应管,cs50n20参数代换-KIA MOS管
KNH9120A场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，提高效率。封装形式：TO-3P，便于散热。KNH9120A能够代换...www.kiaic.com/article/detail/5054.html 2024-07-01
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仪器仪表专用,fqpf4n90c参数代换,KNF4390A场效应管-KIA MOS管
KNF4390A采用专有新型平面技术，漏源击穿电压900V，漏极电流4A，能够承受高达900伏特的电压，适用于需要高耐压的应用场景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，提高效率...www.kiaic.com/article/detail/5051.html 2024-06-28
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7150场效应管,20A 500V,KNH7150A参数引脚图-KIA MOS管
KNH7150A场效应管采用专有新平面技术，漏源击穿电压500V，漏极电流20A，RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快恢复体二极管，是一款性能出色的器件，7150场效应管在适配器充电器、开关电源、液晶面板电源应用中表现出色，可与20N50场...www.kiaic.com/article/detail/5048.html 2024-06-27
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28n50场效应管参数,引脚图,20N50代换,24N50代换-KIA MOS管
漏源电压：500V漏极电流：28A漏源通态电阻(RDS(on))：0.16Ω栅源电压：±30Vwww.kiaic.com/article/detail/5045.html 2024-06-26
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28n50场效应管参数,20N50,24N50场效应管代换-KIA MOS管
KIA28N50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低栅极电荷、低Crss，最小化开关损耗，以及100%雪崩Aested、提高dv/dt能力、符合RoHS，良好的开关特性能够在车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等应用中表现...www.kiaic.com/article/detail/4547.html 2024-06-26
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电动车防盗报警器专用,KPD7910A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
电动车防盗报警器专用MOS管KPD7910A漏源击穿电压-100V，漏极电流-28A，RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，具有极低通阻RDS(on)，开关速度快，优秀的QgxRDS产品（FOM）、符合JEDEC标准，是一款高效优质的器件。www.kiaic.com/article/detail/5042.html 2024-06-25