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无线充MOS管,ncep15t14参数代换,2915场效应管-KIA MOS管

无线充专用MOS管KNB2915A采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压150V，漏极电流130A，RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V，具有极低导通电阻RDS（on）和优秀的Qg x RDS（ON）产品（FOM），符合JEDEC标准，能够匹配ncep15t14参数代换使用，KNB2915A封装形式：TO-263，...

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www.kiaic.com/article/detail/5039.html 2024-06-24

电机控制器MOS管,9130场效应管,KNX9130B参数资料-KIA MOS管

电机控制器专用MOS管KNX9130B采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，RDS（ON）=0.12Ω（典型值）@VGS=10V，降低导通损耗，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性。

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www.kiaic.com/article/detail/5036.html 2024-06-21

锂电池保护板mos管,042N10参数场效应管代换,KCB3010A资料-KIA MOS管

KCB3010A是采用先进SGT技术的N沟道增强型功率MOSFET，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能和增强雪崩能量，漏源击穿电压100V，漏极电流120A，低导通电阻（典型值）RDS（导通）=4.0mΩ；具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高等出色性能...

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www.kiaic.com/article/detail/5033.html 2024-06-20

无线充MOS管,KCM9860A场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管

无线充专用MOS管KCM9860A是一款高压器件，漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性；封装形...

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www.kiaic.com/article/detail/5030.html 2024-06-19

电源适配器mos管,KNX6140S场效应管参数原厂现货-KIA MOS管

电源适配器mos管KNX6140S是一款N沟道增强型硅栅极功率MOSFET，漏源击穿电压400V，漏极电流11A，RDS（开启）典型值=0.53Ω@VGS=10V，较低的导通电阻，可最大限度地减少导通损耗，具有超低栅极电荷，出色的改进的dvdt功能，以及高坚固性、快速切换等特性，100%雪...

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www.kiaic.com/article/detail/5027.html 2024-06-18

led调光器,调光专用MOS管,KIA4603A场效应管参数-KIA MOS管

调光专用MOS管KIA4603A漏源击穿电压30V，漏极电流7A，RDS（开）=14.5mΩ（典型值）@VGS=10V；具有超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗等特性，满足RoHs和绿色产品的要求，确保led调光器的性能稳定可靠。

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www.kiaic.com/article/detail/5024.html 2024-06-17

储能电源场效应管,KNB2912A储能电源专用mos管参数-KIA MOS管

KNX2912A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压120V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON），在VGS=10V时的RDS（ON）仅为6.0mΩ（典型值），低栅极电荷，在储能电源、电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等多种领域中展现出优异的性能。

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www.kiaic.com/article/detail/5021.html 2024-06-14

电动工具MOS管,3403场效应管,KNX3403C参数-KIA MOS管

KNX3403C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流80A，具有DFN3*3、DFN5*6以及TO-252封装的RDS（ON）分别为4.3mΩ和4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，体现了极低导通电阻，以及低Crss特性，确保稳定性和可靠性，快速切换能力和改进的dv/dt能力在PWM...

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www.kiaic.com/article/detail/5018.html 2024-06-13

车载逆变器MOS管,KNX2404N场效应管,CS1404代替-KIA MOS管

车载逆变器专用场效应管KNX2404N采用专有的新型沟槽技术，具有出色的参数特性，漏源击穿电压40V，漏极电流190A，RDS（ON），典型=4mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷最小化开关损耗，以及快速恢复体二极管，确保DC-DC转换器、车载逆变器、电源应用的性能稳定可...

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www.kiaic.com/article/detail/5015.html 2024-06-12

小功率led,锂电池保护板MOS管,3203场效应管,参数资料-KIA MOS管

KND3203B场效应管具有100A、30V的额定参数，采用了CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，具有极低的导通电阻RDS（接通）和优秀的QgxRDS（on）产品性能；RDS（开）为3.1m?@VGS=10V，表现出优异的特性，符合JEDEC标准，广泛应用于电机控制和驱动、小功率LED、锂电池保护...

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www.kiaic.com/article/detail/5012.html 2024-06-11