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4706参数,4706场效应管,SOP-8引脚参数规格资料-KIA MOS管
KIA4706A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，性能出色，漏源击穿电压60V，漏极电流8A，具有RDS（开）仅为10mΩ（在VGS=10V时的典型值），在应用中表现出超低的电阻，还具有超低的栅极电荷，在高频应用中表现出色，绿色环保设备具有更低的能耗和减少对环境的...www.kiaic.com/article/detail/4958.html 2024-05-15
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3423场效应管参数引脚图,PMOS管3423,SOT23-KIA MOS管
KIA3423采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压-20V，漏极电流-2.0A，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，能够减少功耗，提高效率。3423场效应管适合用作负载开关或PWM应用。标准产品KIA3423不含铅（符合ROHS和Sony 259规范），是绿色产品...www.kiaic.com/article/detail/4952.html 2024-05-13
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3409参数,3409场效应管参数引脚图,KIA3409中文资料-KIA MOS管
KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。3409场效应管适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。VDS(V)=-30VID=-2.6Awww.kiaic.com/article/detail/4949.html 2024-05-11
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8205MOS管,8205场效应管参数,场效应管8205a资料-KIA MOS管
8205MOS管,8205场效应管参数漏源电压：20V漏极电流：5.0A栅源电压：±12V脉冲漏电流：20A总功耗：2Wwww.kiaic.com/article/detail/4946.html 2024-05-10
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场效应管直流调速电路,PWM直流电机调速-KIA MOS管
图中，由U1a、U1d组成振荡器电路，提供频率约为400Hz的方波/三角形波。U1c产生6V的参考电压作为振荡器电路的虚拟地。这是为了振荡器电路能在单电源情况下也能工作而不需要用正负双电源。www.kiaic.com/article/detail/4945.html 2024-05-10
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场效应管功放的优缺点有哪些？-KIA MOS管
场效应管功放使用场效应管作为放大元件，相较于普通晶体管等其他元件，它具有失真度低、交叉失真小等特点。高输入阻抗：场效应管的输入阻抗非常高，可以达到10^8Ω～10^9Ω，这意味着它在放大器中可以提供极低的噪声。www.kiaic.com/article/detail/4944.html 2024-05-10
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3414参数,3414场效应管参数,3414场效应管代换-KIA MOS管
KIA3414采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流4.2A，提供出色的RDS（on），低栅极电荷门极电压低至1.8V。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3414无铅（符合ROHS和Sony 259规范），是一款高性能的绿色产品。3414场效应管具有出色的封装，封装...www.kiaic.com/article/detail/4943.html 2024-05-09
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3402场效应管参数,80A 20V,KNX3402A规格书中文资料-KIA MOS管
KNX3402A是一款漏源击穿电压20V，漏极电流80A的高性能场效应管，RDS（开启）（典型值）=3.0m? @ VGS=4.5伏，超低Rdson的高密度电池设计，保证了电路的高效能运行，完全表征雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，具有高EAS，为设备的稳定性提供了保障，能够满...www.kiaic.com/article/detail/4940.html 2024-05-08
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3402场效应管参数,3402场效应管引脚图,3402中文资料-KIA MOS管
KIA3402采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（开）、低栅电荷和栅电压低至2.5V。3402场效应管适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。KIA3402（绿色产品）提供无铅包装。3402场效应管参数:VDS(V)=30V，ID=4.0Awww.kiaic.com/article/detail/4937.html 2024-05-07
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3400参数,3400场效应管参数引脚图,KIA3400中文资料-KIA MOS管
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。3400场效应管适用于负载开关或PWM应用。www.kiaic.com/article/detail/4934.html 2024-05-06
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3302场效应管参数,85A 20V,KNX3302A中文资料-KIA MOS管
KNX3302A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流85A，RDS(on)=3.8m?(typ.) @ VGS=4.5V，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。3302场效应管适用于电池保护或其他开关应用。www.kiaic.com/article/detail/4931.html 2024-04-30
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jmte3003a,3003场效应管参数,150A 30V,KNB2803S-KIA MOS管
jmte3003a,3003场效应管参数30V，150ARDS（ON）<2.9mΩ@VGS=10VRDS（ON）<6.5mΩ@VGS=4.5Vwww.kiaic.com/article/detail/4928.html 2024-04-29
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9103场效应管参数,40A 30V mos管,KNX9103A中文资料-KIA MOS管
KNX9103A场效应管是一款具有先进的沟槽工艺技术的高性能器件，漏源击穿电压30V，漏极电流40A，采用了超低导通电阻的高密度电池设计，具有非常优秀的电气特性；RDS（ON）仅为8.5mΩ（典型值），VGS为10V，表现出极佳的导通能力，经过了完全的雪崩电压和电流特性...www.kiaic.com/article/detail/4925.html 2024-04-28
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40n06场效应管参数,40n06参数,KIA40N06中文资料-KIA MOS管
KIA40N06B场效应管采用先进的高细胞密度沟槽技术，具备出色的性能，漏源击穿电压60V，漏极电流38A，在VDS为60V时，RDS（开启）仅为14m?，表现出卓越的导通能力、超低的栅极电荷，在Cdv/dt效应下降方面表现出色、100%的EAS保证，在各种工作条件下都能稳定可靠、...www.kiaic.com/article/detail/4922.html 2024-04-26